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硫堇衍生化自组装膜修饰金电极的电化学性质及其对抗坏血酸的电催化氧化

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高等学校化学学报 1997年第5期18卷 707-710页

作者：徐静娟方惠群陈洪渊南京大学化学系南京210093

将硫堇共价键合到自组装在金电极表面的半胱胺单分子层上，制成了衍生化自组装单分子膜修饰电极，并用电化学方法研究了它的电化学性质．循环伏安图显示其在pH＝7．7的磷酸盐缓冲液中，于－0．45～＋0．50V（***）范围内有2对氧化还原... 详细信息

将硫堇共价键合到自组装在金电极表面的半胱胺单分子层上，制成了衍生化自组装单分子膜修饰电极，并用电化学方法研究了它的电化学性质．循环伏安图显示其在pH＝7．7的磷酸盐缓冲液中，于－0．45～＋0．50V（***）范围内有2对氧化还原峰．峰电位分别为Epa1＝214mV。Epc1＝82mV，Epa2＝－75mV，Epc2＝－160mV（***）．pH在5．0～9．0范围内，峰1有2个质子参与反应，峰2有1个质子参与反应．它的表面电子转移速率常数ks＝0．02S－1．此膜对抗坏血酸的氧化有催化作用，其氧化过电位较在裸金电极上降低了约250mV．催化电流与抗坏血酸的浓度在1．0ｘ10-6～4．0ｘ10-3mol／L范围内呈良好的线性关系．抗坏血酸催化氧化的异相速率常数为2．68ｘ10-3cm／s．

关键词：自组装电催化氧化硫堇化学修饰电极抗坏血酸

乙撑二氧噻吩在中性水溶液中的电化学聚合及行为研究

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化学学报 1995年第7期53卷 710-715页

作者：方惠群侯士峰陈洪渊南京大学化学系南京210093

本文研究了乙撑二氧噻吩在中性水溶液中的电化学聚合过程以及聚乙撑二氧噻吩膜的电化学行为,利用光电子能谱和红外光谱等方法对聚合物膜进行了表征,研究表明在中性水溶液中制成的聚乙撑二氧噻吩膜修饰电极具有较好的电化学行为和稳定性.

关键词：乙撑二氧噻吩电化学聚合 PEDT 膜修饰电极

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四氯苯醌自组装膜电子传递机制的研究

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物理化学学报 1998年第7期14卷 640-644页

作者：侯士峰杨可盛方惠群陈洪渊南京大学化学系南京210093

2,3,5,6-Tetrachloride-quinone was anchored to a gold surfare through the self-assem-bled monolayers of dithiol [DT HS-(CH2).-SH n=2,4,6,8,10]. The surface coverage of the anchoredTQ was esteminated to be 4.0 ×10-11 mol’cm-2. The electron transfer rate constant Ket associatedwith the redox process of anchored film decreased from 6.75 s-1 at n=2 to 0.169 s-1 at n=10 withincreasing the chain length of the DT SAMs througth the redox potential of TQ. The turnningbarrier conefficient.(β) of the electron transfer was estimated to be 0.82A-1 from the observed linearrelationship between the Ket and the monolayer chain length.

关键词：四氯苯醌硫醇自组装膜电子传递 SAMS