检索结果-南通市图书馆

氮气氛下金刚石薄膜生长过程中的光发射谱研究

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无机材料学报 2001年第1期16卷 81-86页

作者：李灿华廖源常超王冠中马玉蓉方容川中国科技大学结构分析开放研究实验室中国科技大学物理系合肥230026 中国科技大学物理系合肥230026

利用原位光发射谱对衬底附近的化学气相性质进行了研究．研究表明，氮气的引入使得金刚石生长的气相化学和表面化学性质发生了很大变化．含氮基团的萃取作用提高了金刚石表面氢原子的脱附速率，从而提高了金刚石膜的生长速率．而含氮基... 详细信息

利用原位光发射谱对衬底附近的化学气相性质进行了研究．研究表明，氮气的引入使得金刚石生长的气相化学和表面化学性质发生了很大变化．含氮基团的萃取作用提高了金刚石表面氢原子的脱附速率，从而提高了金刚石膜的生长速率．而含氮基团的选择吸附使金刚石（１００）取向变得化学糙化，这种化学糙化使得（１００）晶面生长速率远大于其它晶面，最终使金刚石薄膜呈现（１００）织构．还利用化学气相沉积方法研究了氮气浓度对金刚石生长的影响，结果与光发射谱分析是一致的．

关键词：热丝CVD 光发射谱含氮基团金刚石薄膜生长

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制备类金刚石薄膜过程中的等离子体发射光谱

物理化学学报 1992年第3期8卷 383-388页

作者：张慰萍陈竞方容川胡克良中国科学技术大学物理系合肥230026 中国科学技术大学结构分析开放实验室

测定了不同反应条件下,不同空间位置的等离子体发射光谱,并与相应条件下生成的类金刚石薄膜的红外吸收谱进行对照,分析了它们之间的关系。

关键词：辉光放电类金刚石薄膜 OES PCVD

CdTe（111）表面碱金属吸附的电子结构特性研究

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物理学报 1996年第12期45卷 2047-2053页

作者：张海峰李永平方容川班大雁冶金工业部钢铁研究总院中国科学技术大学物理系

从理论和实验两个方面对ＣｄＴｅ（１１１）表面碱金属吸附的电子结构特性进行了研究．实验结果表明碱金属Ｋ在ＣｄＴｅ（１１１）表面吸附是Ｃｄ替位吸附，它影响了ＣｄＴｅ（１１１）表面的表面态分布，产生了费密钉扎现象．在理论方... 详细信息

从理论和实验两个方面对ＣｄＴｅ（１１１）表面碱金属吸附的电子结构特性进行了研究．实验结果表明碱金属Ｋ在ＣｄＴｅ（１１１）表面吸附是Ｃｄ替位吸附，它影响了ＣｄＴｅ（１１１）表面的表面态分布，产生了费密钉扎现象．在理论方面，首先采用线性糕模轨函数（ＬＭＴＯ）方法对ＣｄＴｅ（１１１）表面的Ｋ吸附电子结构特性作了研究，得出了与实验符合的结果．对碱金属在ＣｄＴｅ（１１１）表面的吸附电子结构特性系统对比研究表明ＣｄＴｅ（１１１）表面的碱金属吸附特性不仅受碱金属原子序数的影响。

关键词：碲化镉半导体碱金属吸附电子结构

Ge/ZnSe(100)异质结能带偏移的同步辐射光电子能谱研究

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物理学报 1997年第3期46卷 587-595页

作者：班大雁方容川杨风源袁诗鑫徐世宏徐彭涛中国科学技术大学物理系中国科学技术大学国家同步辐射实验室中国科学院上海技术物理研究所

利用同步辐射光电子能谱研究了Ｇｅ／ＺｎＳｅ（１００）极性界面的能带连接问题．表面灵敏的芯能级谱显示出Ｇｅ原子与Ｓｅ原子在界面处存在较弱的化学反应．利用芯能级技术，测量了该异质结的价带偏移，为１７６±０１ｅＶ．用界... 详细信息

利用同步辐射光电子能谱研究了Ｇｅ／ＺｎＳｅ（１００）极性界面的能带连接问题．表面灵敏的芯能级谱显示出Ｇｅ原子与Ｓｅ原子在界面处存在较弱的化学反应．利用芯能级技术，测量了该异质结的价带偏移，为１７６±０１ｅＶ．用界面键极性模型对ＺｎＳｅ（１００）极性表面对价带偏移的影响进行了讨论。

关键词：半导体异质结光电子能谱有带同步辐射锗

原位光发射谱研究横向偏压金刚石薄膜生长过程

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无机材料学报 2000年第6期15卷 1061-1066页

作者：廖源尚乃贵李灿华王冠中马玉蓉方容川中国科学技术大学结构分析开放实验室中国科学技术大学物理系合肥230026

利用热丝ＣＶＤ方法研究了横向偏压对金刚石薄膜成核和生长的影响．实验表明，随着偏流的增加，金刚石在光滑硅衬底上的成核密度得到显著提高，最高可达１．１×１０８ｃｍ－２．，但是横向偏压不利于金刚石薄膜的生长．原位光发射谱... 详细信息

利用热丝ＣＶＤ方法研究了横向偏压对金刚石薄膜成核和生长的影响．实验表明，随着偏流的增加，金刚石在光滑硅衬底上的成核密度得到显著提高，最高可达１．１×１０８ｃｍ－２．，但是横向偏压不利于金刚石薄膜的生长．原位光发射谱研究发现，横向偏流的增加提高了原子氢和ＣＨ基团的浓度，导致衬底表面非晶碳层的形成，这可能是造成横向偏压促进金刚石成核却不利于金刚石薄膜生长的主要原因．

关键词：金刚石薄膜横向偏压原位光发射谱非晶碳层