检索结果-南通市图书馆

微电子学与计算机 2002年第8期19卷 57-60页

作者：李岷戴庆元上海交通大学微电子技术研究所上海200030

文章采用横向晶闸管设计ESD保护电路结构,给出了保护结构的版图以及等效电路。同时,对所设计的结构进行计算分析,并在PSPICE中建立了该结构的仿真模型。最后,使用计算机进行模拟验证,分析仿真结果以检验所设计结构的有效性和可靠性。

关键词：横向晶闸管设计 ESD CMOS集成电路防静电保护结构

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芯片设计中串扰噪声的分析与改善

半导体技术 2004年第1期29卷 56-59页

作者：周平戴庆元上海交通大学微纳米研究院上海200030

集成电路设计进入了超深亚微米领域,金属层增加,线宽减小,使电路的性能和密度都得到了很大的提高,但也引入了愈来愈严重的互连线效应,并最终引发了信号完整性问题。在这其中,串扰噪声是一个关键的问题。本文探讨了噪声产生机制并进行定... 详细信息

集成电路设计进入了超深亚微米领域,金属层增加,线宽减小,使电路的性能和密度都得到了很大的提高,但也引入了愈来愈严重的互连线效应,并最终引发了信号完整性问题。在这其中,串扰噪声是一个关键的问题。本文探讨了噪声产生机制并进行定量分析,结合作者实际设计阐述该问题的解决方法。

关键词：集成电路设计超深亚微米互连线效应信号完整性串扰噪声

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定时系统的VHDL设计

计算机工程 2002年第12期28卷 227-229页

作者：何广军戴庆元上海交通大学微电子技术研究所上海200052

用VHDL硬件描述语言设计定时系统，定时采用时钟控制，并用Mealy有限状态机表示定时器的状态，并考虑了控制器的微程序设计实现，然后用VHDL进行了描述，并给出了主要部分的模拟结果。

关键词：定时系统 VHDL 设计有限状态机硬件描述语言微程序设计

移动数字电视接收机中宽带RF RSSI的设计

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固体电子学研究与进展 2011年第2期31卷 169-173页

作者：褚敏戴庆元蔡新午上海交通大学微纳米科技研究所微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

基于UMC 0.18μm RF CMOS工艺,设计并实现了一个应用于移动数字电视接收机射频前端的接收信号强度指示仪(RF RSSI)。提出了一种全新的功率检测电路,相对于传统的非平衡源级耦合对整流器,具有设计简单、功耗低以及良好的宽带功率指示功能... 详细信息

基于UMC 0.18μm RF CMOS工艺,设计并实现了一个应用于移动数字电视接收机射频前端的接收信号强度指示仪(RF RSSI)。提出了一种全新的功率检测电路,相对于传统的非平衡源级耦合对整流器,具有设计简单、功耗低以及良好的宽带功率指示功能;电路中前置放大器采用恒定跨导(Gm)偏置技术,输出放大器为三运放仪表放大器(IA),其增益均为片上电阻的比值,因此受工艺、温度、电源电压影响较小。芯片测试结果表明,在1.8 V电源电压下,工作频率470～860 MHz范围内,该RF RSSI的动态功率检测范围为-25～-15 dBm,非线性误差小于±1.5 dB,同时功耗仅为7 mW。满足接收机系统要求。

关键词：互补型金属氧化物半导体射频集成电路恒定跨导偏置接收信号强度指示仪表放大器

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DDR SDRAM控制器的FPGA实现

电子技术应用 2003年第11期29卷 61-63页

作者：施周渊戴庆元上海交通大学微电子技术研究所 200030

DDR SDRAM高容量和快速度的优点使它获得了广泛的应用,但是其接口与目前广泛应用的微处理器不兼容。介绍了一种通用的DDR SDRAM控制器的设计,从而使得DDR SDRAM能应用到微处理器中去。

关键词： DDR SDRAM 控制器 FPGA 延时锁定回路微处理器存储器

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SiGe技术在蓝牙系统中的应用

半导体技术 2002年第8期27卷 14-16页

作者：丁齐兵戴庆元上海交大微电子所上海200052

阐述了SiGe技术迅速发展的原因。重点介绍了在蓝牙系统中采用SiGe技术,可以得到非常优异的特性。

关键词：蓝牙系统晶格失配锗化硅低噪声放大器压控振荡器

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一种高精度脉宽调制信号移相电路设计

电源技术 2013年第1期37卷 115-117页

作者：罗超戴庆元上海交通大学微纳米研究院上海200240

设计了一种基于1.5μm BiCMOS工艺下的脉宽调制信号移相电路。该电路可应用于发光二极管驱动芯片中,对调光脉宽调制信号进行移相。电路设计有三种模式以应用在不同的场合,可进行零度、180°和任意度的移相。测试结果表明:在100 Hz到20 ... 详细信息

设计了一种基于1.5μm BiCMOS工艺下的脉宽调制信号移相电路。该电路可应用于发光二极管驱动芯片中,对调光脉宽调制信号进行移相。电路设计有三种模式以应用在不同的场合,可进行零度、180°和任意度的移相。测试结果表明:在100 Hz到20 kHz脉宽调制信号下,电路的三种模式都能保证信号的精度与移相的稳定。

关键词：脉宽调制移相发光二极管驱动

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一种低电源电压带隙基准的设计

电子器件 2005年第4期28卷 806-808页

作者：王冬辉戴庆元葛启健上海交通大学微纳科学技术研究院上海200030

设计了一种可以工作在1V电源电压下的CMOS带隙基准。普通的带隙基准是通过VBE(双极型晶体管的基极-发射极电压)和kVT(VT=k·T/q)的和来实现输出基准电平,由于器件本身的特性而决定了其输出电平一般在1.25V左右。本文的带隙基准通过两个... 详细信息

设计了一种可以工作在1V电源电压下的CMOS带隙基准。普通的带隙基准是通过VBE(双极型晶体管的基极-发射极电压)和kVT(VT=k·T/q)的和来实现输出基准电平,由于器件本身的特性而决定了其输出电平一般在1.25V左右。本文的带隙基准通过两个分别正比于VBE和kVT和的电流的叠加来实现低电平输出。使用SMIC0.35um模型仿真,得该电路的输出电平为506mV。

关键词：带隙基准低电压 CMOS

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一种新型电流控制CMOS振荡器电路设计

电源技术 2012年第11期36卷 1697-1699页

作者：徐慧敏戴庆元罗超上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240 上海交通大学微纳科学技术研究院微米纳米加工技术国家级重点实验室上海200240

设计了一种基于华虹0.35 mm BCD工艺的新型电流控制CMOS振荡器电路,中心频率为1 MHz,宽温度范围内具有占空比高稳定性。不同于传统电流控制CMOS振荡器拓扑,结构简单,通过反相器阈值电压控制电流对电容的充放电状态切换,消除了延迟时间... 详细信息

设计了一种基于华虹0.35 mm BCD工艺的新型电流控制CMOS振荡器电路,中心频率为1 MHz,宽温度范围内具有占空比高稳定性。不同于传统电流控制CMOS振荡器拓扑,结构简单,通过反相器阈值电压控制电流对电容的充放电状态切换,消除了延迟时间引起的上冲、下冲问题,具有良好的可移植性。Cadence Spectre仿真结果表明:-45～125℃范围内,振荡频率和占空比相对中心值的上下偏差分别为5.01%(-)到3.31%(+)、1.95%(-)到1.84%(+);方差分别为0.000 9、0.000 1。

关键词：振荡器电流控制占空比延迟时间开关电源

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新型电流微调CMOS带隙基准源的设计

半导体技术 2009年第9期34卷 919-922页

作者：吴日新戴庆元谢芳上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

介绍了一个新型PTAT电流微调并具有关断模式的CMOS带隙基准源,通过数字控制信号逻辑的改变,可实现1.20～1.27V的基准输出。该带隙基准源采用TSMC0.18μm工艺进行电路和版图设计。仿真结果显示,在输出基准为1.24V的情况下,带隙基准源在-4... 详细信息

介绍了一个新型PTAT电流微调并具有关断模式的CMOS带隙基准源,通过数字控制信号逻辑的改变,可实现1.20～1.27V的基准输出。该带隙基准源采用TSMC0.18μm工艺进行电路和版图设计。仿真结果显示,在输出基准为1.24V的情况下,带隙基准源在-40～125℃,所有工艺角下的最大误差为23.07mV,其中tt工艺角下的温度系数为21×10-6/℃。电源电压为1.8V时,电源电流为63μA;关断模式下电流为93pA。10kHz的电源抑制比为44dB。

关键词： CMOS带隙基准电流微调关断模式