检索结果-南通市图书馆

GaAs/Si晶圆片键合偏差及影响因素研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

固体电子学研究与进展 2021年第1期41卷 10-13,40页

作者：郭怀新戴家赟潘斌周书同孔月婵陈堂胜朱健微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

针对化合物半导体与Si基晶圆异质集成中的热失配问题,利用有限元分析方法开展GaAs半导体与Si晶片键合匹配偏差及影响因素研究,建立了101.6 mm(4英寸)GaAs/Si晶圆片键合匹配偏差评估的三维仿真模型,研究了不同键合结构和工艺对GaAs/Si晶... 详细信息

针对化合物半导体与Si基晶圆异质集成中的热失配问题,利用有限元分析方法开展GaAs半导体与Si晶片键合匹配偏差及影响因素研究,建立了101.6 mm(4英寸)GaAs/Si晶圆片键合匹配偏差评估的三维仿真模型,研究了不同键合结构和工艺对GaAs/Si晶圆级键合匹配的影响,系统分析了键合温度、键合压力、键合介质厚度及摩擦特性等因素对键合偏差影响的规律。结果表明,键合压力和键合层摩擦系数对键合偏差的影响极大,并通过对上述因素的优化,其匹配偏差可控制到3μm以内。

关键词： GaAs/Si晶圆晶圆键合热失配匹配偏差

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

晶圆直接键合预处理关键技术研究进展

固体电子学研究与进展 2023年第6期43卷 533-542页

作者：吴硕徐康洪孟吕麒鹏蒲茜戴家赟吴超群郭敏武汉理工大学机电工程学院武汉430070 中国电子科技集团公司第二研究所太原030024 北京交通大学机械与电子控制工程学院北京100044 南京电子器件研究所南京210016

晶圆键合技术已经广泛应用于功率型半导体光电器件、电子电力器件、大功率固体激光器、MEMS及光电集成等领域。晶圆键合技术根据有无通过中间层实现键合分为两大类,其中晶圆直接键合技术属于无中间层键合,该技术的关键点在于对晶圆预处... 详细信息

晶圆键合技术已经广泛应用于功率型半导体光电器件、电子电力器件、大功率固体激光器、MEMS及光电集成等领域。晶圆键合技术根据有无通过中间层实现键合分为两大类,其中晶圆直接键合技术属于无中间层键合,该技术的关键点在于对晶圆预处理工艺的选择。本文就湿法和干法两方向对不同的晶圆直接键合预处理技术的特点进行了归纳总结,主要内容包括溶液清洗、蒸汽清洗、快速原子束轰击、等离子体表面活化以及紫外光活化的技术原理与要点。此外,还对晶圆直接键合预处理技术未来的创新与改善进行了展望。

关键词：先进封装制造技术直接键合表面预处理蒸汽清洗紫外光活化

晶圆级柔性高性能GaN HEMT及InP HBT器件

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

固体电子学研究与进展 2023年第2期43卷 158-162,174页

作者：戴家赟陈鑫王登贵吴立枢周建军王飞孔月婵陈堂胜南京电子器件研究所南京210016 固态微波器件与电路全国重点实验室南京210016

通过研究基于临时键合与解键合工艺的GaN、InP等材料无损剥离和晶圆级柔性集成等关键技术,提出了解决当前柔性化合物半导体器件普遍存在的转移后器件性能退化严重和大面积批量制造困难等问题的方案,制备出100 mm(4英寸)柔性GaN HEMT器件... 详细信息

通过研究基于临时键合与解键合工艺的GaN、InP等材料无损剥离和晶圆级柔性集成等关键技术,提出了解决当前柔性化合物半导体器件普遍存在的转移后器件性能退化严重和大面积批量制造困难等问题的方案,制备出100 mm(4英寸)柔性GaN HEMT器件和75 mm(3英寸)InP HBT器件。其中,柔性GaN HEMT器件的饱和电流衰减仅为8.6%,柔性InP HBT器件的电流增益截止频率和最高振荡频率分别达到了358 GHz和530 GHz。表明采用本文介绍的柔性化方法制备的柔性电子器件在高频大功率等领域具有较好的应用前景。

关键词：晶圆级柔性化合物器件 GaN HEMT InP HBT

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

晶体管级异质集成技术及其典型应用

固体电子学研究与进展 2023年第2期43卷 95-100页

作者：陈堂胜戴家赟吴立枢孔月婵周书同齐志央钟世昌凌志健南京电子器件研究所南京210016 固态微波器件与电路全国重点实验室南京210016

晶体管级异质集成是后摩尔时代半导体微波器件技术发展的重点方向。介绍了针对平面和纵向两类不同结构器件分别开发的介质键合和金属键合两套外延层转移晶体管级异质集成工艺,研制出基于介质键合工艺的金刚石衬底GaN HEMT微波功率器件... 详细信息

晶体管级异质集成是后摩尔时代半导体微波器件技术发展的重点方向。介绍了针对平面和纵向两类不同结构器件分别开发的介质键合和金属键合两套外延层转移晶体管级异质集成工艺,研制出基于介质键合工艺的金刚石衬底GaN HEMT微波功率器件和基于金属键合工艺的SiC衬底GaAs PIN限幅器电路。测试结果表明,与常规的SiC衬底GaN HEMT器件相比,金刚石衬底GaN HEMT器件在高热耗工作下器件热阻减小超过50%,连续波工作输出功率和功率附加效率分别提高0.77 dB和5.6个百分点;与常规工艺的GaAs衬底限幅器相比,18~40 GHz SiC衬底GaAs PIN限幅器单片电路限幅电平基本一致,插入损耗改善约0.2 dB,耐功率能力提高3 dB以上。

关键词：半导体微波晶体管晶体管级异质集成外延层转移低温键合微波功率器件限幅器

电流垂直流动集成大功率PIN限幅MMIC技术

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电子与封装 2021年第6期21卷 74-79页

作者：彭龙新戴家赟王钊贾晨阳南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波电路与模块国家重点实验室南京210016

提出了一种电流垂直流动的纵向导电PIN二极管集成限幅器。根据功率要求,确定了PIN的P+、I和N+层浓度和厚度等参数,并设计了工艺实现方案和加工方法,成功研制的SiC衬底Si PIN限幅器面积为3.3 mm×3.1 mm,在3.5 GHz频率下,能够持续承受20... 详细信息

提出了一种电流垂直流动的纵向导电PIN二极管集成限幅器。根据功率要求,确定了PIN的P+、I和N+层浓度和厚度等参数,并设计了工艺实现方案和加工方法,成功研制的SiC衬底Si PIN限幅器面积为3.3 mm×3.1 mm,在3.5 GHz频率下,能够持续承受200 W连续波功率,300 W、400 W、500 W、600 W、700 W不同脉冲功率各10 min,且输出漏电平仅为10.3~13.7 dBm。受接头和电缆等功率承受能力的限制以及大功率源的缺乏,没能往更大功率进行实验。测试结果验证了电流垂直PIN异质集成的可行性和PIN二极管纵向导电构思的先进性,大幅提高了功率容量密度和功率承受能力。

关键词：垂直PIN 异质集成高功率限幅器

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

薄界面异质异构晶圆键合技术研究现状及趋势

材料导报 2024年第24期38卷 36-49页

作者：王成君杨晓东张辉周幸叶戴家赟李早阳段晋胜乔丽王广来东南大学机械工程学院南京211189 中国电子科技集团公司第二研究所太原030024 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 中国电子科技集团公司第五十五研究所南京210000 西安交通大学能源与动力工程学院西安710049 桂林电子科技大学机电工程学院广西桂林541004

半导体产业对国防安全和国民经济发展意义重大,高端半导体装备也是国外对华技术封锁的重点领域。雷达探测、5G通信等领域所用的导体器件对大功率、高频率、高响应等性能要求越来越高,目前该类器件面临界面热阻高、传输损耗大和集成度低... 详细信息

半导体产业对国防安全和国民经济发展意义重大,高端半导体装备也是国外对华技术封锁的重点领域。雷达探测、5G通信等领域所用的导体器件对大功率、高频率、高响应等性能要求越来越高,目前该类器件面临界面热阻高、传输损耗大和集成度低等技术瓶颈。开展超薄界面异质异构晶圆键合装备研发,大幅度降低键合界面热阻、提高互连密度和键合精度,是解决当前技术瓶颈、提高器件性能的重要途径。但由于核心零部件被国外垄断、设备整机技术攻关难度大,目前尚无成熟的国产异质异构晶圆键合装备,这就严重制约了我国新一代半导体器件的自主创新发展。本文梳理了超薄界面异质异构晶圆键合技术及典型工艺研究现状,并展望了超薄界面异质异构晶圆键合技术发展趋势。

关键词：晶圆键合超薄界面异质异构直接键合金刚石基氮化镓微波功率器件

垂直异质集成PIN超大功率限幅器MMIC技术

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

固体电子学研究与进展 2021年第2期41卷 F0003-F0003页

作者：彭龙新戴家赟王钊贾晨阳杨进南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

南京电子器件研究所首次提出了PIN异质集成纵向结构超大高功率限幅器构想,引入现有MMIC限幅器不具有的纵向导电结构和SiC衬底的高导热特性,把Si薄层二极管转移到SiC衬底上,极大地提高了MMIC限幅器的耐功率。根据大功率要求,确定了材料结... 详细信息

南京电子器件研究所首次提出了PIN异质集成纵向结构超大高功率限幅器构想,引入现有MMIC限幅器不具有的纵向导电结构和SiC衬底的高导热特性,把Si薄层二极管转移到SiC衬底上,极大地提高了MMIC限幅器的耐功率。根据大功率要求,确定了材料结构N^(+)、P^(+)和I层等参数,设计了工艺方案和加工方法,基于自停止减薄技术实现超薄Si基PIN管芯转移,使用Au-Au热压键合的晶圆级低温异质键合互连技术,制成了超大功率限幅器。

关键词：异质集成热压键合限幅器 PIN管晶圆级超大功率纵向结构减薄技术

社交影响下考虑消费者损失规避行为的产品众筹优化决策研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

管理工程学报 2025年第1期 125-139页

作者：王志宏王鑫戴家宏东华大学旭日工商管理学院

产品众筹是一种新兴的融资和产品营销模式。本文基于资金约束供应商、电商平台和策略型消费者所组成的供应链,在消费者损失中性和损失规避两种情形下,构建和优化考虑社交影响的产品众筹决策模型,并进一步分析消费者损失规避系数和社交... 详细信息

产品众筹是一种新兴的融资和产品营销模式。本文基于资金约束供应商、电商平台和策略型消费者所组成的供应链,在消费者损失中性和损失规避两种情形下,构建和优化考虑社交影响的产品众筹决策模型,并进一步分析消费者损失规避系数和社交影响因子等参数对供应链决策和效益的影响。研究发现:相比于消费者损失中性的情形,在消费者损失规避时,电商平台会提供较高的众筹服务水平,而供应商会提供较低的众筹价格。无论消费者是否损失规避,随着社交影响因子增大,电商平台的众筹服务水平和供应商的众筹价格均降低。本文研究成果为供应商和电商平台成功开展产品众筹提供科学指导和参考。

关键词：产品众筹损失规避社交影响众筹服务水平

同方期刊数据库

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

数字经济对乡村振兴影响的空间溢出效应研究

保山学院学报 2025年第1期 43-53页

作者：韩晨赟陈灿煌湖南理工学院经济与管理学院

基于2013-2022年我国31个省（自治区、直辖市）的数据，就数字经济对乡村振兴影响的空间溢出效应及区域异质性进行了实证分析。研究结果表明：数字经济对乡村振兴具有显著的空间溢出效应；同时，数字经济对于东中西部地区乡村振兴的影... 详细信息

基于2013-2022年我国31个省（自治区、直辖市）的数据，就数字经济对乡村振兴影响的空间溢出效应及区域异质性进行了实证分析。研究结果表明：数字经济对乡村振兴具有显著的空间溢出效应；同时，数字经济对于东中西部地区乡村振兴的影响存在区域异质性，且呈现出西部>中部>东部的特征。因此，政府在制定相关政策时应注重数字经济对乡村振兴影响的区域间差异，以充分释放数字经济的空间溢出效应，促进东中西部地区乡村振兴协调发展。

关键词：数字经济乡村振兴空间溢出效应区域异质性