检索结果-南通市图书馆

可变包含角单色器的双轴平行度误差分析和测试

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核技术 2003年第6期26卷 416-419页

作者：余小江王秋平陈锵徐彭寿中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230029

估算了可变包含角单色器的两个旋转轴之间的不平行度对波长的调整精度和分辨率的影响,以及采用平行光管测量两个旋转轴的不平行度大小和调整的方法。

关键词：变包含角单色器误差分析平行光管平行度测量

GaN(100)表面结构的第一性原理计算

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物理学报 2005年第1期54卷 317-322页

作者：李拥华徐彭寿潘海滨徐法强谢长坤中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230029

用全势缀加平面波加局域轨道 (APW +lo)的方法计算了六方GaN及其非极性 ( 10 10 )表面的原子及电子结构 .计算出的六方GaN晶体结构参数 :晶格常数和体积弹性模量与实验值符合得很好 .用平板超原胞模型来计算GaN( 10 10 )表面的原子与电... 详细信息

用全势缀加平面波加局域轨道 (APW +lo)的方法计算了六方GaN及其非极性 ( 10 10 )表面的原子及电子结构 .计算出的六方GaN晶体结构参数 :晶格常数和体积弹性模量与实验值符合得很好 .用平板超原胞模型来计算GaN( 10 10 )表面的原子与电子结构 ,结果表明表面顶层原子发生键长收缩并扭转的弛豫特性 .表面阳离子向体内移动 ,趋向于sp2 平面构形 ;而表面阴离子向体外移动 ,趋向于锥形的p3构形 .弛豫后 ,表面实现由半金属性向半导体性的转变 .并且 ,表面电荷发生大的转移 ,参与表面键的重新杂化 ,使得表面原子的离子性减弱共价性增强。

关键词：原子表面键长弛豫平面波电子结构晶格常数体内体外转移

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NSRL在半导体表面结构的光电子衍射研究

核技术 2004年第9期27卷 650-654页

作者：徐彭寿邓锐潘海斌徐法强李拥华中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230029

利用角分辨光电发射精细结构(ARPEFS)技术研究了GaAs(001)面,验证了Biegelsen提出的钙双层模型的正确性。拟合结果显示,最外层构成二聚体的两个钙原子沿[110]方向移动聚拢,偏离体材料格位8.3%。同时最外层的钙原子向内收缩2.1%。利用X... 详细信息

利用角分辨光电发射精细结构(ARPEFS)技术研究了GaAs(001)面,验证了Biegelsen提出的钙双层模型的正确性。拟合结果显示,最外层构成二聚体的两个钙原子沿[110]方向移动聚拢,偏离体材料格位8.3%。同时最外层的钙原子向内收缩2.1%。利用X射线光电子衍射(XPD)实验技术研究了硫钝化方法处理过的GaAs(001)表面结构,确定了钝化的硫原子位于第一层钙原子的桥位上。与钙原子成键的键长为3.62?、键角为61.2°。使用与能量和角度有关的光电子衍射技术并结合多重散射团簇模型计算对Al2O3衬底上生长的GaN单晶薄膜表面的极化性质进行了研究,确定了该GaN表面极性为钙在最外层的正极化性。

关键词：光电子衍射半导体表面结构 GaAs GaN

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ZnO中H导致的缺陷态的局域振动模式研究

物理学报 2006年第10期55卷 5466-5470页

作者：武煜宇邹崇文徐彭寿中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230029

利用全势缀加平面波加局域轨道(APW+lo)的方法,对ZnO中H导致的几种缺陷态进行了研究,从计算的缺陷形成能来看,缺陷态最可能占据BC∥局域结构位置.但通过缺陷态的局域振动模式(LVMs)的理论计算与红外吸收(IR)实验结果的比较,我们认为:ZnO... 详细信息

利用全势缀加平面波加局域轨道(APW+lo)的方法,对ZnO中H导致的几种缺陷态进行了研究,从计算的缺陷形成能来看,缺陷态最可能占据BC∥局域结构位置.但通过缺陷态的局域振动模式(LVMs)的理论计算与红外吸收(IR)实验结果的比较,我们认为:ZnO中H导致的缺陷态可以占据BC∥和ABo∥两种局域结构位置.

关键词： ZnO APW+lo缺陷态局域振动模式

CH_3CSNH_2钝化对铁磁金属与GaAs界面扩散的影响

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物理学报 2001年第11期50卷 2212-2216页

作者：祝传刚徐彭寿陆尔东徐法强潘海斌海军潜艇学院基础部青岛266071 中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230029

通过实验对比 ,研究了CH3CSNH2 钝化对铁磁金属与GaAs界面处As扩散行为的影响 .发现S钝化处理改变了表面As元素的化学环境 ,减弱了As元素向铁磁金属外延层中的扩散现象 ,削弱了As与铁磁金属的反应 ,形成了较窄的反应层 ,并且改善了界面... 详细信息

通过实验对比 ,研究了CH3CSNH2 钝化对铁磁金属与GaAs界面处As扩散行为的影响 .发现S钝化处理改变了表面As元素的化学环境 ,减弱了As元素向铁磁金属外延层中的扩散现象 ,削弱了As与铁磁金属的反应 ,形成了较窄的反应层 ,并且改善了界面磁性 .初步探讨了S钝化影响As扩散的原因 .

关键词：纯化半导体界面电子结构磁性 CH3CSNH2 GaAs 扩散铁磁金属

β-SiC(001)-(2×1)表面结构的第一性原理研究

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物理学报 2005年第12期54卷 5824-5829页

作者：徐彭寿李拥华潘海斌中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230029

利用缀加平面波加局域轨道(APW+LO)的第一性原理方法计算了β_SiC(001)_(2×1)表面的原子及电子结构.原子结构的计算结果表明,与Si(001)_(2×1)表面的非对称性Si二聚体模型不同,β_SiC(001)_(2×1)表面为对称性的Si二聚体模型,其二聚体... 详细信息

利用缀加平面波加局域轨道(APW+LO)的第一性原理方法计算了β_SiC(001)_(2×1)表面的原子及电子结构.原子结构的计算结果表明,与Si(001)_(2×1)表面的非对称性Si二聚体模型不同,β_SiC(001)_(2×1)表面为对称性的Si二聚体模型,其二聚体的Si原子间键长也较大,为0.269nm.电子结构的计算结果表明,在费米能级处有明显的态密度,因此β_SiC(001)_(2×1)表面呈金属性.在带隙附近存在四个表面态带,其中的两个占有表面态带已由价带的同步辐射光电子能谱实验得到证实.

关键词：碳化硅缀加平面波加局域轨道方法原子结构电子结构

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GaN(0001)表面的电子结构研究

物理学报 2002年第11期51卷 2606-2611页

作者：谢长坤徐法强邓锐徐彭寿刘凤琴 K.Yibulaxin 中国科学技术大学结构分析开放实验室合肥230026 中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230029 中国科学院高能物理研究所北京100039

报道了纤锌矿WZ(wurtzite)GaN(0 0 0 1)表面的电子结构研究 .采用全势线性缀加平面波方法计算得到了GaN分波态密度 ,与以前实验结果一致 .讨论了Ga3d对GaN电子结构的影响 .利用同步辐射角分辨光电子能谱技术研究了价带电子结构 .通过改... 详细信息

报道了纤锌矿WZ(wurtzite)GaN(0 0 0 1)表面的电子结构研究 .采用全势线性缀加平面波方法计算得到了GaN分波态密度 ,与以前实验结果一致 .讨论了Ga3d对GaN电子结构的影响 .利用同步辐射角分辨光电子能谱技术研究了价带电子结构 .通过改变光子能量的垂直出射谱勾画沿ΓA方向的体能带结构 ,与计算得到的能带结构符合得较好 .根据沿ΓK和ΓM方向的非垂直出射谱。

关键词： GaN 角分辨光电发射全势线性缀加平面波电子结构能带结构氮化镓半导体材料晶体生长

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NSRL可变包含角光栅单色器的计算机控制

核技术 2001年第7期24卷 534-540页

作者：余小江王秋平徐发强潘海斌徐彭寿中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230029

随着同步辐射光束线技术的发展，单色器的分辨率越来越高，采用的复杂机构要求极高的机械转动和直线运动精度，对光束线控制软件的性能提出了新的要求。另一方面，同步辐射实验室新建光束线的数量逐渐增多，对控制软件设计的压力增大... 详细信息

随着同步辐射光束线技术的发展，单色器的分辨率越来越高，采用的复杂机构要求极高的机械转动和直线运动精度，对光束线控制软件的性能提出了新的要求。另一方面，同步辐射实验室新建光束线的数量逐渐增多，对控制软件设计的压力增大，希望有一种可移植的、标准化的控制软件。变包含角球面光栅单色器使用分层控制技术，层之间用以太网联接。底层是硬件抽象层，直接处理与所有硬件有关的操作；上层为高级用户界面层，提供用户控制的指令，可以满足不同用户端软件的需求。同时还介绍了一种变包含角光栅单色器的数值解法。

关键词：同步辐射单色器分层技术控制软件计算机控制光束线

衬底温度对Al2O3(0001)表面外延6H-SiC薄膜的影响

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硅酸盐学报 2011年第2期39卷 306-311页

作者：刘忠良康朝阳唐军徐彭寿淮北师范大学物理与电子信息学院安徽淮北235000 中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230029

采用固源分子束外延技术,以α-Al2O3(0001)为衬底,在不同衬底温度下制备了6H-SiC薄膜。利用反射式高能电子衍射、原子力显微镜、X射线衍射对生长样品的结构和结晶质量进行了表征。结果表明:在衬底温度为1 100℃时生长的薄膜质量较好,在... 详细信息

采用固源分子束外延技术,以α-Al2O3(0001)为衬底,在不同衬底温度下制备了6H-SiC薄膜。利用反射式高能电子衍射、原子力显微镜、X射线衍射对生长样品的结构和结晶质量进行了表征。结果表明:在衬底温度为1 100℃时生长的薄膜质量较好,在较低温度(1 000℃)和较高温度(1 200℃)条件下生长的薄膜质量较差。同时发现,衬底温度为1 000℃时生长的薄膜面内存在拉应变,随着衬底温度的升高,应变转变为压应变。在衬底温度为1 100℃生长的薄膜受到的应变较小。这可能是薄膜与衬底的晶格失配和热膨胀系数差异共同作用的结果。

关键词：碳化硅薄膜蓝宝石衬底固源分子束外延