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检索条件"作者=徐叙瑢"
3015 条 记 录,以下是1-10 订阅
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徐叙瑢: 在中国发光学发展战略研讨会上的讲话
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发光学报 2014年 第10期35卷 1147-1150页
作者: 徐叙瑢 北京交通大学光电子技术研究所 发光与光信息技术教育部重点实验室
学会决定在我们这里召开战略讨论会,战略讨论会是9月19日、20日两天召开。我非常想去参加会议,但由于身体原因(眼睛看不清楚、说话多了越来越没有力气)不能参加会议,只好通过录像和大家见面。我的发言主要有两个问题,第一个问题就是这... 详细信息
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发光分会委员会名誉主任徐叙瑢、许少鸿给第11届发光学学术会议贺信:继承优良传统开创美好未来
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发光学报 2008年 第1期29卷 I0001-I0002页
作者: 徐叙瑢 许少鸿
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徐叙瑢院士题词
徐叙瑢院士题词
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第11届全国发光学学术会议
作者: 徐叙瑢
<正>~~
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ZnS型薄膜电致发光器件输运过程的解析能带模拟
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物理学报 2000年 第9期49卷 1867-1872页
作者: 赵辉 何大伟 王永生 徐叙瑢 北方交通大学光电子技术研究所 北京100044
采用解析能带模型对ZnS型薄膜电致发光器件的输运过程进行了MonteCarlo模拟 .利用分段的多项式拟合了ZnS的实际导带结构 ,计算了能态密度和散射速率 .以这些结果为基础 ,模拟了ZnS中的电子输运过程 .通过比较 ,这一模型既具有非抛物多... 详细信息
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ZnS型薄膜电致发光器件中能谷转移过程的蒙特卡罗模拟
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物理学报 1999年 第3期48卷 533-538页
作者: 赵辉 王永生 徐征 徐叙瑢 北方交通大学光电子技术研究所
计算了ZnS中电子谷间散射的速率.利用蒙特卡罗方法,研究了ZnS型薄膜电致发光器件中电子的能谷转移过程.得出了能谷转移的瞬态过程,电场对谷间分布的影响以及不同能谷中电子动能分布的特点.提出了高能谷的能量存储效应.这些... 详细信息
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高压条件下ZnS材料Mn中心与Tm中心的相互作用
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红外与毫米波学报 1991年 第1期10卷 39-43页
作者: 许武 张新夷 徐叙瑢 中国科学院长春物理研究所 吉林长春130021
系统地研究了ZnS材料在高压条件下Mn中心与Tm中心的相互作用,实验结果表明,这两种中心之间的能量传递几率随压力发生明显变化,较详细地讨论了产生这种变化的原因。
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卟啉酞菁二元分子光谱及激发态弛豫的非简并四波混频研究
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光学学报 1993年 第5期13卷 393-398页
作者: 窦恺 张继森 徐叙瑢 中国科学院长春物理研究所 长春130021
通过对卟啉酞菁二元分子TTPP-O-Pc和TTPP-O(CH_2)_5-O-Pc的发射光谱和激发光谱的系统研究,证实了(tetratolylphenyl porphyrin)TTPP到Pc的能量转移,区分了后一种材料中发射光谱的两组谱带的来源.利用非简并四波混频(NDFWM)方法研究了二... 详细信息
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CdSe/CdS核/壳型纳米晶的光谱特性
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光谱学与光谱分析 2002年 第6期22卷 908-911页
作者: 刘舒曼 徐征 H.Wageh 徐叙瑢 北方交通大学光电子技术所 信息存储显示与材料开放实验室北京100044
以巯基乙酸为稳定剂制备了CdSe CdS核 壳型纳米晶。用光吸收谱 (Abs)、光致发光谱 (PL)及光致发光激发谱 (PLE)研究了CdS壳层对CdSe纳米晶电子结构 ,从而对其吸收和发光性能的影响。根据PL和PLE的结果以及带边激子精细结构的计算结果 ... 详细信息
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我国发光学的研究现状
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物理 1989年 第9期18卷 519-524页
作者: 徐叙瑢 天津理工学院材料物理研究所
本文以国际科技发展为背景,介绍了我国发光学在物理、材料、器件及应用方面的工作.在结合实际力面(包括应用基础研究),我们虽然影响还小,但已有特点,唯独在基础研究方面逊色明显,而它却孕育着高技术.
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有机/无机复合结构光电导型器件的光激发机制
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光谱学与光谱分析 2004年 第8期24卷 918-921页
作者: 靳辉 滕枫 刘俊峰 孟宪国 徐征 侯延冰 徐叙瑢 北京交通大学光电子技术研究所
制备了PVK/ZnS有机无机复合的光电导型器件 ,器件结构分别为Glass/ITO/PVK/Al;Glass/ITO/ZnS/Al;Glass/ITO/ZnS/PVK/Al。通过研究此复合器件在外加电场作用下的稳态光电导激发谱 ,得到了基本光激发过程。把PVK/ZnS的吸收谱和器件的光电... 详细信息
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