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提高MOSFET沟道载流子迁移率的新方法

Journal of Semiconductors 1990年第11期11卷 877-880页

作者：龙伟徐元森中国科学院上海冶金研究所

用HF掺杂薄氧化物层的MOSFET和MOS电容具有优良的电学特性。在本文所研究的有效场范围内,这种器件的有效表面迁移率为一般器件的1.7-2.4倍,这表明用HF增强氧化能得到速度更快的MOS器件。

关键词： MOSFET 载流子迁移率 SiO2层

N^+型重掺杂硅快速氧化新方法──氟化氢增强氧化之二

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Journal of Semiconductors 1990年第9期11卷 698-705页

作者：徐强徐元森龙伟中国科学院上海冶金所

本文对重掺杂单晶硅和多晶硅薄膜的加HF增强氧化的行为进行了研究。氧气中HF含量为480ppm,温度为750至900℃。发现重掺磷或砷的硅的氧化反应速率很快,速率常数比轻掺杂硅的干氧氧化提高了几十倍至几百倍。而重掺硼的硅单晶对氧化速率并... 详细信息

本文对重掺杂单晶硅和多晶硅薄膜的加HF增强氧化的行为进行了研究。氧气中HF含量为480ppm,温度为750至900℃。发现重掺磷或砷的硅的氧化反应速率很快,速率常数比轻掺杂硅的干氧氧化提高了几十倍至几百倍。而重掺硼的硅单晶对氧化速率并无明显影响。文中对重掺杂元素和HF增强硅氧化的机理作了分析,并提出了一个物理模型,可以较好地解释实验现象。

关键词：重掺杂硅氧化氟化氢

用CMOS工艺实现非接触式 IC卡天线的集成化设计(英文)

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Journal of Semiconductors 2003年第5期24卷 466-471页

作者：倪昊徐元森中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

论述了用 CMOS工艺实现非接触式 IC卡天线的集成化需要考虑的各个方面 ,建立了集成天线的模型 ,给出了合理的设计方案 ,并通过实验验证了模型和设计方案 .实验结果表明 ,采用片上天线完全可以提供非接触式 IC卡工作所需要的能量 .在频率... 详细信息

论述了用 CMOS工艺实现非接触式 IC卡天线的集成化需要考虑的各个方面 ,建立了集成天线的模型 ,给出了合理的设计方案 ,并通过实验验证了模型和设计方案 .实验结果表明 ,采用片上天线完全可以提供非接触式 IC卡工作所需要的能量 .在频率为 2 2 .5 MHz、感应强度为 6× 10 - 4 T的磁场中 ,面积为 2 m m× 2 mm的集成天线可以为 10 kΩ的负载提供 1.2 2 5 m W的能量 .

关键词： CMOS工艺非接触式IC卡天线集成化片上天线

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河南省健身俱乐部教练员流失的因素分析

体育文化导刊 2014年第9期 41-43页

作者：赵永祥徐元森武汉理工大学体育部武汉430070

运用问卷调查法等对影响河南省健身俱乐部教练员流失的因素进行因子分析。主要结论:河南省健身教练员工薪水平不高,大多数未经过专业培训,来源主要以学生兼职为主;影响健身俱乐部教练员流失的因子可归纳为技能工薪因子、个人因子、管理... 详细信息

运用问卷调查法等对影响河南省健身俱乐部教练员流失的因素进行因子分析。主要结论:河南省健身教练员工薪水平不高,大多数未经过专业培训,来源主要以学生兼职为主;影响健身俱乐部教练员流失的因子可归纳为技能工薪因子、个人因子、管理及人文因子、社会环境因子,其中最主要的是教练员的技能工薪因子。

关键词：群众体育健身俱乐部教练员河南

深能级对AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管性能的影响

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物理学报 1999年第3期48卷 556-560页

作者：张兴宏胡雨生吴杰程知群夏冠群徐元森陈张海桂永胜褚君浩中国科学院上海冶金研究所中国科学院红外物理国家重点实验室

用深能级瞬态光谱和光致发光（ＰＬ）方法研究了ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）发射区ＡｌＧａＩｎＰ中的深能级．得到了两个深能级，分别为Ｅｃ－Ｅｔ１＝０４２ｅＶ和Ｅｃ－Ｅｔ２＝０５９ｅＶ，其复合截面... 详细信息

用深能级瞬态光谱和光致发光（ＰＬ）方法研究了ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）发射区ＡｌＧａＩｎＰ中的深能级．得到了两个深能级，分别为Ｅｃ－Ｅｔ１＝０４２ｅＶ和Ｅｃ－Ｅｔ２＝０５９ｅＶ，其复合截面为σｎ１＝６２７×１０－１７ｃｍ２和σｎ２＝６４９×１０－２０ｃｍ２．这两个深能级分别与硅杂质和氧杂质相联系．从不同激发功率与ＰＬ峰强度的关系，说明在ＡｌＧａＩｎＰ中存在深能级非复合中心．ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓＨＢＴ发射区ＡｌＧａＩｎＰ中深能级的存在使器件的电流增益减小．

关键词：砷化镓铝镓铟磷深能级异质结晶体管

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冶金熔体热力学的若干研究

金属学报 1982年第2期18卷 127-140页

作者：邹元燨周继程徐元森赵彭年张子青中国科学院金属研究所中国科学院上海冶金研究所

为了从二元系中两组元活度的测定值之比求得该两组元的活度值,导出了一个变通的 Gibbs-Duhem 方程式,并在 PbCl-SnCl,PbCl-CdCl,AgCl-CuCl,CuS-FeS,PbO-BiO,PbO-SbO,CaO-CaF及 CaO-SiO-CaF等冶金熔体中得到应用.多年前所发展的从 Ag 和 ... 详细信息

为了从二元系中两组元活度的测定值之比求得该两组元的活度值,导出了一个变通的 Gibbs-Duhem 方程式,并在 PbCl-SnCl,PbCl-CdCl,AgCl-CuCl,CuS-FeS,PbO-BiO,PbO-SbO,CaO-CaF及 CaO-SiO-CaF等冶金熔体中得到应用.多年前所发展的从 Ag 和 Pb 二元相图求得两组元活度的方法已扩大到含有单个 AB 化合物的二元系.用这一方法已求得 In-Sb 和 Sn-Te 系中各组元的活度.在研究某些黑色冶金渣与金属间的平衡时,用一适当选择的非铁金属代替 Fe作为熔剂金属有助于克服某些实验上的困难.采用 Sn 或 Cu 与熔渣平衡研究了 CaO-SiO,CaO-AlO和 CaO-SiO-AlO体系.对 CaO-SiO二元系获得的数据可以认为具有足够的准确度来验证 Masson 模型的合理性.

关键词：活度系数热力学性质冶金熔体冶金熔渣平衡常数 CaO 方程式方程组元活度二元系 PbO FeS 铁金属生成自由能热力学

微通道电泳芯片系统中信号识别算法的设计与实现

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同方期刊数据库

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功能材料与器件学报 2002年第4期8卷 365-368,372页

作者：李铁金庆辉陈继锋赵建龙徐元森中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

介绍适用于微通道电泳芯片系统的DNA测序软件的总体流程,以及其中的信号处理与识别算法。以激光诱导荧光检测系统所采集到的原始数据为源信号,以小波平滑和小波去噪为理论基础,将滤波算法和峰值识别算法综合在一起进行设计,从而使其适... 详细信息

介绍适用于微通道电泳芯片系统的DNA测序软件的总体流程,以及其中的信号处理与识别算法。以激光诱导荧光检测系统所采集到的原始数据为源信号,以小波平滑和小波去噪为理论基础,将滤波算法和峰值识别算法综合在一起进行设计,从而使其适用于检测速度更快、样品量更少的微通道电泳芯片系统。将本算法应用于DNA片段的分离实验中,可以有效地达到滤波以及信号识别的目的。

关键词：微通道电泳芯片系统 DNA测序小波分析滤波算法信号识别

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毛细管电泳与电泳芯片检测方法的研究

化学世界 2002年第2期43卷 94-97页

作者：陈继锋金庆辉赵建龙徐元森中国科学院上海冶金研究所上海200050

毛细管电泳与电泳芯片是新兴的分离分析方法。

关键词：毛细管电泳电泳芯片检测方法

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非接触式IC卡天线的CMOS集成化设计

功能材料与器件学报 2003年第2期9卷 195-200页

作者：倪昊徐元森中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

用CMOS工艺实现了非接触式IC卡天线的集成化所需要考虑的多个方面,建立了集成天线的模型,导出了合理的设计方案,并通过实验验证了模型和设计方案。实验结果表明,采用片上天线完全可以提供非接触式IC卡工作所需要的能量。在频率为22.5MH... 详细信息

用CMOS工艺实现了非接触式IC卡天线的集成化所需要考虑的多个方面,建立了集成天线的模型,导出了合理的设计方案,并通过实验验证了模型和设计方案。实验结果表明,采用片上天线完全可以提供非接触式IC卡工作所需要的能量。在频率为22.5MHz、感应强度为6Gs的磁场中,面积为2mm×2mm的集成天线可以为10kΩ的负载提供1.225mW的能量。

关键词：集成天线非接触式IC卡 CMOS 设计