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InGaP光学微盘的显微荧光图像观测及分析

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发光学报 1999年第1期20卷 43-46页

作者：辛永春章蓓徐万劲北京大学物理系人工微结构和介观物理国家重点实验室

利用一套ＣＣＤ显微荧光图像观测和采集分析系统，分别在室温和液氮温度下对半径为５μｍ发射波长０．６５μｍ的ＩｎＧａＰ半导体光学微盘的荧光图像进行了观测．在绿光激发下，观测到沿ＩｎＧａＰ微盘边缘内侧有一明亮的红色荧光光环... 详细信息

利用一套ＣＣＤ显微荧光图像观测和采集分析系统，分别在室温和液氮温度下对半径为５μｍ发射波长０．６５μｍ的ＩｎＧａＰ半导体光学微盘的荧光图像进行了观测．在绿光激发下，观测到沿ＩｎＧａＰ微盘边缘内侧有一明亮的红色荧光光环和某些特征。

关键词：光学微腔光学微盘铟镓磷荧光图像

在InGaAsP/InP双异质结构中的光弹效应及其对侧向光的限制作用

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Journal of Semiconductors 2001年第7期22卷 846-852页

作者：邢启江徐万劲武作兵北京大学物理系北京100871 中国科学院力学研究所北京100080

从理论上计算了厚度为 110 nm的 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条在 In Ga As P/ In P双异质结构中形成的应力场分布 ,及由应力场分布引起的折射率变化 .在 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条下半导体中 0 .2— 2μm深度范围内 ,由应变引... 详细信息

从理论上计算了厚度为 110 nm的 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条在 In Ga As P/ In P双异质结构中形成的应力场分布 ,及由应力场分布引起的折射率变化 .在 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条下半导体中 0 .2— 2μm深度范围内 ,由应变引起条形波导轴中央的介电常数 ε相应增加 2 .3× 10 - 1— 2 .2× 10 - 2 (2 μm应变条宽 )和 1.2× 10 - 1— 4.1× 10 - 2(4μm应变条宽 ) .同时 ,测量了由 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条所形成的 In Ga As P/ In P双异质结光弹效应波导结构导波的近场光模分布 .从理论计算和实验结果两方面证实了 In Ga As P/ In

关键词：侧向光光弹效应 InGaAsP/InP双异质结构半导体材料

Ag纳米颗粒对富Ag二氧化硅薄膜电致发光谱的影响

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光谱学与光谱分析 2011年第9期31卷 2324-2327页

作者：冉广照文杰尤力平徐万劲人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学物理学院北京100871

利用磁控溅射和热退火在硅衬底上制备了Ag纳米颗粒镶嵌的氧化硅薄膜(SiO2∶Ag),制作了电致发光结构ITO/SiO2∶Ag/p-Si,观测到了可见区的电致发光。发现薄膜中的Ag纳米颗粒不仅成倍地提高器件的发光强度,还明显地移动电致发光的峰位。Ag... 详细信息

利用磁控溅射和热退火在硅衬底上制备了Ag纳米颗粒镶嵌的氧化硅薄膜(SiO2∶Ag),制作了电致发光结构ITO/SiO2∶Ag/p-Si,观测到了可见区的电致发光。发现薄膜中的Ag纳米颗粒不仅成倍地提高器件的发光强度,还明显地移动电致发光的峰位。Ag含量越高,颗粒越大,发光峰位越红移。氧化硅中的发光中心与纳米Ag间的电磁相互作用,可用来定性解释这一实验结果。这种效应可把低效发光的材料转换为相对高效的发光材料。

关键词：电致发光 Ag纳米颗粒局域表面等离激元

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双芯光纤光分插复用器的理论分析和设计

光电子．激光 2001年第11期12卷 1099-1103页

作者：孙锴安宏林徐万劲崔晓明林祥芝刘弘度北京大学物理系北京100871

本文介绍了双芯光纤光分插复用器的工作原理、结构和功能 ,并利用耦合模理论分析了器件的工作特性 ,讨论了各部分参数对上 /下路特性的影响。结果表明 ,为同时实现上路和下路功能。

关键词：光纤光栅双芯光纤光分插复用器

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腐蚀法研究掺Er熔融石英玻璃的真空热极化

光电子．激光 2002年第10期13卷 1018-1021页

作者：王爱民徐万劲夏宗炬崔晓明刘弘度北京大学物理学院北京100871

掺 Er熔融石英片经过真空热极化后 ,利用 4 0 %的 HF腐蚀其沿极化电场方向的剖面 ,通过原子力显微镜 (AFM)观测到剖面阳极边极化区内出现了峰 -谷 -峰形式的形貌变化 ,研究表明其原因是正负带电离子层的不同腐蚀速度 ,从而得出极化区内... 详细信息

掺 Er熔融石英片经过真空热极化后 ,利用 4 0 %的 HF腐蚀其沿极化电场方向的剖面 ,通过原子力显微镜 (AFM)观测到剖面阳极边极化区内出现了峰 -谷 -峰形式的形貌变化 ,研究表明其原因是正负带电离子层的不同腐蚀速度 ,从而得出极化区内离子层分布为负 -正 -负的形式 ,与多载流子模型对真空热极化的解释相一致 ;根据离子层的分布 ,采用双高斯模型模拟出极化区内电场分布 ,并得到与实验结果相当吻合的理论 Maker条纹。

关键词：腐蚀法掺Er 石英玻璃真空热极化掺饵极化区离子层分布二次谐波信号

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由WNi金属薄膜形成光弹波导结构的研究

量子电子学报 2000年第5期17卷 441-442页

作者：邢启江徐万劲北京大学物理系北京100871

平面型光电子器件具有易集成的特点,所以它一直是人们感兴趣的研究课题.光弹效应光电子器件是一种适合光电子集成的新颖平面型器件结构.自70年代中期,人们就开始研制平面型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的光弹效应波导器件.然而由于不易控制... 详细信息

平面型光电子器件具有易集成的特点,所以它一直是人们感兴趣的研究课题.光弹效应光电子器件是一种适合光电子集成的新颖平面型器件结构.自70年代中期,人们就开始研制平面型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的光弹效应波导器件.然而由于不易控制引入半导体内的应力场分布,尤其是引入应力场分布的热稳定性差,因而这种平面型波导器件的制作技术没有得到广泛地使用.最近发现利用金属与半导体间的界面反应,或者样品在直流负偏压作用下射频溅射倔强系数大的金属薄膜于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体表面,使金属薄膜下的半导体内形成稳定的应力场分布.本文从理论上详细地研究了不同宽度WNi薄膜应变条在InGaAsP/InP双异质结构中形成的应力场分布及光弹波导结构的形成.同时从实验上证实了WNi薄膜形成的光弹波导结构对InGaAsP/InP双异质结构侧向光具有良好的限制作用.

关键词： WNi 光弹波导结构金属薄膜

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Ni增强Er在富硅氮化硅薄膜中的光致发光

北京大学学报（自然科学版） 2010年第1期46卷 12-16页

作者：孙凯徐万劲冉广照北京大学物理学院介观物理国家重点实验室北京100871

采用反应磁控溅射技术沉积了掺Er的富硅氮化硅(SRN:Er)薄膜和SRN:Er/Ni3个周期的超晶格,两种薄膜都在1100℃进行退火实验。SRN:Er薄膜的光致发光谱为一个峰位在665～750nm的发光带和一个峰位在1.54μm的发光带,前者来源于SRN薄膜中的纳... 详细信息

采用反应磁控溅射技术沉积了掺Er的富硅氮化硅(SRN:Er)薄膜和SRN:Er/Ni3个周期的超晶格,两种薄膜都在1100℃进行退火实验。SRN:Er薄膜的光致发光谱为一个峰位在665～750nm的发光带和一个峰位在1.54μm的发光带,前者来源于SRN薄膜中的纳米硅,后者为Er3+的特征发射。SRN:Er/Ni超晶格的光致发光谱上出现Er3+在520,550和850nm附近的精细结构,并且Er3+在1.54μm的发光有12倍的增强。光谱精细结构的出现证明Er3+的微观环境由于掺Ni而变得有序。与在SRN中相比,在这种有序环境中Er3+的光学活性有明显的增强。拉曼散射光谱测量证明在SRN:Er/Ni超晶格中纳米硅的数目比在SRN:Er薄膜中有一定的增加。因而,Er3+1.54μm发光12倍的增强是Er3+本身光学活性的增强和纳米硅数目的增加共同作用的结果。

关键词：富硅氮化硅 Er Ni 光致发光

常压/低压一体化CVD生长系统的设计与应用

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实验室研究与探索 2023年第4期42卷 1-4,20页

作者：李艳平徐万劲北京大学物理学院北京100871

为了实现半导体纳米材料的高效安全制备,结合不同材料的生长要求,设计并搭建了一套常压/低压一体化CVD生长系统。该生长系统主要由管式生长炉、配气单元和尾气回收处理单元三部分构成。系统配置单温区、双温区和三温区管式炉,采用机械泵... 详细信息

为了实现半导体纳米材料的高效安全制备,结合不同材料的生长要求,设计并搭建了一套常压/低压一体化CVD生长系统。该生长系统主要由管式生长炉、配气单元和尾气回收处理单元三部分构成。系统配置单温区、双温区和三温区管式炉,采用机械泵/分子泵与高精度真空计准确调控管内压强,可实现不同压强条件下多种半导体纳米材料的高效制备;安装了可燃气体自动探测、报警、断气一体化装置,增加了阻火防燃、泄气防爆等装置,可有效提高系统的安全性。该生长系统具有操作简单、功能多样、安全可靠等优点,应用此系统已成功生长出二十余种高质量的新型半导体纳米材料,取得了一系列重要学术成果。

关键词：半导体纳米材料化学气相沉积管式生长炉二维材料

五元系组分空间的几何表示以及晶格常数与能带和互溶隙的计算

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Journal of Semiconductors 1998年第10期19卷 729-735页

作者：徐自亮徐万劲李力杨澄清刘弘度北京大学物理系及国家介观物理重点实验室

本文将五元系分为两大类；并提出用三维空间中的立体图形展示五元系化合物的组分分布；提出了五元系化合物的晶格常数和禁带宽度以及互溶隙范围的计算公式，并在此基础上计算了与ＧａＡｓ衬底晶格匹配的ＡｌＧａＩｎＰＡｓ的等禁带宽度... 详细信息

本文将五元系分为两大类；并提出用三维空间中的立体图形展示五元系化合物的组分分布；提出了五元系化合物的晶格常数和禁带宽度以及互溶隙范围的计算公式，并在此基础上计算了与ＧａＡｓ衬底晶格匹配的ＡｌＧａＩｎＰＡｓ的等禁带宽度曲线和互溶隙的范围．

关键词： Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体五元系组分空间晶格常数