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AZ31表面电弧喷涂Al-FeAl复合涂层的研究

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热加工工艺 2013年第18期42卷 112-114,118页

作者：彭怡刚吴玉锋北京工业大学材料科学与工程学院北京100124 北京工业大学循环经济研究院北京100124

采用电弧喷涂技术,以纯Al层为喷涂打底层,在AZ31镁合金表面沉积了Al-FeAl复合涂层。采用光学显微镜、SEM、XRD、EDS等方法探测了复合涂层的截面形貌,分析了复合涂层的界面行为。对复合涂层进行了磨粒磨损试验和电化学腐蚀试验。结果表明... 详细信息

采用电弧喷涂技术,以纯Al层为喷涂打底层,在AZ31镁合金表面沉积了Al-FeAl复合涂层。采用光学显微镜、SEM、XRD、EDS等方法探测了复合涂层的截面形貌,分析了复合涂层的界面行为。对复合涂层进行了磨粒磨损试验和电化学腐蚀试验。结果表明:电弧喷涂Al-FeAl复合涂层与基体结合良好。FeAl层显微硬度约为AZ31基体的4倍,喷涂Al-FeAl复合涂层试样的耐磨粒磨损性能约为AZ31基体的3倍,复合涂层试样的自腐蚀电位比AZ31基体高305 mV,自腐蚀电流密度相比AZ31基体降低了一个数量级,能提高AZ31基体的耐蚀性能。

关键词：电弧喷涂 FeAl涂层电化学腐蚀

强流氘氚中子源用TiD_(2)靶膜制备技术研究

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原子能科学技术 2022年第S1期56卷 265-271页

作者：梁斌斌巴伟伟王子默彭怡刚高翔刘超原子高科股份有限公司北京102413

基片镀膜是氘/氚靶制备过程的重要工序,靶膜的性能直接影响充氘及中子实验。本文对去除表面污渍和氧化层后的基片采用磁控溅射进行镀膜,研制性能优良的强流氘氚中子源用靶膜。采用扫描电镜观察膜层表面外观形貌,根据称重法用电子天秤测... 详细信息

基片镀膜是氘/氚靶制备过程的重要工序,靶膜的性能直接影响充氘及中子实验。本文对去除表面污渍和氧化层后的基片采用磁控溅射进行镀膜,研制性能优良的强流氘氚中子源用靶膜。采用扫描电镜观察膜层表面外观形貌,根据称重法用电子天秤测量理论膜厚,使用划痕仪分析膜层结合力,并通过电子探针分析膜层的杂质元素含量来表征靶膜的性能。结果表明,磁控溅射镀膜后膜层颗粒度细小、分布均匀,同时膜层表面杂质小于6.0%。镀膜后基片的活化充氘实验表明,氘/钛(原子比)最高可达1.98,满足中子产额实验要求,可进行后续中子实验。

关键词：氘/氚中子源靶膜 TiD_(2) 磁控溅射镀膜

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大面积氘/氚靶制备及中子产额分析

核化学与放射化学 2024年第2期46卷 137-142,I0005页

作者：梁斌斌巴伟伟王子默彭怡刚高翔原子高科股份有限公司北京102413

大面积氘/氚靶是实现高产额强流中子源的关键部件,是氘、氚中子源广泛应用的前提条件。本工作采用磁控溅射镀膜与多弧离子镀结合的方式,制备以铜或钼为基底、直径大于500 mm的大面积钛膜。针对制备的钛膜,采用自研的氘/氚靶生产系统,经... 详细信息

大面积氘/氚靶是实现高产额强流中子源的关键部件,是氘、氚中子源广泛应用的前提条件。本工作采用磁控溅射镀膜与多弧离子镀结合的方式,制备以铜或钼为基底、直径大于500 mm的大面积钛膜。针对制备的钛膜,采用自研的氘/氚靶生产系统,经过除气、净化、高温吸氘/氚、尾气回收等流程,生产了氘/氚钛原子比大于1.85的氘靶、氚靶,采用φ22 mm的小靶片,进行氘束流加速器中子产额测试,研制的氘靶中子产额达到8.0×10^(8)/s,根据氘靶与氚靶反应截面计算氚靶中子产额,相同条件下,氚靶的中子产额在1.0×10^(11)/s以上。以上测试结果表明,本工作研制的φ500 mm大面积氘/氚靶,可实现强流中子源的高产额中子输出,达到国际先进水平。

关键词：氘靶氚靶中子源中子发生器

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85Kr测厚源在锂电池极片面密度测量的应用研究

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同位素 2024年

作者：白云飞梁斌斌彭怡刚葛铮开封市测控技术有限公司原子高科股份有限公司

为满足85Kr测厚源在新能源锂电行业的应用，对测厚源在锂电池极片面密度测量方面开展应用研究。比较分析不同规格的85Kr测厚源的源窗材料、源窗厚度、活性区尺寸以及活度大小对β射线输出量的影响，完成在锂电池极片实际生产过程中，85K... 详细信息

为满足85Kr测厚源在新能源锂电行业的应用，对测厚源在锂电池极片面密度测量方面开展应用研究。比较分析不同规格的85Kr测厚源的源窗材料、源窗厚度、活性区尺寸以及活度大小对β射线输出量的影响，完成在锂电池极片实际生产过程中，85Kr测厚源β射线吸收值的定量标定、温度补偿标定、极片位置补偿标定以及源活度衰减补偿标定，获得极片面密度与β射线吸收值关系曲线，以及极片面密度与温度、极片位置及源活度衰减关系。结果表明，厚度25μm钛窗，活性区底面积大且高度低，装载活度18.5 GBq的85Kr测厚源具有较大的β射线输出量，重复测量精度0.02%;β射线透射极片后的衰减吸收值与极片面密度的定量线性相关度达0.999；经监控测量间隙的空气温度，可补偿空气密度变化对β射线吸收的影响；极片距离探测器的位置变化与测量面密度呈线性关系，通过测量位置变化实现对测量值的补偿；至少每5 d修正一次空气零点I0，以补偿85Kr测厚源活度衰减引起的测量系统偏差。85Kr测厚源的使用效果能够满足锂电池超级智能制造产线的实际应用需求。

关键词： Kr测厚源面密度锂电池

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^(85)Kr测厚源制备及焊接性能分析

同位素 2022年第6期35卷 519-524,I0004页

作者：梁斌斌彭怡刚王子默巴伟伟高翔刘超原子高科股份有限公司北京102413

为保证^(85)Kr测厚源的密封质量,通过^(85)Kr测厚源结构设计、焊接工艺参数优化,制备合格的^(85)Kr测厚源。铜管与壳体的连接采用真空钎焊工艺,钎焊温度约900℃,时间约30 min;源窗与壳体的连接采用电子束焊工艺,焊接电流7 mA,焊接转速13... 详细信息

为保证^(85)Kr测厚源的密封质量,通过^(85)Kr测厚源结构设计、焊接工艺参数优化,制备合格的^(85)Kr测厚源。铜管与壳体的连接采用真空钎焊工艺,钎焊温度约900℃,时间约30 min;源窗与壳体的连接采用电子束焊工艺,焊接电流7 mA,焊接转速13 mm/s;源后盖与壳体的连接采用激光焊工艺,焊接功率180~185 W,焊接速度2 mm/s。测厚源检验结果表明,所制备的^(85)Kr测厚源,氦质谱检漏结果小于1.0×10^(-9)Pa·m^(3)·s^(-1),放射性气体检验不超过4 kBq/24 h,符合GB/T 15849—1995中“其他射气检验方法”要求。金相实验结果表明,采用优化参数试样的焊缝中未发现明显的裂纹、未焊透、未熔合等缺陷,最大焊接熔深约0.73 mm。

关键词：测厚源 ^(85)Kr 密封技术焊接

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^(85)Kr测厚源的输出性能研究

同位素 2021年第2期34卷 127-132页

作者：彭怡刚梁斌斌王子默巴伟伟刘超高翔原子高科股份有限公司北京102413

为指导85 Kr测厚源的制备,采用两种材质、两种活性区、两种丰度的85 Kr原料气制备一批同等活度(7.4 GBq)的测厚源,采用自行研制的85 Kr源β输出电压装置对制备的测厚源输出电压进行测量。结果表明,采用钛材质、小活性区、20%丰度原料的... 详细信息

为指导85 Kr测厚源的制备,采用两种材质、两种活性区、两种丰度的85 Kr原料气制备一批同等活度(7.4 GBq)的测厚源,采用自行研制的85 Kr源β输出电压装置对制备的测厚源输出电压进行测量。结果表明,采用钛材质、小活性区、20%丰度原料的测厚源输出电压更高。钛材质的源窗、小活性区的源壳、高丰度的原料对β射线的吸收更少,因此在制备某种活度的85 Kr测厚源时,为提高射线输出,应优先采用钛材质、小活性区、高丰度的原料。

关键词：不锈钢钛原料气活性区输出性能

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电弧喷涂过程中的飞行粒子及其氧化问题

热喷涂技术 2014年第1期6卷 16-23页

作者：彭怡刚贺定勇周正张发云王曾洁蒋建敏北京工业大学材料科学与工程学院北京100124 环保部核与辐射安全中心北京100088

简述了电弧喷涂过程中粒子的形成、电弧喷涂参数对粒子性质的影响,探讨了粒子的氧化问题和控制方法。

关键词：电弧喷涂氧化控制氧化

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彭怡平艺术笔记

基于步态分析技术的三向单足落步荷载曲线试验建模

2014年

作者：彭怡平

来源：南通市图书馆图书评论

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土木工程学报 2014年第3期47卷 79-87页

作者：陈隽彭怡欣王玲同济大学上海200092 香港理工大学

对单人步行荷载模型进行试验建模研究。采用三维动作捕捉技术结合三向(竖向、水平前进和水平横向)测力板,分两阶段开展100人次慢速、正常和快速3种自由行走以及1.5Hz、1.75Hz、2.0Hz及2.25Hz 4种固定行走频率工况的单人行走荷载试验。... 详细信息

对单人步行荷载模型进行试验建模研究。采用三维动作捕捉技术结合三向(竖向、水平前进和水平横向)测力板,分两阶段开展100人次慢速、正常和快速3种自由行走以及1.5Hz、1.75Hz、2.0Hz及2.25Hz 4种固定行走频率工况的单人行走荷载试验。对试验所获得的2576组有效单足落步曲线进行统计分析,给出步频、步速、步长、双支撑比例以及荷载峰值比等控制参数的变化范围和分布规律,得到荷载峰值因子、单步时程持续时间与行走步频的统计函数关系。试验所得平均步长值较文献中常用值小。基于试验数据建立三向单足落步曲线的傅立叶级数模型,并给出由行走步频确定模型各阶动载因子以及相位角的取值方法。该荷载模型可用于人行桥、大跨度楼盖等工程结构在步行激励作用下的结构振动舒适度设计与分析。

关键词：行走激励动作捕捉技术动载因子傅立叶级数模型单足落步曲线