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用GaAs张应变层控制InP衬底上InAs三维岛的有序排列

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Journal of Semiconductors 1998年第3期19卷 226-228页

作者：王本忠赵方海彭宇恒刘式墉集成光电子学国家重点实验室吉林大学分区吉林大学电子工程系

提出了一种用张应变层控制自组装量子点有序排列的方法，通过低压ＭＯＣＶＤ技术在ＩｎＰ衬底上利用ＧａＡｓ张应变层的控制作用成功地制备出正交网格化有序排列的ＩｎＡｓ岛状结构．

关键词：砷化铟磷化铟 MOCVD 砷化镓

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三种材料构成的超晶格能带结构研究

固体电子学研究与进展 1995年第2期15卷 105-109页

作者：陈维友刘式墉彭宇恒吉林大学电子工程系

对由ＧａＡｓ，Ａｌ０．２１Ｇａ０．７９Ａｓ及ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ（ｘ由０．０～０．２１之间变化）三种材料构成的超晶格能带结构进行了研究。结果发现：如果超晶格单胞对其中点不具有对称性，对应自旋向上和向下的能带，此时发生... 详细信息

对由ＧａＡｓ，Ａｌ０．２１Ｇａ０．７９Ａｓ及ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ（ｘ由０．０～０．２１之间变化）三种材料构成的超晶格能带结构进行了研究。结果发现：如果超晶格单胞对其中点不具有对称性，对应自旋向上和向下的能带，此时发生了劈裂．并且由于材料不对称分布引起的劈裂比由于几何尺寸不对称引起的劈裂大。劈裂主要发生在重、轻空穴带相互作用较大的地方。

关键词：能带结构超晶格能带劈裂

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低阈值量子结构激光器的优化结构设计

中国激光 1999年第6期26卷 485-488页

作者：彭宇恒高强李军王本忠陈维友刘式墉集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林大学电子工程系

针对低阈值半导体量子结构激光器（简称量子结构激光器），包括量子阱、量子线和量子点结构，给出了一个完整简便的方法用以优化设计最低阈值条件所需要的有源区结构。以对数形式给出了量子结构激光器材料增益和注入载流子浓度的关系，... 详细信息

针对低阈值半导体量子结构激光器（简称量子结构激光器），包括量子阱、量子线和量子点结构，给出了一个完整简便的方法用以优化设计最低阈值条件所需要的有源区结构。以对数形式给出了量子结构激光器材料增益和注入载流子浓度的关系，并且以ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／ＩｎＰ量子阱激光器和ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ自组装量子点结构激光器为例，分别计算了为得到最低阈值电流所需要的量子阱阱数和自组装量子点的面密度以及激光器的腔长。

关键词：量子结构激光器自组装量子点结构设计激光器

InGaAs/InP分别限制量子阱激光器的阱数优化设计和实验制备

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半导体光电 1998年第2期19卷 107-110,115页

作者：陈松岩刘宝林黄美纯彭宇恒刘式墉厦门大学厦门361005 集成光电子学国家联合重点实验室吉林大学实验区

根据对InGaAsP－InP分别限制量子阱激光器结构的注入效率的分析和利用X射线衍射对InGaAsP－InP20个周期的多量子阱结构异质界面的研究，设计、制备了4个阱的InGaAsP－InP分别限制量子阱激光器结构。利用质子轰击制得条形激光器。阈值电... 详细信息

根据对InGaAsP－InP分别限制量子阱激光器结构的注入效率的分析和利用X射线衍射对InGaAsP－InP20个周期的多量子阱结构异质界面的研究，设计、制备了4个阱的InGaAsP－InP分别限制量子阱激光器结构。利用质子轰击制得条形激光器。阈值电流为100mA，直流室温连续工作。单面输出外微分量子效率为36％。

关键词：多量子阱激光器载流子注入效率激光器结构

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四种材料超晶格的价带自旋劈裂的研究

发光学报 1997年第1期18卷 90-93页

作者：田园陈维友彭宇恒张宝林中国科学院长春物理研究所吉林大学电子工程系

四种材料超晶格的价带自旋劈裂的研究田园ａ）陈维友ｂ）彭宇恒ｂ）张宝林ａ）ａ）（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）ｂ）（吉林大学电子工程系，长春１３００２３）关键词能带结构，超晶格，自旋劈裂自从Ｅｓａｋｉ和Ｔ... 详细信息

四种材料超晶格的价带自旋劈裂的研究田园ａ）陈维友ｂ）彭宇恒ｂ）张宝林ａ）ａ）（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）ｂ）（吉林大学电子工程系，长春１３００２３）关键词能带结构，超晶格，自旋劈裂自从Ｅｓａｋｉ和Ｔａｕ［１］发现量子阱和超晶格以来，...

关键词：能带结构超晶格自旋劈裂半导体

用变分法计算超晶格材料能带过程的一种新的包络函数构造方法

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高技术通讯 1995年第6期5卷 32-36页

作者：陈维友刘式墉彭宇恒吉林大学电子工程系集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区

在以往用变分法计算超晶格材料能带结构的工作基础上，提出一种新的包络函数构造方法，该方法具有通用性，可方便地用于多种材料构成的任意结构的超晶格，可使复杂的数值运算过程得以简化，尤其对由多种材料构成的超晶格更为明显。与已... 详细信息

在以往用变分法计算超晶格材料能带结构的工作基础上，提出一种新的包络函数构造方法，该方法具有通用性，可方便地用于多种材料构成的任意结构的超晶格，可使复杂的数值运算过程得以简化，尤其对由多种材料构成的超晶格更为明显。与已报道的理论计算结果的比较表明：对于Ｌｕｔｔｉｎｇｅｒ参数及Ｋａｎｅ矩阵元相同的材料体系结果完全一致；对于不同的体系，也符合得很好。

关键词：超晶格计算变分法包络函数

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集成光波导器件的计算机辅助设计软件的开发

高技术通讯 1997年第8期7卷 26-29页

作者：彭宇恒王玮陈维友刘式墉吉林大学电子工程系长春130023 吉林工学院CAD中心

报导了最新开发的集成光波导器件的计算机辅助设计软件─—IOCAD2，它是一个采用复折射率矢量束传播分析方法的三维模拟分析软件。本文介绍了它的功能、特点、使用方法以及适用条件，并且以SLD直条形波导吸收区为例进行了模拟，得到了... 详细信息

报导了最新开发的集成光波导器件的计算机辅助设计软件─—IOCAD2，它是一个采用复折射率矢量束传播分析方法的三维模拟分析软件。本文介绍了它的功能、特点、使用方法以及适用条件，并且以SLD直条形波导吸收区为例进行了模拟，得到了很好的模拟结果。

关键词： BPM CAD 光波导集成光学

应变量子阱激光器阱宽与组分的确定和增益特性的理论研究

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光子学报 1995年第6期24卷 568-574页

作者：彭宇恒陈维友赵铁民刘式墉吉林大学电子工程系集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区

本文根据一维势阱和应变效应的简单理论，给出一种既简单又较准确的确定量子阱的组分和阱宽的方法。并且，针对较为常用的波长为１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ材料以及最新兴起的ＩｎＡｓＰ／Ｉｎ材料应变量子阱激光器，利... 详细信息

本文根据一维势阱和应变效应的简单理论，给出一种既简单又较准确的确定量子阱的组分和阱宽的方法。并且，针对较为常用的波长为１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ材料以及最新兴起的ＩｎＡｓＰ／Ｉｎ材料应变量子阱激光器，利用该方法得到了组分和量子阱阱宽。再根据这些参数，利用变分法计算了量子阱的能带结构和二维电子气状态密度。然后，在选取不同的线形函数的情况下分别计算了对应于不同的注入载流予浓度时的这两种激光器的线性增益和微分增益。

关键词：量子阱阱宽组分激光器线性增益微分增益

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四种材料构成的超晶格能带结构的研究

光子学报 1997年第7期26卷 599-603页

作者：田园彭宇恒陈维友张宝林金亿鑫中国科学院长春物理研究所长春130021 吉林大学电子工程系长春130021

本文对由AIAs，AIyGl-yAs、AIxGal-xAs和GaAs四种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究．通过改变材料组分和层厚，发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时，对应的自旋向上和自徒向下的子带产生劈裂，而且劈裂主要发生在重空... 详细信息

本文对由AIAs，AIyGl-yAs、AIxGal-xAs和GaAs四种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究．通过改变材料组分和层厚，发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时，对应的自旋向上和自徒向下的子带产生劈裂，而且劈裂主要发生在重空穴带和轻空穴带相互作用较强的地方．

关键词：能带结构超晶格自旋劈裂量子阱半导体