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作者

  • 5,915 篇 王永强
  • 4,914 篇 张永强
  • 4,333 篇 李永强
  • 3,405 篇 李建强
  • 3,311 篇 王建强
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  • 2,814 篇 刘永强
  • 2,589 篇 刘建强
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  • 1,328 篇 张德强
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轻骨料混凝土受弯梁力学性能试验研究
轻骨料混凝土受弯梁力学性能试验研究
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作者： 归强 天津大学
学位级别：硕士
轻骨料混凝土具有轻质高强、保温隔热、耐久性能好,以及抗震性强等优异性能,在大跨桥梁结构、高层建筑和海事工程中具有广阔的应用前景。同时它还是一种生态环保型建筑材料,随着可持续发展战略的贯彻实施,它的这种优势显得更加突出。但... 详细信息
来源： 同方学位论文库 同方学位论文库 评论
视网膜假体的研究进展
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高技术通讯 2009年 第10期19卷 1092-1100页
作者： 王淑静 裴为华 张旭 郭凯 朱琳 归强 王宇 陈弘达 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 北京100083
根据视觉假体(visual prosthesis)在视觉通路上刺激部位的不同,概括地介绍了以植入微电子芯片为主要手段的视皮层假体、视神经假体和视网膜假体的视觉修复方法,分析比较了这三种视觉假体的利弊和技术难点。重点论述了研究的热点——视... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
中国邮政储蓄银行个人金融业务的效益研究
中国邮政储蓄银行个人金融业务的效益研究
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作者： 归宇强 广西大学
学位级别：硕士
随着金融改革的深入,我国商业银行的竞争越来越激烈,如何有效的控制业务成本,提高收益成为了商业银行经营的重点。随着个人理财业务的迅速发展,个人金融业务的比重在商业银行的整体业务的分量越来越大,对其关注程度也越来越重视。中国... 详细信息
来源： 同方学位论文库 同方学位论文库 评论
宽光谱范围高响应度的InGaAs/InP光电探测器
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半导体技术 2008年 第S1期33卷 62-64页
作者： 归强 裴为华 陈弘达 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 北京100083
报道了一种在0.6～1.65μm波段使用的InGaAs/InP光电探测器。该探测器使用的是外延在InP衬底上的InGaAs材料,探测器结构采用PIN结构通过选择性扩散的方法制作,通过调整掩模尺寸和控制扩散条件,可以制备出具有不同光敏面尺寸及光电特性... 详细信息
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MOCVD生长的平面型InGaAs/InP PIN光电探测器件
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红外与毫米波学报 1993年 第2期12卷 155-158页
作者： 杨志鸿 王树堂 曾靖 朱龙德 孙捷 夏彩虹 沈戎 归强 中国科学院半导体研究所 北京100083
讨论了采用MOCVD技术生长的平面型InGaAs/InPPIN器件的光学特性及制备工艺。通过引入InP窗口层并制备合适的抗反射膜,大大提高了器件的量子效率,达到～96%,采用平面型结构有可能改善器件的稳定性和可靠性。
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基于聚酰亚胺的神经微电极的制备及特性研究
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高技术通讯 2011年 第12期21卷 1323-1328页
作者： 李晓倩 裴为华 归强 郭凯 王宇 王凯 汤戎昱 陈弘达 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 北京100083 兰州大学物理科学与技术学院 兰州730000 北京大学人民医院 北京100044
提出了一种基于非光敏型聚酰亚胺PI-5J的柔性薄膜神经微电极的制作方法，利用常规光刻技术设计和制作出了适合植入的柔性神经刺激微电极阵列，并通过离体实验对其进行了微电极的老化测试和电学特性测试，通过在体实验进行了微电极的生... 详细信息
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基于干电极的头带式射频无线脑-机接口系统
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高技术通讯 2012年 第2期22卷 211-216页
作者： 郭凯 裴为华 王宇 许冰 归强 李晓倩 杨宇 刘剑 陈弘达 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 北京100083 兰州大学物理科学与技术学院 兰州730000 北京视友科技有限责任公司 北京100089
研发了一种采用干电极的脑-机接口系统，此系统克服了现有脑机接口用脑电信号采集及信号处理系统笨重而不便于携带的缺点。此系统采用半导体微加工工艺制作的“干”电极作为采集脑电信号的电极，佩戴方便且能长时间使用。整个便携式脑... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 评论
一种可对大功率激光信号进行直接检测的新型InGaAs光电探测器
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光通信技术 1997年 第4期21卷 304-306页
作者： 周洲 曾靖 归强 张玉芳 马骁宇 王树堂 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心 北京100083
在国内首次介绍了一种新近研制的InGaAs／InP实用化光电探测器，它可在0．5～1.7μm波长对高达500mW的大功率激光进行直接检测，并给出了器件光学衰减滤波片的设计以及器件的主要性能参数。
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InGaAs／InPAPD探测器光电特性检测
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电子科技大学学报 2008年 第3期37卷 460-463页
作者： 肖雪芳 杨国华 归强 王国宏 马晓宇 陈朝 陈良惠 中国科学院半导体研究所 北京海淀区100083 厦门大学物理系 厦门361005
建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。测试结果表明,该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151nA,在直径500μm的光敏面上其光响应均匀性... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
宽光谱范围高响应度的InGaAs/InP光电探测器
宽光谱范围高响应度的InGaAs/InP光电探测器
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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议
作者： 归强 裴为华 陈弘达 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
报道了一种在0.6～1.65μm波段使用的InGaAs/InP光电探测器。该探测器使用的是外延在InP衬底上的InGaAs材料,探测器结构采用PIN结构通过选择性扩散的方法制作,通过调整掩模尺寸和控制扩散条件,可以制备出具有不同光敏面尺寸及光电特性... 详细信息
来源： cnki会议 评论
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