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硒化镉晶体生长及性能表征

压电与声光 2016年第3期38卷 427-429页

作者：张颖武李晖程红娟中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

硒化镉(CdSe)是一种性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。采用气相法生长出CdSe晶体材料,结合晶体生长动力学研究了CdSe单晶生长速率,并对其晶体结构和光学性能进行了表征。Raman测试表明生长的CdSe晶体为纤锌矿结构,属于极性材料。XRD测试表... 详细信息

硒化镉(CdSe)是一种性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。采用气相法生长出CdSe晶体材料,结合晶体生长动力学研究了CdSe单晶生长速率,并对其晶体结构和光学性能进行了表征。Raman测试表明生长的CdSe晶体为纤锌矿结构,属于极性材料。XRD测试表明单晶生长面为(001)面,衍射峰的半高宽较小。光学性能测试表明,CdSe材料在近红外波段内具有较好的光学透过特性。

关键词：硒化镉(CdSe) 晶体拉曼(Raman) X线衍射(XRD)

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HPVB法生长的CdSe单晶性能研究

人工晶体学报 2018年第4期47卷 669-673页

作者：高彦昭杨瑞霞张颖武王健河北工业大学电子信息工程学院天津300401 中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

采用有籽晶的高压垂直布里奇曼法(HPVB)生长了直径35 mm的大尺寸CdSe单晶。使用X射线衍射仪测试了晶体的结晶质量,结果表明生长的晶体为纯六方相CdSe单晶,(002)晶面的摇摆曲线峰型尖锐且对称性好,峰值半高宽(FWHM)可达0.082°。使用辉... 详细信息

采用有籽晶的高压垂直布里奇曼法(HPVB)生长了直径35 mm的大尺寸CdSe单晶。使用X射线衍射仪测试了晶体的结晶质量,结果表明生长的晶体为纯六方相CdSe单晶,(002)晶面的摇摆曲线峰型尖锐且对称性好,峰值半高宽(FWHM)可达0.082°。使用辉光放电质谱法(GDMS)、霍尔效应测试、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)对晶体生长轴向的微量杂质含量及分布、电学性能和光学性能进行测试和分析,结果表明微量杂质在晶体轴向方向呈现出不同的分凝特性,杂质的不均匀分布影响晶体的电学性能和光学性能。晶体呈现出较高的电阻率(10~8Ω·cm)和优良的红外透过性能,在8~12μm范围内平均透过率约为70%,吸收系数小于0.058 cm^(-1)。

关键词： CdSe单晶籽晶 HPVB法红外透过率非线性光学晶体

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LEC法GaSb晶体生长数值模拟研究

压电与声光 2016年第5期38卷 799-803页

作者：李璐杰程红娟张颖武于凯中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

采用有限元模拟软件对液封直拉(LEC)法生长锑化镓晶体过程进行计算机建模。模拟分析了晶体旋转、坩埚旋转及隔热屏等因素对GaSb固-液界面形貌的影响。结果表明,晶体旋转与坩埚旋转分别具有促使凸向熔体的固-液界面曲率减小及增大的作用... 详细信息

采用有限元模拟软件对液封直拉(LEC)法生长锑化镓晶体过程进行计算机建模。模拟分析了晶体旋转、坩埚旋转及隔热屏等因素对GaSb固-液界面形貌的影响。结果表明,晶体旋转与坩埚旋转分别具有促使凸向熔体的固-液界面曲率减小及增大的作用,且同等转速条件下,坩埚旋转对固-液界面形貌影响更大。此外,减小放肩角度、去除炉体上部的隔热屏等措施,均具有使凸向熔体的固-液界面曲率降低的作用。而使用液封剂使凸向熔体的固-液界面曲率增大。坩埚在加热器中存在某一位置,使熔体内部轴向梯度最大。炉膛内氩气流速最剧烈部位为保温罩与拉晶杆间的区域,Ar气对流导致上炉膛温度提高,并降低熔体表面温度约8℃。

关键词：液封直拉法(LEC) 固-液界面强制对流液封剂放肩角度隔热屏坩埚位置

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大尺寸硒化镉单晶生长及性能表征

天津科技大学学报 2015年第6期30卷 34-37页

作者：张颖武练小正程红娟中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

硒化镉(CdSe)是一种光学和电学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料.以硫化镉(CdS)晶片作为籽晶,采用物理气相传输(PVT)法生长出大尺寸CdSe单晶,并对其晶体结构和光学性能进行了表征.EDS和Raman测试显示,在晶体生长初期形成了CdSe_xS_(1-x),随... 详细信息

硒化镉(CdSe)是一种光学和电学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料.以硫化镉(CdS)晶片作为籽晶,采用物理气相传输(PVT)法生长出大尺寸CdSe单晶,并对其晶体结构和光学性能进行了表征.EDS和Raman测试显示,在晶体生长初期形成了CdSe_xS_(1-x),随着晶体生长硫元素含量逐渐减少并最终消失,最终生长出的CdSe材料为纯相的纤锌矿型CdSe晶体材料.XRD测试显示CdSe晶体的晶格完整性较高.以上结果表明,PVT法是一种理想的大尺寸CdSe单晶生长方法.

关键词： Cd Se 大尺寸单晶 PVT法

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LEC-GaSb单晶生长技术研究

压电与声光 2016年第5期38卷 787-790页

作者：于凯李璐杰程红娟张颖武中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

采用液封直拉(LEC)法进行了生长GaSb单晶的实验研究,对比了等摩尔比的(LiCl+KCl)和氧化硼(B2O3)两种液封剂作用下的生长控制效果。通过模拟了解了保温罩是如何改善系统温场的梯度,进而分析了温场对成晶的影响。对晶体单晶区域的测试结... 详细信息

采用液封直拉(LEC)法进行了生长GaSb单晶的实验研究,对比了等摩尔比的(LiCl+KCl)和氧化硼(B2O3)两种液封剂作用下的生长控制效果。通过模拟了解了保温罩是如何改善系统温场的梯度,进而分析了温场对成晶的影响。对晶体单晶区域的测试结果给出了晶体内部的位错分布特点,X线衍射(XRD)的测试结果显示该区域的晶体质量较好。

关键词： GaSb 晶体液封直拉(LEC)法温场液封剂

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CdSe单晶生长技术研究

河南科技 2015年第8期 115-117页

作者：张颖武中国电子科技集团公司第四十六研究所

硒化镉(CdSe)是一种光学和电学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。目前有多种晶体生长技术可获得CdSe单晶材料。本文基于晶体生长理论分析了气相法、熔体法等CdSe单晶生长方法的物理机理,并结合CdSe材料的物理特性,综述了当前国内外CdSe单... 详细信息

硒化镉(CdSe)是一种光学和电学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。目前有多种晶体生长技术可获得CdSe单晶材料。本文基于晶体生长理论分析了气相法、熔体法等CdSe单晶生长方法的物理机理,并结合CdSe材料的物理特性,综述了当前国内外CdSe单晶生长技术的研究进展。

关键词： CdSe 单晶气相法熔体法

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镉气氛退火对CdS单晶材料性能的影响

压电与声光 2016年第2期38卷 275-277页

作者：李强张颖武司华青练小正程红娟中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

硫化镉(CdS)是一种光电性能优异的Ⅱ-Ⅵ族直接跃迁、宽带隙化合物半导体材料。将本征高阻的CdS单晶材料在镉气氛中高温退火,并对退火后的CdS材料进行电学、光学特性表征。测试结果表明,镉气氛退火可使本征高阻的CdS单晶转变为低阻CdS材... 详细信息

硫化镉(CdS)是一种光电性能优异的Ⅱ-Ⅵ族直接跃迁、宽带隙化合物半导体材料。将本征高阻的CdS单晶材料在镉气氛中高温退火,并对退火后的CdS材料进行电学、光学特性表征。测试结果表明,镉气氛退火可使本征高阻的CdS单晶转变为低阻CdS材料,从而实现对CdS材料电学特性调控。

关键词：硫化镉(CdS) 单晶镉气氛退火电学光学

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PVT法生长大尺寸CdS单晶

河南科技 2015年第4期34卷 137-139页

作者：张颖武中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

硫化镉(Cd S)是一种光学和电学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。以硫化镉(Cd S)晶片作为籽晶,采用有籽晶的物理气相传输(PVT)法生长出大尺寸Cd S单晶,并对其电学、光学等性能进行了表征。结果表明,PVT法是一种理想的大尺寸Cd S单晶生长方法。

关键词： Cd S 大尺寸单晶 PVT法

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K元素对CdS晶体光学及电学性能的影响

半导体技术 2015年第11期40卷 846-849页

作者：练小正齐海涛张颖武司华青程红娟徐永宽中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

采用物理气相输运（PVT）法生长了直径为50 mm的K掺杂Cd S晶体,对掺杂和未掺杂的Cd S晶片进行显微观察、二次离子质谱（SIMS）成分分析、红外光谱透过率以及霍尔效应测试,研究了K元素掺杂对Cd S晶体光学及电学性能的影响。生长时用KCl... 详细信息

采用物理气相输运（PVT）法生长了直径为50 mm的K掺杂Cd S晶体,对掺杂和未掺杂的Cd S晶片进行显微观察、二次离子质谱（SIMS）成分分析、红外光谱透过率以及霍尔效应测试,研究了K元素掺杂对Cd S晶体光学及电学性能的影响。生长时用KCl进行掺杂。显微观察显示,掺杂KCl后Cd S晶体的微观形貌没有明显变化;SIMS成分测试表明,晶体中引入的杂质主要是K元素,而Cl元素未掺入晶体中。红外光谱透过率发现掺杂K元素的Cd S晶体相比于未掺杂晶体,不仅在波长为2.5~10μm内红外透过率显著下降,而且在波长为10μm以上时红外透过率甚至低于15%。另外,K元素掺杂Cd S晶体电学性能也发生变化,晶体迁移率也由未掺杂的318 cm2/（V·s）下降为146 cm2/（V·s）。

关键词：硫化镉单晶氯化钾掺杂光学特征电学特征