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健康宣教和心理疏导对全口义齿初戴效果的影响

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中华老年口腔医学杂志 2010年第3期8卷 172-173页

作者：张进城北京市房山区第一医院口腔科北京102400

全口义齿修复是一个咀嚼器官及的再造过程,全口义齿的修复效果与患者自身条件、医师和技师的技术水平有关,患者心理因素的影响也不容忽视。但以往的修复学临床一直多只注重修复效果的解剖形态和生理功能评价,

关键词：全口义齿健康宣教心理疏导满意度

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芍药甘草汤对延迟性肌肉酸痛的影响

芍药甘草汤对延迟性肌肉酸痛的影响

作者：陈进城福建中医药大学

学位级别：硕士

目的：本课题通过随机对照研究,观察训练前后治疗组与对照组肌肉酸痛程度、小腿周径变化和小腿三头肌等长收缩最大肌力的变化,探讨芍药甘草汤对延迟性肌肉酸痛的影响。研究方法：选用随机对照试验研究设计方案,将符合入选标准的60... 详细信息

目的：本课题通过随机对照研究,观察训练前后治疗组与对照组肌肉酸痛程度、小腿周径变化和小腿三头肌等长收缩最大肌力的变化,探讨芍药甘草汤对延迟性肌肉酸痛的影响。研究方法：选用随机对照试验研究设计方案,将符合入选标准的60例志愿者随机分为治疗组与对照组,每组为30例。训练成延迟性肌肉酸痛的方法是：高强度离心跳。治疗组口服芍药甘草汤,对照组无治疗。评定内容：对训练前1h、训练后即刻、训练后第1天、训练后第2天、训练后第4天、训练后第6天的VAS进行评分、用卷尺测量小腿周径和用多关节功能评估系统（BTE PRIMUSRS）测定小腿三头肌等长收缩最大肌力。结果：对两组进行统计分析。结果表明,1、组内比较：两组的VAS评分和小腿三头肌等长收缩最大肌力变化差异有统计学意义（P＜0.05）;两组的小腿周径变化差异没有统计学意义（P＞0.05）。2、组间比较：治疗组与对照组组间在训练前1h及训练后即刻两个时间点的VAS评分、小腿周径和小腿三头肌等长收缩最大肌力的差异不具有统计学意义（P＞0.05）。训练后即刻小腿肌肉出现酸痛,而训练前没有任何酸痛。训练后即刻与训练前小腿周径没有明显变化。训练后即刻的小腿等长收缩最大肌力较训练前明显降低。比较两组间训练后第1天、训练后第2天、训练后第4天、训练后第6天四个时间点的VAS评分及小腿三头肌等长收缩最大肌力的差异具有统计学意义（P＜0.05）,而小腿周径的变化不具有统计学意义（P＞0.05）。训练后第1天和训练后第2天小腿肌肉酸痛更明显,训练后第2天酸痛最严重,训练后第4天及训练后第6天酸痛逐渐减弱或消失,治疗组比对照组减弱得更快。小腿周径并没有发生明显变化。从训练后第1天开始,小腿三头肌等长收缩最大肌力就逐渐升高,但治疗组恢复得比对照组更快。结论：1、芍药甘草汤能够较快缓解延迟性肌肉酸痛的症状;2、芍药甘草汤治疗延迟性肌肉酸痛能够较快恢复小腿三头肌等长收缩最大肌力;3、服用芍药甘草汤无影响小腿周径的变化。

关键词：芍药甘草汤延迟性肌肉酸痛临床研究

Influence of dislocations in the GaN layer on the electrical properties of an AlGaN/GaN heterostructure

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Chinese Physics B 2009年第11期18卷 4970-4975页

作者：高志远郝跃张进城李培咸谷文萍 Key Laboratory of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices School of MicroelectronicsXidian University

This paper reports on a comparative study of the spatial distributions of the electrical, optical, and structural properties in an AlGaN/GaN heterostructure. Edge dislocation density in the GaN template layer is shown to decrease in the regions of the wafer where the heterostructure sheet resistance increases and the GaN photoluminescence bandedge energy peak shifts to a high wavelength. This phenomenon is found to be attributed to the local compressive strain surrounding edge dislocation, which will generate a local piezoelectric polarization field in the GaN layer in the opposite direction to the piezoelectric polarization field in the AlGaN layer and thus help to increase the two-dimensional electron gas concentration.

关键词： GaN edge dislocation piezoelectric polarization two-dimensional electron gas

人文理念在高职院校普通体育教学中的应用研究

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延边教育学院学报 2019年第3期33卷 106-108页

作者：刘进城泉州幼儿师范高等专科学校

对高职院校的学生而言,社会发展不仅需要其具有较高技术水平,还需要他们具有完善的人格和强健的体魄。因此,在高职院校的普通体育教学中深入渗透和推进人文理念,是符合社会发展需要以及高职院校教育改革的必然趋势。

关键词：高职院校体育教学人文理念应用

Degraded model of radiation-induced acceptor defects for GaN-based high electron mobility transistors(HEMTs)

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Chinese Physics B 2009年第7期18卷 2912-2919页

作者：范隆郝跃赵元富张进城高志远李培咸 Beijing Microelectronics Technology Institute The School of Microelectronics Xidian University Key Laboratory of Fundamental Science for National Defense of Wide Bandgap Semiconductor Technology Xidian University Key Laboratory for Wide Band-gap Semiconductor Materials and Devices of Ministry of Education Xidian University

Using depletion approximation theory and introducing acceptor defects which can characterize radiation induced deep-level defects in AlGaN/GaN heterostructures,we set up a radiation damage model of AlGaN/GaN high electron mobility transistor （HEMT） to separately simulate the effects of several main radiation damage mechanisms and the complete radiation damage effect simultaneously considering the degradation in mobility. Our calculated results,consistent with the experimental results,indicate that thin AlGaN barrier layer,high Al content and high doping concentration are favourable for restraining the shifts of threshold voltage in the AlGaN/GaN HEMT;when the acceptor concentration induced is less than 10^14cm-3,the shifts in threshold voltage are not obvious;only when the acceptor concentration induced is higher than 10^16cm-3,will the shifts of threshold voltage remarkably increase;the increase of threshold voltage,resulting from radiation induced acceptor,mainly contributes to the degradation in drain saturation current of the current-voltage （Ⅰ-Ⅴ） characteristic,but has no effect on the transconductance in the saturation area.

关键词： GaN-based high electron mobility transistor （HEMT） radiation acceptor defects

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一种新型介质槽隔离SiCOIMESFET

固体电子学研究与进展 2005年第1期25卷 60-64页

作者：龚欣张进城郝跃西安电子科技大学微电子所西安710071

提出了一种新型的 Si COIMESFET器件结构 ,即介质槽隔离 Si COIMESFET。模拟结果表明 ,新型结构器件与常规平面 Si COI MESFET器件相比 ,击穿电压得到很大提高 ,从 3 80 V提高到近 1 1 0 0 V,而饱和漏电流和跨导下降。但通过器件结构的... 详细信息

提出了一种新型的 Si COIMESFET器件结构 ,即介质槽隔离 Si COIMESFET。模拟结果表明 ,新型结构器件与常规平面 Si COI MESFET器件相比 ,击穿电压得到很大提高 ,从 3 80 V提高到近 1 1 0 0 V,而饱和漏电流和跨导下降。但通过器件结构的优化设计可以保障在击穿电压提高的同时漏电流和跨导不会发生大的退化。该器件结构为高温、抗辐照和大功率集成电路研制打下基础。

关键词：绝缘体上碳化硅肖特基栅场效应晶体管介质槽隔离击穿电压

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就业导向下高职体育教学改革的研究

豫章师范学院学报 2021年第2期36卷 121-124页

作者：刘进城泉州幼儿师范高等专科学校福建泉州362600

高职体育教育是“通识教育和”“职业教育”的有机结合,既要培养高职学生的体育意识,又要培养学生就业所需的身体素质和就业技能,为高职学生就业创造有利条件。基于此导向和就业能力,我们要摒弃现有高职体育教学中存在的弊端,发挥高等... 详细信息

高职体育教育是“通识教育和”“职业教育”的有机结合,既要培养高职学生的体育意识,又要培养学生就业所需的身体素质和就业技能,为高职学生就业创造有利条件。基于此导向和就业能力,我们要摒弃现有高职体育教学中存在的弊端,发挥高等职业教育的优势,建立以就业为导向的体育理论、体育课程体系、体育教学模式,不断提高学生的各项素质能力和水平。

关键词：就业导向高职体育教学改革