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Monolithically integrated enhancement/depletion-mode Al Ga N/Ga N HEMTs SRAM unit and voltage level shifter using fluorine plasma treatment

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Journal of Semiconductors 2016年第5期37卷 78-83页

作者：陈永和郑雪峰张进城马晓华郝跃 Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices School of Microelectronics Xidian University School of Advanced Materials and Nanotechnology Xidian University

A GaN-based E/D mode direct-couple logic 6 transistors SRAM unit and a voltage level shifter were designed and fabricated. E-mode and D-mode A1GaN/GaN HEMTs were integrated in one wafer using fluorine plasma treatment and using a moderate A1GaN barrier layer heterojunction structure. The 6 transistors SRAM unit consists of two symmetrical E/D mode inverters and two E-mode switch HEMTs. The output low and high voltage of the SRAM unit are 0.95 and 0.07 V at a voltage supply of 1 V. The voltage level shifter lowers the supply voltage using four Ni-A1GaN Schottky diodes in a series at a positive supply voltage of 6 V and a negative supply voltage of-6 V. By controlling the states of inverter modules of the level shifter in turn, the level shifter offers two channel voltage outputs of-0.5 and-5 V. The flip voltage of the level shifter is 0.76 V. Both the SRAM unit and voltage shifter operate correctly, demonstrating the promising potential for GaN-based E/D mode digital and analog integrated circuits. Several considerations are proposed to avoid the influence of threshold voltage degradation of D-mode and E-mode HEMT on the operation of the circuit.

关键词： AlGaN/GaN E/D mode SRAM voltage level shifter

Nonlinear characterization of GaN HEMT

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Journal of Semiconductors 2010年第11期31卷 18-23页

作者：陈炽郝跃杨凌全思马晓华张进城 National Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Technology School of MicroelectronicsXidian University

DC I-V output,small signal and an extensive large signal characterization（load-pull measurements） of a GaN HEMT on a SiC substrate with different gate widths of 100μm and 1 mm have been carried out.From the small signal data,it has been found that the cutoff frequencies increase with gate width varying from 100μm to 1 mm,owing to the reduced contribution of the parasitic effect.The devices investigated with different gate widths are enough to work in the C band and X band.The large signal measurements include the load-pull measurements and power sweep measurements at the C band（5.5 GHz） and X band（8 GHz）.When biasing the gate voltage in class AB and selecting the source impedance,the optimum load impedances seen from the device for output power and PAE were localized in the load-pull map.The results of a power sweep at an 8 GHz biased various drain voltage demonstrate that a GaN HEMT on a SiC substrate has good thermal conductivity and a high breakdown voltage,and the CW power density of 10.16 W/mm was obtained.From the results of the power sweep measurement at 5.5 GHz with different gate widths, the actual scaling rules and heat effect on the large periphery device were analyzed,although the effects are not serious. The measurement results and analyses prove that a GaN HEMT on a SiC substrate is an ideal candidate for high-power amplifier design.

关键词： GaN HEMT load-pull measurements optimum load impedance power sweep measurement

水浸黄土基底排土场在井采影响下的边坡稳定性研究

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水浸黄土基底排土场在井采影响下的边坡稳定性研究

作者：樊进城中国矿业大学

学位级别：硕士

我国许多露天矿区地表均为第四纪黄土层,该土层具有密实性较差、湿陷性强等特点。因此,以黄土层作为外排土场的基底时将不利于边坡的稳定,尤其在降雨、地表水大量浸入基底后,边坡的稳定性将会受到进一步影响。此外,露天矿外排土场下的... 详细信息

我国许多露天矿区地表均为第四纪黄土层,该土层具有密实性较差、湿陷性强等特点。因此,以黄土层作为外排土场的基底时将不利于边坡的稳定,尤其在降雨、地表水大量浸入基底后,边坡的稳定性将会受到进一步影响。此外,露天矿外排土场下的压煤通常采用井工开采,进而使得黄土基底排土场的稳定性控制更加困难。本文以内蒙古某露天矿典型的黄土基底排土场为工程背景,结合室内试验、数值模拟、理论计算等手段研究了水浸和井采影响下外排土场边坡的稳定性。首先,综合考虑排土场不同含水量和演化弱层厚度变化的影响,研究了不同组合条件下边坡稳定系数的变化规律;其次,结合排土场的现场水浸条件,研究了不同井采工艺参数下排土场边坡稳定性变化规律,确定了井下工作面的停采线位置;最后,通过现场监测,验证了井下工作面停采方案的合理性。论文取得的主要研究成果如下:（1）不同含水量的黄土直剪试验表明,黄土的粘聚力随含水量增加而线性降低,内摩擦角随含水量增加以幂函数形式降低。（2）不同含水量下黄土基底排土场边坡的数值模拟结果表明,随着黄土基底含水量的增加,边坡的位移值不断增大,滑面由“圆弧形”演化成“L形”,当含水量高于16%时,边坡不再满足安全要求。不同弱层厚度条件下数值模拟结果表明,随着弱层厚度的增加,边坡的位移值不断增大,滑面由“L形”演化成“圆弧形”,当弱层厚度大于0.6 m时,边坡不再满足安全要求。（3）通过导水裂隙带最大高度的经验公式,验证了采厚30 m的可行性;通过数值计算,揭示了4煤和6煤复合开采时边坡位移场、应力场、剪应变的变化规律,确定了4煤和6煤工作面的停采线位置;运用概率积分法,预测了4煤和6煤工作面复合开采后地表移动与变形的极值和范围。（4）通过现场实践,监测了控制点的地表移动与变形量,结果表明,工作面开采后地表移动持续总时间约为268天;通过对比分析现场监测结果、数值计算和理论计算结果表明,数值计算与理论计算结果均趋近于现场监测结果,取得了较好的效果。论文为类似工况下的黄土基底排土场边坡稳定性评价与控制提供参考。本论文有图81幅,表41个,参考文献100篇。

关键词：黄土基底排土场水浸井采边坡稳定

Monolithically integrated enhancement/depletion-mode AlGaN/GaN HEMT D flip-flop using fluorine plasma treatment

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Journal of Semiconductors 2011年第6期32卷 69-72页

作者：谢元斌全思马晓华张进城李青民郝跃 Key Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices Institute of MicroelectronicsXidian University

Depletion-mode and enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs using fluorine plasma treatment were integrated on one wafer.Direct-coupled FET logic circuits,such as an E/D HEMT inverter,NAND gate and D flip-flop,were fabricated on an AlGaN/GaN heterostructure.The D flip-flop and NAND gate are demonstrated in a GaN system for the first time.The dual-gate AlGaN/GaN E-HEMT substitutes two single-gate E-HEMTs for simplifying the NAND gate and shrinking the area,integrating with a conventional AlGaN/GaN D-HEMT and demonstrating a NAND gate.E/D-mode D flip-flop was fabricated by integrating the inverters and the NAND gate on the AlGaN/GaN heterostructure.At a supply voltage of 2 V,the E/D inverter shows an output logic swing of 1.7 V,a logic-low noise margin of 0.49 V and a logic-high noise margin of 0.83 V.The NAND gate and D flip-flop showed correct logic function demonstrating promising potential for GaN-based digital ICs.

关键词： AlGaN/GaN fluorine plasma treatment inverter NAND gate D flip-flop

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腰椎间盘突出症的治疗进展

中华临床医师杂志（电子版） 2016年第4期10卷 154-155页

作者：王宏斌张进城黄石市爱康医院湖北省435000

腰椎间盘突出症（Lumbar disc herniation,LDH）,是骨科常见病、多发病,当腰部受到内、外因素影响,椎间盘发生纤维环破裂髓核突出,由化学、免疫反应或机械压迫神经根、血管、脊髓等组织而引起腰痛,并伴有下肢神经放射性疼痛等症状为特... 详细信息

腰椎间盘突出症（Lumbar disc herniation,LDH）,是骨科常见病、多发病,当腰部受到内、外因素影响,椎间盘发生纤维环破裂髓核突出,由化学、免疫反应或机械压迫神经根、血管、脊髓等组织而引起腰痛,并伴有下肢神经放射性疼痛等症状为特征的一种病变.

关键词：腰椎间盘治疗纤维环

土地股份合作对农村劳动力转移的影响程度研究——基于安徽4市农户调研数据

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土地股份合作对农村劳动力转移的影响程度研究——基于安徽4市农...

作者：符进城南京农业大学

学位级别：硕士

慢性心力衰竭患者康复护理对生活质量的影响分析

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心血管病防治知识（学术版） 2017年第1期7卷 51-52页

作者：陈静张进城黄石市爱康医院湖北黄石435000

目的分析慢性心力衰竭(CHF)患者康复护理对生活质量的影响。方法选取我院自2015年6月-2016年7月收治的88例CHF患者作为观察对象,随机分为对照组与护理组2组。对照组给予常规护理,护理组则在常规护理的基础上辅以康复护理。记录2组患者... 详细信息

目的分析慢性心力衰竭(CHF)患者康复护理对生活质量的影响。方法选取我院自2015年6月-2016年7月收治的88例CHF患者作为观察对象,随机分为对照组与护理组2组。对照组给予常规护理,护理组则在常规护理的基础上辅以康复护理。记录2组患者卧床时间及住院时间、统计2组患者6min步行距离、评估2组患者的生活质量情况。结果护理组卧床时间以及住院时间均明显短于对照组(P<0.05);护理组6min步行距离明显长于对照组(P<0.05);护理后,2组生活质量均明显优于护理前,然而,护理组护理后生活质量明显优于同时期的对照组(P<0.05)。结论将康复护理应用于CHF患者的护理中,能够明显缩短其卧床时间及住院时间,提高其生活质量,具有较高的临床推广价值。

关键词：慢性心力衰竭康复护理生活质量

稻草乙二胺一氢氧化钾法制浆及漂白性能的研究

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稻草乙二胺一氢氧化钾法制浆及漂白性能的研究

作者：张进城南京林业大学

学位级别：硕士

禾草类植物纤维原料是制浆工业的重要原料之一。但在稻草碱法制浆过程中,蒸煮黑液碱回收利用等方面的困难,造成了资源浪费和环境污染严重等问题。为了丰富稻草资源利用的途径,以及弥补肥料K元素的缺乏,采用稻草乙二胺-氢氧化钾法制浆,... 详细信息

禾草类植物纤维原料是制浆工业的重要原料之一。但在稻草碱法制浆过程中,蒸煮黑液碱回收利用等方面的困难,造成了资源浪费和环境污染严重等问题。为了丰富稻草资源利用的途径,以及弥补肥料K元素的缺乏,采用稻草乙二胺-氢氧化钾法制浆,利用黑液来生产高效有机缓释肥;同时含氮纸浆还可以解决漆酶预处理过程中的介质问题,实现农业生产——稻草利用——制浆——肥料——农业生产的循环经济目的。对蒸煮影响因素的研究结果表明:乙二胺-氢氧化钾法(EP-P)蒸煮的适宜工艺条件:KOH用量9%(KOH计)、乙二胺用量16%(乙二胺计)、AQ用量0.05%、保温时间20min、液比1:6、最高温度150℃。蒸煮后浆料的性能指标为:卡伯值17.2,纸浆得率37.20%,白度24.7%SBD。稻草EP-P的反应历程和动力学的研究结果显示:稻草EP-P制浆脱木素的反应历程分为两个阶段,即110℃以前为大量脱木素阶段(木素脱除率达到83.7%),110℃到150℃之间为补充脱木素阶段;主要脱木素阶段脱木素反应呈表现一级反应,其反应活化能为31.643kJ/mol。稻草EP-P蒸煮黑液中总氮含量13.48g/l、铵态氮含量0.16 g/l。黑液经氧化反应后,随着反应时间延长,其铵态氮的含量随着增加,从而起到缓释氮肥料的作用。在漆酶处理时可以不添加介质ABTS,达到漆酶介质体系的相近效果。稻草EP-P浆在漆酶用量为5IU/g时效果较好。红外光谱对EP-P浆漂白前后浆料分析显示:在2374cm和2136cm处存在着吸收峰,有—NH—、—N≡C的含氮化合物的结构存在,表明蒸煮过程中引入了氮元素,为漆酶的预处理提供了一定的氮源。

关键词：稻草乙二胺-氢氧化钾法制浆复合肥料漆酶漂白动力学反应历程

PMOSFET’s热载流子可靠性及其寿命评估方法研究

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PMOSFET’s热载流子可靠性及其寿命评估方法研究

作者：张进城西安电子科技大学

学位级别：硕士

热载流子效应是影响MOS器件与电路可靠性的主要因素。由于通常情况下 NMOS器件的热载流子退化总是比PMOS的严重，所以PMOS热载流子退化的研究一直未受重视。但是随着器件尺寸的不断缩小，PMOS器件的热载流子退化变... 详细信息

热载流子效应是影响MOS器件与电路可靠性的主要因素。由于通常情况下 NMOS器件的热载流子退化总是比PMOS的严重，所以PMOS热载流子退化的研究一直未受重视。但是随着器件尺寸的不断缩小，PMOS器件的热载流子退化变得越来越严重，也成为CMOS电路退化以至失效的重要因素，所以很有必要对 PMOS器件的热载流子效应进行深入研究。本文首先研究了含盖整个线性区和饱和区的各种器件静态参数随应力时间的退化规律，井得到了PMOS器件热载流子损伤生长的基本规律。重点研究了退化PMOS器件的高场退火效应和氧化层陷阱电子的退陷阱机制。研究结果表明，负栅压退火的效果要比正栅压退火的效果好得多，这不仅表现在经过负栅压退火以后器件退化会有更大的恢复，而且经过负栅压退火以后器件的抗热载流子性能也会得到很大的提高。深入研究了热载流子退化过程中栅电流和衬底电流的退化规律，并建立了一个准确的栅电流退化解析模型。在此基础上，重点研究了用栅注入电荷总量作为 PMOS器件参数退化监控量来预测器件寿命的新方法，给出了一个新的能够准确表征器件参数退化的热载流于退化监控量，并建立了新的器件参数退化的统一模型，并用于器件参数退化和器件寿命的评估。

关键词： PMOS器件热载流子效应器件退化高场退火栅电流退化模型栅注入电荷总量寿命评估方法