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透明防雾材料

化学进展 2018年第6期30卷 864-871页

作者：李啸艾玲张景张贤鹏鲁越晖宋伟杰中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波315201 中国科学技术大学纳米学院苏州215123

透明材料在日常生活和工业生产中占据重要的地位,但是在使用过程中经常由于结雾问题会带来诸多不便甚至造成经济损失,因此,透明防雾材料的研究具有重要的意义。本文首先介绍了防雾的基本原理和实现防雾的两种主要途径,即亲水和疏水防雾... 详细信息

透明材料在日常生活和工业生产中占据重要的地位,但是在使用过程中经常由于结雾问题会带来诸多不便甚至造成经济损失,因此,透明防雾材料的研究具有重要的意义。本文首先介绍了防雾的基本原理和实现防雾的两种主要途径,即亲水和疏水防雾,再详细介绍了通过不同途径以实现防雾功能的具体防雾材料体系及制备方法,最后对透明防雾材料的应用及发展趋势进行了总结与展望。

关键词：防雾亲水疏水微结构

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骨盆纤维瘤病一例

中国妇产科临床杂志 2016年第2期17卷 169-170页

作者：张丹潘金梅张贤鹏湖北省枝江市人民医院妇产科 443200

患者女,33岁,已婚。主因体检发现左侧附件包块半年,于2015年3月22日收住院。患者平素月经规律,周期37d,量中,无痛经,末次月经2015年3月10日。2014年10月发现左侧附件包块约5.5cm×5cm,无不适,未曾治疗。2015年2月因意外妊娠,在外院彩超... 详细信息

患者女,33岁,已婚。主因体检发现左侧附件包块半年,于2015年3月22日收住院。患者平素月经规律,周期37d,量中,无痛经,末次月经2015年3月10日。2014年10月发现左侧附件包块约5.5cm×5cm,无不适,未曾治疗。2015年2月因意外妊娠,在外院彩超提示：左侧盆腔囊实性包块7.9cm×4.9cm。2015年2月4日因早孕行人工流产术,人工流产术后43d再次彩超提示：左侧盆腔低至无回声光团大小8.2cm×5.8cm。2015年3月22日要求手术治疗入院。

关键词：纤维瘤病附件包块回声光团平素月经规律流产术末次月经囊实性包块意外妊娠心肺检查子宫粘连

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半导体照明关键技术研究

激光与光电子学进展 2007年第3期44卷 17-28页

作者：罗毅张贤鹏韩彦军钱可元清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室清华大学深圳研究生院半导体照明实验室

以GaN基功率型发光二极管为核心的半导体照明光源,已经展示了广阔的应用前景,但其流明效率和公认的200lm/W的路线图目标相比还有较大的发展空间。从材料外延、管芯制作、器件封装和系统应用等方面介绍了半导体照明关键技术的最新进展,... 详细信息

以GaN基功率型发光二极管为核心的半导体照明光源,已经展示了广阔的应用前景,但其流明效率和公认的200lm/W的路线图目标相比还有较大的发展空间。从材料外延、管芯制作、器件封装和系统应用等方面介绍了半导体照明关键技术的最新进展,其中包括清华大学集成光电子学国家重点实验室的研究成果,并展望了未来的研究方向。

关键词：半导体照明氮化镓发光二极管流明效率热阻非成像光学

碳中和目标下CCUS技术部署在公正转型中的协同效益研究

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洁净煤技术 2024年

作者：吕昊东鲁玺张贤清华大学环境学院/环境模拟与污染控制国家重点联合实验室中国21世纪议程管理中心清华大学碳中和研究院清华大学环境前沿技术北京实验室

全球经济社会发展高度依赖化石能源，相关能源基础设施仍将排放大量温室气体，对气候环境及经济社会造成严重影响，减排压力和减排需求与日俱增。碳捕集利用与封存（CCUS）技术成为中国碳中和技术体系中不可或缺的重要组成部分，在提高... 详细信息

全球经济社会发展高度依赖化石能源，相关能源基础设施仍将排放大量温室气体，对气候环境及经济社会造成严重影响，减排压力和减排需求与日俱增。碳捕集利用与封存（CCUS）技术成为中国碳中和技术体系中不可或缺的重要组成部分，在提高生态环境综合治理能力、保障能源安全、促进绿色经济发展和提升社会公平公正方面具备较好的协同效益。本文立足全球气候变化治理与推动碳中和目标下的经济社会发展的战略决策，以CCUS技术发展为基础，探索CCUS技术部署与环境、经济、社会的协同效益，以期为中国CCUS部署实现多维度协同效益提供新思路，也为共同促进经济社会公正发展提供理论依据和科学参考。

关键词：碳捕集利用与封存(CCUS) 公正转型协同发展碳中和

ICP刻蚀p-GaN表面微结构GaN基蓝光LED

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半导体光电 2008年第1期29卷 6-9,15页

作者：张贤鹏韩彦军罗毅薛小琳汪莱江洋清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室北京100084

采用基于Cl2/Ar/BCl3气体的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制作了p-GaN表面具有直径3μm、周期6μm的二维圆孔微结构GaN基蓝光LED,研究了刻蚀深度对光荧光(PL)和发光二极管(LED)光电特性的影响。结果表明,刻蚀深度为25 nm的表面微结构,... 详细信息

采用基于Cl2/Ar/BCl3气体的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制作了p-GaN表面具有直径3μm、周期6μm的二维圆孔微结构GaN基蓝光LED,研究了刻蚀深度对光荧光(PL)和发光二极管(LED)光电特性的影响。结果表明,刻蚀深度为25 nm的表面微结构,与传统平面结构相比,其PL增强了42.8%;而采用ITO作为透明电极的LED,在20 mA注入电流下,正面出光增强了38%、背面出光增强了10.6%,同时前向电压降低了0.6 V,反向漏电流基本不变。

关键词：氮化镓基发光二极管表面微结构 ICP干法刻蚀湿法腐蚀

热退火对Mg掺杂InGaN/GaN异质结特性的影响

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半导体光电 2007年第4期28卷 507-511,515页

作者：刘中涛韩彦军张贤鹏薛小琳陈栋汪莱罗毅清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室北京100084

系统地研究了氧气氛围中退火温度对Mg掺杂InGaN/GaN异质结电学特性及光学性能的影响。电流电压特性和表面方块电阻的测试表明,与p-GaN相比,p-InGaN/GaN异质结的最佳退火温度较低,而且容易与非合金化的Ni/Au电极形成欧姆接触。分析认为In... 详细信息

系统地研究了氧气氛围中退火温度对Mg掺杂InGaN/GaN异质结电学特性及光学性能的影响。电流电压特性和表面方块电阻的测试表明,与p-GaN相比,p-InGaN/GaN异质结的最佳退火温度较低,而且容易与非合金化的Ni/Au电极形成欧姆接触。分析认为InGaN具有的较小带隙能量和p-InGaN/GaN异质结中存在强烈的极化效应以及InN较高的平衡蒸汽压是引起以上结果的主要原因。p-InGaN/GaN异质结10 K的光致荧光光谱中存在两个分别位于2.95eV和2.25 eV的发光峰,随着材料退火温度的提高,这两个发光峰的强度逐渐降低。提出了类施主补偿中心参与的与H相关的络合物与Mg受主的复合发光机制,对退火前后光致荧光光谱的变化进行了解释。

关键词： p-InGaN/GaN异质结退火光致荧光欧姆接触

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基于Ni/Ag/Pt的P型GaN欧姆接触

光电子．激光 2006年第6期17卷 650-653页

作者：马洪霞韩彦军申屠伟进张贤鹏罗毅钱可元清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室北京100084 清华大学深圳研究生院广东深圳518057

提出了新型的Ni/Ag/Pt结构作为具有高光学反射率、低比接触电阻率(SCR)的p-GaN欧姆接触电极。在Ni/Ag/Pt厚度分别为3 nm/120 nm/2 nm的条件下,在500℃、O2气氛中退火3 min,获得了80%的光学反射率(460 nm处)和4.43×10-4Ω.cm2的SCR,样... 详细信息

提出了新型的Ni/Ag/Pt结构作为具有高光学反射率、低比接触电阻率(SCR)的p-GaN欧姆接触电极。在Ni/Ag/Pt厚度分别为3 nm/120 nm/2 nm的条件下,在500℃、O2气氛中退火3 min,获得了80%的光学反射率(460 nm处)和4.43×10-4Ω.cm2的SCR,样品的表面均方根(RMS)粗糙度约为8nm。俄歇电子能谱(AES)分析表明,Pt很好地改善了Ag基电极退火后的表面形貌,Ni、Ag对形成良好的欧姆接触起了重要的作用。

关键词： GaN 欧姆接触 Ni/Ag/Pt 俄歇电子能谱(AES)

广义区间值q阶Orthopair犹豫模糊软集及其多属性决策

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山东大学学报(理学版) 2024年

作者：吴维张贤勇杨霁琳四川师范大学数学科学学院四川师范大学计算机科学学院四川师范大学智能信息与量子信息研究所

提出广义区间值q阶Orthopair犹豫模糊软集,定义并、交、补、且、或运算并研究相关性质。针对广义区间值q阶Orthopair犹豫模糊软集,提取关联区间值的平均隶属度和平均非隶属度,定义相关性和相关系数,得到扩张原则与基本性质。采用广义区... 详细信息

提出广义区间值q阶Orthopair犹豫模糊软集,定义并、交、补、且、或运算并研究相关性质。针对广义区间值q阶Orthopair犹豫模糊软集,提取关联区间值的平均隶属度和平均非隶属度,定义相关性和相关系数,得到扩张原则与基本性质。采用广义区间值q阶Orthopair犹豫模糊软集的相关系数,进行优化排序从而实施多属性决策,医疗资源实例及能源项目投资案例表明了新建决策方法的有效性。相关的建模、度量及决策有利于不确定分析与应用。

关键词： q阶Orthopair犹豫模糊集广义区间值模糊软集广义区间值q阶Orthopair犹豫模糊软集相关系数多属性决策

基于BCl_3感应耦合等离子体的蓝宝石光滑表面刻蚀

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光电子．激光 2007年第9期18卷 1078-1081页

作者：薛小琳韩彦军张贤鹏江洋马洪霞刘中涛罗毅清华大学电子工程系集成光电子学国家重点联合实验室北京100084

利用Ar/BCl3、Cl2/BCl3和SF6/BCl3感应耦合等离子体(ICP),研究了蓝宝石(Al2O3)材料的干法刻蚀特性。实验表明,优化BCl3含量(80%),可以提高对Al2O3衬底的刻蚀速率;在BCl3刻蚀气体中加入20%的Ar气可以在高刻蚀速率下同时获得优于未刻蚀Al... 详细信息

利用Ar/BCl3、Cl2/BCl3和SF6/BCl3感应耦合等离子体(ICP),研究了蓝宝石(Al2O3)材料的干法刻蚀特性。实验表明,优化BCl3含量(80%),可以提高对Al2O3衬底的刻蚀速率;在BCl3刻蚀气体中加入20%的Ar气可以在高刻蚀速率下同时获得优于未刻蚀Al2O3衬底表面的光滑刻蚀表面和较好的刻蚀侧壁,原子力显微镜(AFM)分析得到最优刻蚀平整度为0.039nm,俄歇电子能谱(AES)分析其归一化Al/O原子比为0.94。

关键词：蓝宝石(Al2O3) 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀 Ar/BCl3 表面平整度刻蚀速率