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面向工程的SoC技术及其挑战

计算机工程 2006年第23期32卷 229-231页

作者：冯亚林张蜀平北京大学微电子研究院北京100871 北京市122信箱9室北京100036

系统集成芯片(SoC)是21世纪集成电路的发展方向,它以IP核复用技术、超深亚微米工艺技术和软硬件协同设计技术为支撑,是系统集成和微电子设计领域的一场革命。该文阐述了SoC的设计与验证、IP的开发与复用以及工程化SoC所面临的超深亚微... 详细信息

系统集成芯片(SoC)是21世纪集成电路的发展方向,它以IP核复用技术、超深亚微米工艺技术和软硬件协同设计技术为支撑,是系统集成和微电子设计领域的一场革命。该文阐述了SoC的设计与验证、IP的开发与复用以及工程化SoC所面临的超深亚微米下的物理综合、软硬件协同设计、低功耗设计、可测性设计和可重用技术等方面的挑战。

关键词：集成电路系统集成芯片知识产权核超深亚微米协同设计

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美国硅谷现象分析

微电子学 2008年第4期38卷 530-533页

作者：张蜀平中国国防科技信息中心北京100142

美国微电子技术的研究和生产水平处于世界领先地位。为了保持微电子技术的领先地位,美国政府采取了一些前所未有的措施。文章简要介绍了美国微电子技术的发展历程,回顾了美国微电子发源地和世界上最大的微电子产业基地"硅谷"的演进过程... 详细信息

美国微电子技术的研究和生产水平处于世界领先地位。为了保持微电子技术的领先地位,美国政府采取了一些前所未有的措施。文章简要介绍了美国微电子技术的发展历程,回顾了美国微电子发源地和世界上最大的微电子产业基地"硅谷"的演进过程;着重分析和探讨了硅谷成功崛起的深层次原因。

关键词：硅谷电子信息产业微电子集成电路

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氧化钒薄膜的制备及特性研究

氧化钒薄膜的制备及特性研究

作者：张蜀平电子科技大学

学位级别：硕士

本文分别采用高纯五氧化二钒和高纯金属钒作为源和靶材，采用真空镀膜工艺，并通过正交试验设计优化了真空蒸发工艺和磁控溅射工艺制备氧化钒薄膜的实验过程，在实验中着重改变了对薄膜特性影响很大的几个工艺条件，如：功率、基片温度... 详细信息

本文分别采用高纯五氧化二钒和高纯金属钒作为源和靶材，采用真空镀膜工艺，并通过正交试验设计优化了真空蒸发工艺和磁控溅射工艺制备氧化钒薄膜的实验过程，在实验中着重改变了对薄膜特性影响很大的几个工艺条件，如：功率、基片温度，O/Ar比例等。实验表明蒸发功率一方面影响其厚度，另一方面对薄膜的结构也有较大影响。我们采用不同的热处理条件对薄膜材料进行了热处理，通过对热处理后的薄膜分析表明，热处理工艺条件对薄膜的性质影响也很大，对薄膜的XRD分析表明热处理后有结晶现象。磁控溅射薄膜材料电阻温度系数和方阻的测试表明样品的电阻温度系数为负值，相关曲线基本上呈线性变化。样品的方阻值在800Ω/□——950Ω/□的范围内。通过正交表的分析发现溅射电压对薄膜的这两个电学特性影响最大，为最重要的工艺条件。恰当选择在正交试验中的因素水平，改进实验条件后，得到的样品性能明显优于改进前的薄膜材料。薄膜的电阻温度系数和方阻值都有很大的提高。从薄膜材料的X射线光电子能谱分析看出，所得薄膜材料的含氧量过高，VO中的X值大于2。这表明，通过调节工艺参数，可以达到调节钒和氧的比例。

关键词：氧化钒薄膜磁控溅射真空热处理热敏薄膜

同方学位论文库评论

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微分算子与子波构造

电子学报 2002年第5期30卷 769-773页

作者：袁晓陈向东李齐良张蜀平蒋亚东虞厥邦四川大学电子信息学院四川成都610064 电子科技大学传感技术工程四川省重点实验室四川成都610054 四川大学物理学院四川成都610064 电子科技大学电子工程学院四川成都610054

将传统意义下的整数阶微分运算拓展到非整数阶微分情形 ,直接仿照整数阶微分在时域的极限定义形式是很困难的 .本文从分析微分运算的频域形式着手 ,将微分算子分解成幅度算子和相位算子 ,并将其与子波变换特征进行比照研究 ,从而解决了... 详细信息

将传统意义下的整数阶微分运算拓展到非整数阶微分情形 ,直接仿照整数阶微分在时域的极限定义形式是很困难的 .本文从分析微分运算的频域形式着手 ,将微分算子分解成幅度算子和相位算子 ,并将其与子波变换特征进行比照研究 ,从而解决了非整数阶微分的拓展问题 ,同时也得到了微分运算与子波变换的内在联系 ,为非整数阶微分计算提供了一种逼近方式 .文中提出了幅度算子。

关键词：微分算子子波构造子波变换信号处理

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CPU的过去、现在与未来

微电子学 2002年第5期32卷 362-365页

作者：冯亚林张蜀平赵和义北京市122信箱9室北京100036

文章叙述了 CPU的发展历史及现状 ,讨论了半导体加工工艺、计算机体系结构和功耗等关键技术问题对 CPU技术发展的影响。最后 ,对 CPU的发展前景进行了展望。

关键词： CPU 微处理器微电子

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集成电路的现状及其发展趋势

微电子学 2006年第2期36卷 173-176页

作者：冯亚林张蜀平北京大学微电子学研究院北京100871 北京市122信箱9室北京100036

集成电路是信息社会经济发展的基石。通过对集成电路发展规律的分析,从集成电路的设计、制造、新产品研发和市场动态等方面,描述了集成电路的最新动态;探讨了集成电路的发展趋势;指出集成电路与其它学科、技术的结合,不断形成新的研究方... 详细信息

集成电路是信息社会经济发展的基石。通过对集成电路发展规律的分析,从集成电路的设计、制造、新产品研发和市场动态等方面,描述了集成电路的最新动态;探讨了集成电路的发展趋势;指出集成电路与其它学科、技术的结合,不断形成新的研究方向;新材料、新结构、新器件不断涌现,特征尺寸继续缩小,摩尔定律仍然起作用。

关键词：集成电路微电子技术摩尔定律标准加工线系统集成芯片

中老年干部体检人群代谢综合征及合并心脑血管病的研究

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中华老年心脑血管病杂志 2005年第6期7卷 380-382页

作者：张蜀平李贤英游志清彭凌成都军区总医院干部病房高诊室四川成都610017

目的探讨中老年干部体检人群代谢综合征(Ms)的患病率,各年龄段Ms的分布及合并心脑血管病的状况.方法1985例中老年人进行健康体检.Ms患者按年龄分为≤50岁,51～60岁,61～70岁,71～80岁,＞81岁5组.分析各年龄组冠心病、高血压、肥胖、血... 详细信息

目的探讨中老年干部体检人群代谢综合征(Ms)的患病率,各年龄段Ms的分布及合并心脑血管病的状况.方法1985例中老年人进行健康体检.Ms患者按年龄分为≤50岁,51～60岁,61～70岁,71～80岁,＞81岁5组.分析各年龄组冠心病、高血压、肥胖、血脂异常等患病情况.结果Ms患病率26.3%,Ms及各组患病情况分析,高血压患病率52.2%,肥胖42.9%,血脂异常34.9%,高血糖34.7%,冠心病20.6%,高尿酸血症14.9%,脂肪肝10.5%,脑卒中5.2%.523例Ms患者中,高血压患病率91.8%,肥胖83.7%,血脂异常74.1%,高血糖70.7%.不同年龄组Ms患病分析显示,≤60岁组肥胖患病率最高,＞61岁各组高血压患病率最高.MS患者60岁以下年龄组脂肪肝患病率最高.＞61岁以上各年龄组冠心病患病率最高.Ms患者中冠心病、高尿酸血症、脂肪肝和脑卒中等疾病的患病率显著高于非MS受检者.结论MS的高患病率预示心、脑血管疾病患病率的增加.

关键词：代谢疾病高血压肥胖症冠状动脉疾病危险因素