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Si离子注入和退火温度对GaN黄光的影响

红外与毫米波学报 2002年第5期21卷 342-346页

作者：张纪才戴伦秦国刚曲阜师范大学物理系山东曲阜273165 北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室北京100871

对光致发光谱中无黄光和有强黄光的两组GaN样品作了Si离子注入 ,研究了Si离子注入及退火温度对其黄光的影响 .当退火温度升高时 ,不管是哪一组样品 ,其黄光强度和黄光强度与带边发光带强度之比都是增强的 .无黄光的GaN样品在注入Si离子... 详细信息

对光致发光谱中无黄光和有强黄光的两组GaN样品作了Si离子注入 ,研究了Si离子注入及退火温度对其黄光的影响 .当退火温度升高时 ,不管是哪一组样品 ,其黄光强度和黄光强度与带边发光带强度之比都是增强的 .无黄光的GaN样品在注入Si离子并经退火后出现明显的黄光 ;而有强黄光的GaN样品经相同处理后 ,其黄光强度较原生样品大大降低 .实验结果表明离子注入加上适当退火会在GaN中引入与黄光有关的深受主缺陷从而使黄光强度增加 ,此外 ,在离子注入过程中GaN表面不仅可以吸附离子注入引入的点缺陷 ,而且还能够吸附GaN中原有的与黄光有关的点缺陷 ,这种吸附作用随离子注入剂量增加而变强 .

关键词： GaN 离子注入光致发光谱黄光

基于启发隐喻分析的军事英语教材使用体验研究

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高等教育研究学报 2023年第4期46卷 103-109页

作者：伊娜张纪才武警工程大学基础部陕西西安710000

研究采用启发隐喻分析法,通过分析524名学生对于军事英语教材的隐喻,对学生的教材使用体验进行了探讨。研究发现,学习者对于教材既有积极评价也有消极评价,这主要归因于现行教材在认知、审美和情感三个维度存在一定的优势和不足。基于... 详细信息

研究采用启发隐喻分析法,通过分析524名学生对于军事英语教材的隐喻,对学生的教材使用体验进行了探讨。研究发现,学习者对于教材既有积极评价也有消极评价,这主要归因于现行教材在认知、审美和情感三个维度存在一定的优势和不足。基于教材使用者视角获得对教材的认知和看法,对军事英语教材的建设和课程教学具有借鉴意义。

关键词：军事英语教材教材使用启发隐喻分析使用体验

考研日语历年真题详解及全真模拟8套卷 2008-2015

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具有超高灵敏度、宽工作范围、低检测限的3D气凝胶可穿戴压力传感器用于语音识别和生理信号监测

2016年

作者：张纪才

《考研日语历年真题详解及全真模拟8套卷》对2008年至2015年的真题进行精解，给出了详细的参考答案和解析，设有【考点类型】【解题思路】【干扰分析】【难点注释】【知识拓展】等栏目，同时附有8套全真模拟试卷及其答案详解，考生可在... 详细信息

ISBN: (纸本)9787568225403

《考研日语历年真题详解及全真模拟8套卷》对2008年至2015年的真题进行精解，给出了详细的参考答案和解析，设有【考点类型】【解题思路】【干扰分析】【难点注释】【知识拓展】等栏目，同时附有8套全真模拟试卷及其答案详解，考生可在考前进行有针对性的复习演练，遇到疑难可翻阅答案与解析。

关键词：日语入学考试题解研究生

来源：汇雅图书（南通市图书馆... 评论

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汇雅图书（南通市图书馆）

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Science China Materials 2023年第5期66卷 1911-1922页

作者：尚成硕何翔天李晓迪刘泽瑞宋玉祥张玉林李旭鲁勇丁小康刘婷张纪才徐福建 State Key Laboratory of Chemical Resource Engineering Laboratory of Biomedical Materials and Key Lab of Biomedical Materials of Natural Macromolecules(Ministry of Education)Beijing University of Chemical TechnologyBeijing 100029China College of Mathematics and Physics Beijing University of Chemical TechnologyBeijing 100029China

随着智能电子设备的快速发展,对同时具有超高灵敏度、宽工作范围、低检测限的可穿戴压力传感器的需求越来越大.本文开发了一种基于超轻(29.5 mg cm^(-3))和弹性的3D壳聚糖/MXene(CS/MXene)复合气凝胶的压阻式压力传感器.由于CS和MXene... 详细信息

随着智能电子设备的快速发展,对同时具有超高灵敏度、宽工作范围、低检测限的可穿戴压力传感器的需求越来越大.本文开发了一种基于超轻(29.5 mg cm^(-3))和弹性的3D壳聚糖/MXene(CS/MXene)复合气凝胶的压阻式压力传感器.由于CS和MXene之间的强静电吸引力,具有良好机械性能的CS/MXene气凝胶只需一步冷冻干燥即可获得,无需额外的化学处理.CS/MXene复合气凝胶压力传感器在小压力区(<1 kPa)和大压力区(1-20 kPa)的灵敏度分别为709.38和252.37 kPa^(-1).在此压力范围下,其灵敏度是目前报道的同类型气凝胶压力传感器的最高值.此外,该传感器具有快速的响应时间(<120 ms)、1.4 Pa的超低检测限以及10,000次循环后几乎无衰减的良好稳定性.以上出色的性能不仅使得该传感器可用于检测肢体活动和空间压力分布等较大幅度的压力信号,而且还能准确检测脉搏、语音等微小压力信号.这种多功能的柔性压力传感器极大地拓宽了可穿戴电子器件在语音识别、健康监测和人机交互等诸多领域的应用范围.

关键词： wearable electronics CS/MXene aerogel piezoresistive pressure sensor voice recognition health monitoring

In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响

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物理学报 2004年第8期53卷 2467-2471页

作者：张纪才王建峰王玉田杨辉中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室武汉大学物理系武汉430072

利用x射线三轴晶衍射和光致发光谱研究了生长参数In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN GaN多量子阱结构缺陷 (如位错密度和界面粗糙度 )和光致发光的影响 .通过对 (0 0 0 2 )对称和 (1 0 1 2 )非对称联动扫描的每一个卫星峰的ω扫描 ,分别测... 详细信息

利用x射线三轴晶衍射和光致发光谱研究了生长参数In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN GaN多量子阱结构缺陷 (如位错密度和界面粗糙度 )和光致发光的影响 .通过对 (0 0 0 2 )对称和 (1 0 1 2 )非对称联动扫描的每一个卫星峰的ω扫描 ,分别测量出了多量子阱的螺位错和刃位错平均密度 ,而界面粗糙度则由 (0 0 0 2 )对称衍射的卫星峰半高全宽随级数的变化得出 .试验发现多量子阱中的位错密度特别是刃位错密度和界面粗糙度随In源流量与Ⅲ族源流量比值的增加而增加 ,导致室温下光致发光性质的降低 ,从而也证明了刃位错在InGaN GaN多量子阱中充当非辐射复合中心 .

关键词：半导体材料 X射线三轴晶衍射界面粗糙度 InGaN/GaN多量子阱生长参数螺位错刃位错

AlN:Er薄膜在不同退火温度下应力诱导的微观结构演变

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无机材料学报 2016年第3期31卷 285-290页

作者：阳明明莫亚娟王晓丹曾雄辉刘雪华黄俊张纪才王建峰徐科中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州215123 上海大学材料科学与工程学院上海200444 苏州科技学院物理科学与技术系苏州215009

以透射电镜中的弱束衍衬成像和高分辨相位衬度成像为主要表征手段,辅以X射线衍射、拉曼光谱等测试方法,对Al N:Er样品在退火过程中的微观结构演变过程进行了深入分析。在透射电镜观察下,Er离子注入的Al N样品在退火前存在三个区域:区域... 详细信息

以透射电镜中的弱束衍衬成像和高分辨相位衬度成像为主要表征手段,辅以X射线衍射、拉曼光谱等测试方法,对Al N:Er样品在退火过程中的微观结构演变过程进行了深入分析。在透射电镜观察下,Er离子注入的Al N样品在退火前存在三个区域:区域Ⅰ为自表面以下约30 nm深度;区域Ⅱ为区域I以下约50 nm深度;区域Ⅲ为区域Ⅱ以下的部分,其中区域Ⅱ为损伤最为严重的区域。在较低的温度(如1025℃时)退火后,区域Ⅰ消失;但1200℃退火后,又重新可以观察到区域Ⅰ。结合TEM、XRD和Raman测试结果,从损伤恢复和应力释放的角度对上述实验现象进行了理论解释:由于Er离子半径和基体原子半径的差异,在区域Ⅱ中引入较大的应力;在1025℃退火时,来自区域Ⅱ的应力作用于区域Ⅰ,导致区域I发生大的晶格扭曲,和区域II合并,用TEM观察不到;在1200℃退火时,应力在表面释放,区域I的晶格扭曲修复,从而用TEM可重新观察到。

关键词： AlN:Er 离子注入微观结构演变

在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥

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物理学报 2005年第9期54卷 4329-4333页

作者：刘仕锋秦国刚尤力平张纪才傅竹西戴伦北京大学物理学院北京100871 中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学技术大学物理系合肥230027

在现有的一台蒸发镀膜机基础上,设计加工了一个双热舟化学气相沉积系统.该系统具有真空度高、升温速度快、源和衬底温度可分别控制等优点,有利于化合物半导体纳米材料的生长.利用该生长系统,通过在生长过程中掺入等电子杂质In作为表面... 详细信息

在现有的一台蒸发镀膜机基础上,设计加工了一个双热舟化学气相沉积系统.该系统具有真空度高、升温速度快、源和衬底温度可分别控制等优点,有利于化合物半导体纳米材料的生长.利用该生长系统,通过在生长过程中掺入等电子杂质In作为表面活性剂,分别在Si衬底和3CSiCSi衬底上生长出高质量的具有纤锌矿结构的单晶GaN纳米线和纳米尖三棱锥.所得产物通过场发射扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、能量色散x射线谱仪、x射线衍射仪,和荧光谱仪进行表征.这里所用的生长方法新颖,生长出的GaN纳米尖三棱锥在场发射和激光方面有潜在的应用价值.

关键词： GaN 纳米结构透射电子显微镜光致荧光谱化学气相沉积系统 GaN纳米线生长系统 In 高分辨透射电子显微镜半导体纳米材料扫描电子显微镜技术 x射线衍射仪

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AlGaN中的应变状态

Journal of Semiconductors 2005年第Z1期26卷 1-4页

作者：张纪才王建峰王玉田杨辉中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京100083 武汉大学物理系武汉430072

用X射线衍射和卢瑟福背散射方法研究了生长在GaN上厚度为570nm的AlxGa1-xN外延层中的应变状态.实验结果显示AlGaN的共格因子在组分小于0.42时随组分的增加而近似线性减小,并且在0.42时达到30%,此后随组分的增加变化较慢,在x=1(AlN)时接... 详细信息

用X射线衍射和卢瑟福背散射方法研究了生长在GaN上厚度为570nm的AlxGa1-xN外延层中的应变状态.实验结果显示AlGaN的共格因子在组分小于0.42时随组分的增加而近似线性减小,并且在0.42时达到30%,此后随组分的增加变化较慢,在x=1(AlN)时接近0.在本实验条件中,由于GaN层处于压应变状态,导致与AlGaN外延层的失配变小,使得组分约为0.16的AlxGa1-xN外延层可以共格生长在GaN层上.

关键词：三轴晶X射线衍射 AlGaN 共格因子应变卢瑟福背散射

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离子注入GaN的拉曼散射研究

物理学报 2002年第3期51卷 629-634页

作者：张纪才戴伦秦国刚应丽贞赵新生山东曲阜师范大学物理系北京大学人工微结构与介观物理国家重点实验室北京大学物理学院北京100871 北京大学分子动态与稳态结构国家重点实验室

研究了离子注入前后GaN的拉曼散射光谱 ,特别是其中几个在各种离子注入后都存在的拉曼散射峰 ,如 2 98,36 2和 6 6 1cm- 1 峰的性质 ,峰值强度随注入元素原子量、注入剂量和退火温度的变化关系 .上述三个拉曼散射峰的强度都随注入元素... 详细信息

研究了离子注入前后GaN的拉曼散射光谱 ,特别是其中几个在各种离子注入后都存在的拉曼散射峰 ,如 2 98,36 2和 6 6 1cm- 1 峰的性质 ,峰值强度随注入元素原子量、注入剂量和退火温度的变化关系 .上述三个拉曼散射峰的强度都随注入元素原子量的增加而降低 .当注入剂量增大时 ,36 2和 6 6 1cm- 1 峰值强度减少 ,而 2 98cm- 1 峰值强度却增大 .随退火温度的升高 ,这三个拉曼散射峰的强度先增加后降低 .对所观察到的实验现象和这三个峰的起源进行了分析和讨论 .

关键词：离子注入 GaN 拉曼散射局域振动氮化镓