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钛酸铅材料温度系数的改善

压电与声光 1999年第3期21卷 219-223页

作者：万学华戴黎明张火荣嘉兴市电子陶瓷厂

随着压电陶瓷器件向高频方向发展，材料的温度稳定性尤显重要。文章除了对ＡＢＯ３钙钛矿型结构的钛酸铅材料进行Ａ位取代外，并且添加适量的氧化物杂质，从而获得了频率温度稳定性优良的改性ＰｂＴｉＯ３压电陶瓷材料。

关键词：钛酸铅频率温度系数掺杂压电陶瓷

MgTiO_3微波介质材料介电性能的改善研究

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电子元件与材料 2003年第2期22卷 28-30页

作者：陶锋烨葛迪云张火荣浙江嘉康电子股份有限公司浙江嘉兴314000

对影响MgTiO3微波介质材料介电性能的机理进行了初步探讨,通过用Ca、Nb、La、Zn、Ni等对MgTiO3微波介质材料进行掺杂改性,得到一种生产工艺稳定,品质因数Q高,f(谐振频率温度系数)低,烧结温度较低(1 260℃)的微波介质材料。该材料能广泛... 详细信息

对影响MgTiO3微波介质材料介电性能的机理进行了初步探讨,通过用Ca、Nb、La、Zn、Ni等对MgTiO3微波介质材料进行掺杂改性,得到一种生产工艺稳定,品质因数Q高,f(谐振频率温度系数)低,烧结温度较低(1 260℃)的微波介质材料。该材料能广泛用于制作GPS(全球卫星定位系统)天线、介质滤波器、介质谐振器等微波介质器件。

关键词： MgTiO3 微波介质材料介电性能钛酸镁陶瓷烧结温度

(1-x)CaTiO_3-x(Li_(1/2)Ln_(1/2))TiO_3高介微波介质陶瓷

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压电与声光 2010年第2期32卷 284-286页

作者：王茹玉方涛张火荣陶锋烨葛迪云浙江嘉康电子股份有限公司浙江嘉兴314000

研究了烧结温度、组成和稀土元素对(1-x)CaTiO3-x(Li1/2Ln1/2)TiO3(x=0.3、0.5(摩尔分数);Ln=La、Nd、Sm)微波介质陶瓷的晶体结构和微波介电性能的影响。X-射线衍射(XRD)分析表明,除(1-x)CaTiO3-x(Li1/2Ln1/2)TiO3(x=0.5,Ln=Nd)陶瓷中含有少量Nd2Ti2O7外,其余陶瓷均形成了单一的正交钙钛矿相。x=0.5的样品微波介电性能明显优于相应的x=0.3的样品。(1-x)CaTiO3-x(Li1/2Ln1/2)TiO3(x=0.5)陶瓷微波介电性能:介电常数ε=160,品质因数与频率之积Qf=1 200 GHz,频率温度系数τf=-97×10-6/℃(Ln=La);ε=129,Qf=2 000 GHz,fτ=-52×10-6/℃(Ln=Nd);ε=118,Qf=2 305 GHz,τf=-45×10-6/℃(Ln=Sm)。

关键词：微波介质陶瓷 X-射线衍射(XRD) 微波介电性能稀土元素

基于三次谐波PbTiO_3陶瓷t_c的研究

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电子元件与材料 2002年第8期21卷 11-13页

作者：陶锋烨张火荣黄国华戴黎明浙江嘉康电子股份有限公司浙江嘉兴314000

通过对A[Pb(1-3x/2-y)LaxCayTiO3]+B TiO2系统陶瓷的研究,采用La、Ca适量取代Pb和调整适量游离态的TiO2,并通过Bi、Ce、Cr掺杂的办法,得到一种具有较高tC能满足片式元件温度需求的工业用三次谐波PbTiO3陶瓷,同时对改善PbTiO3陶瓷材料tC... 详细信息

通过对A[Pb(1-3x/2-y)LaxCayTiO3]+B TiO2系统陶瓷的研究,采用La、Ca适量取代Pb和调整适量游离态的TiO2,并通过Bi、Ce、Cr掺杂的办法,得到一种具有较高tC能满足片式元件温度需求的工业用三次谐波PbTiO3陶瓷,同时对改善PbTiO3陶瓷材料tC的机理进行了初步的探讨。

关键词： PbTiO3 tc 钛酸铅陶瓷三次谐波居里温度取代掺杂

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机房工程屏蔽设计的几点考虑

智能建筑 2011年第2期 51-51,57页

作者：高京拴张火荣北方设计研究院

本文论述了机房工程进行屏蔽设计时需要考虑的屏蔽指标、屏蔽结构、屏蔽配套设备及综合布线等问题，对机房屏蔽工程的规划和设计具有一定的意义。

关键词：机房工程屏蔽

维普期刊数据库评论

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高Q中介微波介质陶瓷的研制

电子元件与材料 2006年第7期25卷 19-20页

作者：葛迪云沈小观陶锋烨张火荣浙江嘉康电子股份有限公司浙江嘉兴314000

用传统固相反应法制备了CaTiO3-Ca(Zn1/3Nb2/3)O3-CaSmAlO4微波介质陶瓷材料。探讨了各组分比例变化对陶瓷烧结及微波介电性能的影响。通过XRD、SEM等分析测试手段对材料的晶相组成、显微结构进行了研究。所研究的该系列陶瓷材料大部分... 详细信息

用传统固相反应法制备了CaTiO3-Ca(Zn1/3Nb2/3)O3-CaSmAlO4微波介质陶瓷材料。探讨了各组分比例变化对陶瓷烧结及微波介电性能的影响。通过XRD、SEM等分析测试手段对材料的晶相组成、显微结构进行了研究。所研究的该系列陶瓷材料大部分都具有良好的微波介电性能:εr为45～50,Q·f0>38000GHz,τf<10×10–6℃–1。

关键词：无机非金属材料微波介质陶瓷 XRD SEM 介电性能

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“纺织品染色”课程项目化教学的实施

纺织服装教育 2014年第5期29卷 422-425页

作者：戴桦根刘会曹颖胡传国张火荣嘉兴职业技术学院纺织与艺术设计分院浙江嘉兴314036 嘉兴欣昌印染有限公司浙江嘉兴314036 嘉兴锦丰纺织整理有限公司浙江嘉兴314036

针对职业教育提出的"任务驱动、项目引领"课程改革要求,结合"纺织品染色"精品课程的建设,进行"纺织品染色"课程项目化教学,提出课程在项目化教学中应注意的一些问题。

关键词：纺织品染色课程改革项目化教学

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双轴同轴型微波介质滤波器的仿真与设计

电子元件与材料 2009年第4期28卷 14-17页

作者：张丽慧张火荣夏永明陶锋烨方涛浙江嘉康电子股份有限公司浙江嘉兴314000 浙江理工大学浙江杭州310018

在介绍双轴同轴型谐振微波介质滤波器结构及工作原理基础上,利用理论公式计算与HFSS10.0三维有限元仿真的混合设计方法,设计了满足性能要求(插入损耗为–3dB以上;–3dB带宽为18MHz以上)的微波介质滤波器。滤波器试样实际测试结果表明,... 详细信息

在介绍双轴同轴型谐振微波介质滤波器结构及工作原理基础上,利用理论公式计算与HFSS10.0三维有限元仿真的混合设计方法,设计了满足性能要求(插入损耗为–3dB以上;–3dB带宽为18MHz以上)的微波介质滤波器。滤波器试样实际测试结果表明,该设计方法正确可行,测试结果与仿真结果有很好的一致性,最终设计出的滤波器插入损耗为–2.83dB,–3dB带宽为35MHz。

关键词：双轴同轴微波介质滤波器 HFSS仿真插入损耗带宽

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无铅压电陶瓷的晶格缺陷对压电性能影响研究

四川大学学报（自然科学版） 2005年第S1期42卷 25-28页

作者：李国荣赵苏串张丽娜王天宝丁爱丽殷庆瑞董元丰陶峰张火荣中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050 浙江嘉康电子有限公司

无铅压电陶瓷中,绝大部分是以三价铋取代二价铅的含铋无铅压电陶瓷.含铋压电陶瓷与有铅压电陶瓷相比,在烧结时出现的液相温度比含铅陶瓷低,陶瓷烧结温度也比含铅压电陶瓷低;铋容易挥发,陶瓷晶粒中易出现氧空位;三价铋的极化率虽然与二... 详细信息

无铅压电陶瓷中,绝大部分是以三价铋取代二价铅的含铋无铅压电陶瓷.含铋压电陶瓷与有铅压电陶瓷相比,在烧结时出现的液相温度比含铅陶瓷低,陶瓷烧结温度也比含铅压电陶瓷低;铋容易挥发,陶瓷晶粒中易出现氧空位;三价铋的极化率虽然与二价铅的相当,但其结构对称性下降,晶体的各向异性大,90°电畴不易随电场取向,因而压电性能不如含铅陶瓷相变.作者主要是对含铋无铅压电陶瓷中由于铋挥发引起的晶格缺陷偶极子,它们在电场作用下的取向排列对压电性能影响进行了研究.

关键词：钛酸铋钠钛酸铋钾无铅压电陶瓷晶格缺陷