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检索条件"作者=张滢清"
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推扫成像中针对细分采样累加的反降晰算法
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量子电子学报 2008年 第5期25卷 610-614页
作者: 张滢清 王建宇 华侨大学信息科学与工程学院 福建泉州362021 中国科学院上海技术物理研究所 上海200083
为了降低细分采样累加方式对线列推扫成像晰度的影响,利用孔径函数的变换,提出了相应的反降晰方法,实现了同一个位置上的像元累加,使得推扫方向上的孔径函数和线列方向等同,消除了累加过程中像元位移的影响。在细分采样累加倍数为4的... 详细信息
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480×6长波红外探测器的低噪声采集系统设计
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激光与红外 2009年 第11期39卷 1177-1182页
作者: 谢宝蓉 傅雨田 张滢清 中国科学院上海技术物理研究所 上海200083 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 上海200241
480×6长波制冷红外探测器是一款480列,6阶TD I的高探测器率的CMOS探测器。以此探测器为例,介绍了长波红外探测器采集系统的低噪声设计过程。着重解决了硬件电路在满足驱动的条件下如何降低噪声的问题,试验结果表明采集系统工作正常,且... 详细信息
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推扫成像中积分时间对孔径函数的影响分析
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红外技术 2007年 第3期29卷 147-150页
作者: 张滢清 傅雨田 华侨大学信息科学与工程学院 福建泉州362021 中科院上海技术物理研究所 上海200083
分析了线列推扫成像中,积分时间对采样孔径函数的影响。给出了在推扫方向上随着积分时间变化的梯形采样孔径函数,并根据该孔径函数,分析了积分时间和输入频率对截取过程中的调制传递函数值下降速度的影响,同时对细分采样叠加成像方式与... 详细信息
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长波红外相机细分采样迭加像元传递函数分析
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红外与激光工程 2003年 第3期32卷 309-312页
作者: 张滢清 傅雨田 王建宇 中国科学院上海技术物理研究所 上海200083
根据长波红外探测器的特点,阐述了细分采样迭加技术的应用目的和原理,在像元传递函数(PTF)的基础上分析细分采样和迭加对PTF的影响,给出了不同细分倍数m对应的细分采样迭加PTF。随着m的增加,推扫采样方式由单次瞬时采样(m=1)转变为全驻... 详细信息
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高分辨率遥感卫星有效载荷系统技术
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红外 2001年 第8期22卷 1-10页
作者: 张瀅 中国科学院上海技术物理研究所
所谓高分辨率图像是指那些地面分辨率优于5 m或5 m左右的陆地遥感图像数据.高分辨率遥感系统有着比常规遥感系统高得多的功能密度(即性能高,重量轻).1960年10月,美国KH-1普查型照相侦察卫星发射成功,标志着高分辨率成像卫星遥感的开始,... 详细信息
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细分采样叠加技术在推扫式长波红外成像中的应用
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量子电子学报 2006年 第2期23卷 263-267页
作者: 张滢清 王建宇 傅雨田 中国科学院上海技术物理研究所 上海200083
在推扫式长波红外成像系统中,由于强辐射背景的存在,探测器的饱和积分时间只占像元驻留时问的十分之一甚至几十分之一,针对这种情况,将细分采样叠加技术应用在该类成像系统中,可以有效地利用推扫成像方式相对于机械扫描成像方式在驻留... 详细信息
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长波红外探测器接收的冷屏内壁辐射估算
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红外与激光工程 2007年 第Z1期36卷 221-224页
作者: 张滢清 张鑫 傅雨田 华侨大学 信息科学与工程学院福建泉州362021 冲科院上海技术物理研究所上海200083 冲科院上海技术物理研究所上海200083
长波红外相机中的背景辐射来源于多个系统部件,其中包括实际工程忽略的冷屏内壁.通过对冷屏和探测器的建模,在冷屏内壁发黑情况下对辐射量级进行估算,并考虑一次反射的情况,得出在相关假设条件下探测器中心单元接收到的冷屏背景辐射功... 详细信息
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320×256长波红外探测器低噪声采集系统设计
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红外技术 2010年 第4期32卷 191-194,203页
作者: 谢宝蓉 傅雨田 张滢清 中国科学院上海技术物理研究所 上海200083 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 上海200241
针对320×256长波红外焦平面探测器工作原理和输出信号特点,从低噪声角度出发,设计了长波红外探测器采集系统,着重解决了如何在满足驱动能力条件下降低噪声问题。对提供精密偏置电压和输出信号处理过程给出了详细的设计思路和实现方法... 详细信息
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缓冲层对p-a-Si/n-c-Si异质结太阳电池影响的计算分析
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中国科学:物理学、力学、天文学 2013年 第8期43卷 923-929页
作者: 白晓宇 郭群超 柳琴 庞红杰 张滢清 李红波 上海太阳能工程技术研究中心 上海200241
采用AFORS-HET和MATLAB从理论上研究了缓冲层对HIT电池性能的影响机理.首先对P层进行优化,发现高掺杂、薄厚度的P层有利于电池效率的提升.缓冲层主要的影响有两方面,一是界面态密度,二是与晶体硅形成能带失配.模拟发现,界面态增大导致... 详细信息
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PECVD法生长晶化硅薄膜的机理
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材料科学与工程学报 2013年 第3期31卷 361-364,435页
作者: 白晓宇 郭群超 柳琴 庞宏杰 张滢清 李红波 上海太阳能工程技术研究中心 上海200241 上海空间电源研究所 上海200245
硅薄膜在太阳电池中有非常重要的应用,薄膜的晶化对硅薄膜的性质和太阳电池效率都有很大影响,研究薄膜晶化理论具有重要意义。选择刻蚀模型认为H原子会轰击薄膜生长表面,打断吸附较弱的化学键,促使形成强的Si-Si键,使薄膜发生晶化。通过... 详细信息
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