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检索条件"作者=张正璠"
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大规模集成电路工艺中“鸟头”平坦化的研究
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微电子学 2002年 第3期32卷 192-194页
作者: 欧益宏 张正璠 黄路 杨忠 信息产业部电子第二十四研究所
介绍了大规模集成电路 ( VLSI)工艺中“鸟头”的形成 ,研究了平坦化“鸟头”的原理和过程。着重讨论了平坦剂的选择和涂胶 ,以及利用干法刻蚀进行平坦化的各种参数 ,获得了实用的平坦化“鸟头”的工艺条件。“鸟头”高度由原来的 0 .7μ... 详细信息
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CMOS自对准硅化钛工艺研究
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微电子学 1999年 第6期29卷 455-458页
作者: 崔伟 张正璠 信息产业部电子第二十四研究所 重庆400060
形成硅化物的技术有多种:蒸发、溅射和化学气相淀积。文中对单靶溅射钛膜进行了研究。采用两步快速热退火工艺形成TiSi2,通过实验。
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薄膜全耗尽积累型SOIMOS器件在(27~300℃)宽温区高温特性的研究
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电子器件 2002年 第1期25卷 18-21页
作者: 冯耀兰 樊路加 宋安飞 施雪捷 张正璠 东南大学微电子中心 南京210096 信息产业部电子第24所 重庆400060
本文在对 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在 (2 7~ 30 0℃ )宽温区高温特性 ,理论和实验研究结果表明 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件实验样品在 (2 7~ 3... 详细信息
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一种实用化的互补双极工艺技术
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微电子学 2000年 第1期30卷 66-68页
作者: 张正 张正璠 信息产业部电子第二十四研究所 重庆400060
在3μm工艺条件下开发了一套实用的互补双极工艺(CB)。利用此工艺制造出特征频率分别为3.2GHz和1.6GHz的高性能NPN与PNP管,并成功地集成在压摆率高达2200V/μs的高速运算放大器芯片中。
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降低集成化平面螺旋电感寄生串联电阻的途径
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微电子学 2001年 第5期31卷 360-362页
作者: 温志渝 张正 徐世六 吴英 张正璠 重庆大学光电工程学院 重庆400044 信息产业部电子第二十四研究所 重庆400060
对集成化平面电感的串联电阻对电感 Q值的影响进行了计算机模拟分析 ,结果表明 ,微型电感中的串联电阻对电感 Q值的影响严重 ,在电感的串联电阻大于 2 0 0Ω时 ,电感的 Q值下降到 1左右 ,已无法满足实际需要。围绕微型电感中对串联电阻... 详细信息
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8B/10B编码器新型算法结构的设计与实现
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微电子学与计算机 2016年 第10期33卷 151-154,158页
作者: 王方 周璐 张正璠 江南大学物联网工程学院 江苏无锡214122 中国电子科技集团公司第五十八研究所 江苏无锡214122
针对目前数据传输对高速率的要求,在保留传统8B/10B编码优点的基础上,设计并实现了一种8B/10B新型算法结构,完成数据码和特殊码并行编码,编码器通过Cadence的NCVerilog进行功能验证,完成电路仿真与实现.通过Synopsys的Design Compiler... 详细信息
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一种CMOS四象限模拟乘法器的设计
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微电子学 1993年 第4期23卷 7-12,26页
作者: 张正璠 电子工业部第24研究所 四川重庆630060
本文提出了一种CMOS四象限模拟乘法器。这种乘法器基于MOS晶体管的电流-电压平方关系,采用线性MOS跨导器、悬浮电压发生器和线性MOS电阻完成乘法运算。这种乘法器具有单端输出电压和较好的温度特性。文章比较详细地介绍了电路特点和工... 详细信息
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射频微机械共面波导开关测试技术研究
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微电子学 2003年 第1期33卷 12-14,18页
作者: 张正 肖坤光 徐世六 张正璠 欧益宏 温志渝 重庆大学光电工程学院 重庆400044 中国电子科技集团公司第二十四研究所
 通过对射频微机械共面波导(CPW)开关的工作原理进行分析,提出了一种测试射频微机械开关的电路结构。根据Cadence工作站的模拟,验证了该方案的可行性,并获得了该测试结构的优化电参数条件,为射频微机械CPW开关的测试和应用打下了基础。
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具有新平面终端的高压双极晶体管
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微电子学 1993年 第6期23卷 59-62页
作者: 张正璠
1 引言在达到双极功率技术的最大性能之前仍需做许多工作。但是随着离子注入和微细光刻之类的半导体工艺的发展,功率器件技术已取得了许多进展。不断地改进了双极功率晶体管的维持能量,电流分散和开关速度。为满足功率电子学产业的需要... 详细信息
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硅片直接键合过程中的界面控制
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微电子学 1993年 第1期23卷 11-14页
作者: 张正璠 机电部第24研究所 四川重庆630060
本文研究了键合片Si/Si界面SiO_2层与材料、化学处理、键合条件及高温处理的关系,并研究了键合片中Si/SiO_2界面态与工艺的关系。
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