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挤压丝锥

挤压丝锥

利用 X射线衍射分析自组织生长的量子点结构

1983年

作者：（苏）明沙柯夫（В.М.Меньщаков）孙士珍张景文译

本书以实验为基础,论述了挤压丝锥的理论,计算与设计,对螺纹挤压过程的基本槪念.挤压丝锥的最佳几何参数制造工艺等

ISBN: (纸本)15034·2561

本书以实验为基础,论述了挤压丝锥的理论,计算与设计,对螺纹挤压过程的基本槪念.挤压丝锥的最佳几何参数制造工艺等

关键词：挤压丝锥

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光子学报 2002年第7期31卷 837-840页

作者：张党卫张景文侯洵西北大学光子学与光子技术研究所西安710069 中国科学院西安光学精密机械研究所西安710068

将 In As/Ga As多层量子点处理成夹层结构 ,考虑到大的应变 ,用多层膜的 X射线衍射的动理学理论进行了理论模拟 ,得出其应变参量及各层厚度 .将量子点近似看成金字塔形 ,从而点的衍射可以看成三角形衍射 ,利用三角形的傅里叶变换 ,求得... 详细信息

将 In As/Ga As多层量子点处理成夹层结构 ,考虑到大的应变 ,用多层膜的 X射线衍射的动理学理论进行了理论模拟 ,得出其应变参量及各层厚度 .将量子点近似看成金字塔形 ,从而点的衍射可以看成三角形衍射 ,利用三角形的傅里叶变换 ,求得量子点的横向周期为1 0 .6nm,与三轴衍射结果求得量子点的横向周期 ( 1 0 .7± 0 .2 nm)一致。

关键词：自组织生长结构 X射线衍射量子点动理学理论金字塔形半导体

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关于重新修订《破产法》的法律思考

中外法学 1995年第3期7卷 54-57页

作者：张景文辽宁省社会科学院经济法研究所

《中共中央关于建立社会主义市场经济体制若干问题的决定》明确指出:“企业在市场竞争中优胜劣汰,长期亏损、资不抵债的依法破产”。实行企业破产法律制度,是发展社会化大生产和市场经济的必然要求,是建立现代企业制度的重要基石和法律... 详细信息

《中共中央关于建立社会主义市场经济体制若干问题的决定》明确指出:“企业在市场竞争中优胜劣汰,长期亏损、资不抵债的依法破产”。实行企业破产法律制度,是发展社会化大生产和市场经济的必然要求,是建立现代企业制度的重要基石和法律保障,是按照市场经济体制框架和企业深化改革取向,构筑整个现代企业法律制度的重要组成部分。为了适应市场经济新时期的需要,规范企业破产处理运行规则,笔者认为修订《破产法》势在必行。本文拟就现行《破产法》实施中的问题、成因及重新修订《破产法》应规定的一些主要内容,谈点粗浅意见。《中华人民共和国企业破产法(试行)》(以下简称《破产法》),自86年12月2日公布。

关键词：《破产法》企业破产破产企业国有企业破产处理破产申请破产案件债权人债务人破产界限

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海南岛沿岸全新世地层与海面变化的初步研究

地质科学 1979年第4期4卷 350-358页

作者：赵希涛彭贵张景文中国科学院地质研究所国家地震局地质研究所

研究沿海地区全新世沉积特征与形成年代,进行地层划分与对比,恢复沉积环境及演变历史,对探讨海岸线变迁、海平面变化与地壳运动等理论问题,有重要意义。以往,海南岛沿岸全新世沉积与地层的研究比较薄弱,主要涉及珊瑚礁、沿岸砂堤等。近... 详细信息

研究沿海地区全新世沉积特征与形成年代,进行地层划分与对比,恢复沉积环境及演变历史,对探讨海岸线变迁、海平面变化与地壳运动等理论问题,有重要意义。以往,海南岛沿岸全新世沉积与地层的研究比较薄弱,主要涉及珊瑚礁、沿岸砂堤等。近年来,作者等在海南岛进行第四纪地质调查中,研究了沿岸地区的海滩岩、珊

关键词：全新世地层初步研究珊瑚礁海平面变化石英砂岩海滩岩碳酸盐岩海面变化鹿回头晚全新世砂砾岩泻湖相过渡相有机质粘土滨海相沉积海南岛

透射式GaAs光电阴极AlGaAs窗层Al组份的X射线衍射分析

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光子学报 2002年第4期31卷 454-457页

作者：李晓峰张景文高鸿楷侯洵中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室西安710068

研究了 Al Ga As窗层中 Al组份的 X射线衍射分析原理和计算方法。

关键词： GaAs AlGaAs 光电阴极晶格常量 X线射衍射砷化镓镓铝砷化合物

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三代管MCP离子阻挡膜研究

光子学报 2001年第12期30卷 1496-1499页

作者：李晓峰张景文高鸿楷侯洵中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室西安710068

三代管中 Ga As光电阴极的表面 Cs- O层经不住正离子的轰击 ,但在 MCP的通道内 ,由于二次电子倍增 ,在 MCP通道的输出端 ,电子密度较大 ,所以 MCP通道内的残余气体分子就会被电离 ,正离子在电场的作用下向阴极方向运动 ,最终轰击阴极的... 详细信息

三代管中 Ga As光电阴极的表面 Cs- O层经不住正离子的轰击 ,但在 MCP的通道内 ,由于二次电子倍增 ,在 MCP通道的输出端 ,电子密度较大 ,所以 MCP通道内的残余气体分子就会被电离 ,正离子在电场的作用下向阴极方向运动 ,最终轰击阴极的表面 Cs- O层 ,使阴极的灵敏度衰退 .所以在 MCP的输入端制作一层 Al2 O3 离子阻挡膜对延长阴极的寿命是至关重要的作用 .本文介绍了 MCP离子阻挡膜的离子阻挡和电子透射原理 ,离子阻挡膜厚度的确定以及离子阻挡膜的制作工艺 .

关键词： GaAs MCP 光电阴极离子阻挡膜三代管砷化镓电子透射 Al2O3 三氧化二铝