检索结果-南通市图书馆

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

我国航天微电子技术

微电子学与计算机 1992年第4期9卷 1-4页

作者：黄敞张成勋航空航天部骊山微电子学研究所陕西临潼710600

文章介绍了微电子技术在航天系统中的地位及其基本规律;微电子产品的更新换代,最后提出了对我国发展航天微电子技术的几点建议。

关键词：微电子技术航天系统

应用心电信号叠加高频显示心房波鉴别诊断QRS增宽型心动过速

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中华物理医学杂志 1993年第3期15卷 150-153页

作者：张成勋陈惠斌中国医科大学附属第一医院沈阳市 110001 心功能科中国医科大学附属第一医院沈阳市 110001 心脏科

对13例室律整齐的QRS增宽型心动过速病人进行了心电信号叠加高频分析。6例室性心动过速者在心电信号叠加高频滤波图上均看不到心房波（A波），而7例QRS增宽型室上性心动过速者在心电信号叠加高频滤波图上均看到A波。表明应用心电信号叠... 详细信息

对13例室律整齐的QRS增宽型心动过速病人进行了心电信号叠加高频分析。6例室性心动过速者在心电信号叠加高频滤波图上均看不到心房波（A波），而7例QRS增宽型室上性心动过速者在心电信号叠加高频滤波图上均看到A波。表明应用心电信号叠加高频显示心房波的方法有助于室律整齐的室性心动过速与QRS增宽型室上性心动过速的鉴别诊断。

关键词：心电信号叠加心房波心动过速

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

心电信号叠加高频显示心房波

中华内科杂志 1991年第10期30卷 652-653页

作者：张成勋龚传斌王永权杨军中国医科大学附属第一医院

在本院门诊和住院病人以及正常人中随机选择窦性心律正常房室传导者48例,其中包括ST段下移、ST段上移、T波低平或倒置以及ST-T正常者。应用美国ART 1200 EPX型高分辨心电图仪行体表心电信号叠加、放大,并行固定频率的高通滤波。在正交导...

在本院门诊和住院病人以及正常人中随机选择窦性心律正常房室传导者48例,其中包括ST段下移、ST段上移、T波低平或倒置以及ST-T正常者。应用美国ART 1200 EPX型高分辨心电图仪行体表心电信号叠加、放大,并行固定频率的高通滤波。在正交导联X、

关键词：

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

老年人高血压左心房增大临床影响因素分析

中华老年医学杂志 1998年第4期17卷 241-242页

作者：贾志梅陈智曾定尹张成勋中国医科大学第一临床学院循环内科中国医科大学卫生统计教研室

老年人高血压左心房增大临床影响因素分析贾志梅陈智曾定尹张成勋一、对象和方法对象：高血压患者９６例，男５３例，女４３例；年龄６０～８０岁，平均６５．４±４．３岁；病程１～２５年。符合１９７８年ＷＨＯ高血压诊断标准。排除... 详细信息

老年人高血压左心房增大临床影响因素分析贾志梅陈智曾定尹张成勋一、对象和方法对象：高血压患者９６例，男５３例，女４３例；年龄６０～８０岁，平均６５．４±４．３岁；病程１～２５年。符合１９７８年ＷＨＯ高血压诊断标准。排除与左心房（左房）增大有关疾病的患者...

关键词：高血压老年人左心房增大影响因素

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

各种MOS工艺的特点

微电子学与计算机 1972年第2期1卷 63-70页

作者：张成勋

当考虑不同的MOS工艺时,要注意的两个最主要的特点是使用价值和成本。诚然,封装密度、功率、易设计性、可靠性、与TTL的匹配和速度也是重要的。没有一种工艺或几种工艺的组合能同时满足这些要求。因此,选用那种工艺视使用要求而定。

关键词： MOS 离子注入氮化硅 TTL 离子掺杂四氮化三硅氮化物硅栅

采用CVD AI2O3薄膜的具有平面互连结构的多层金属化

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

微电子学与计算机 1976年第3期 44-51页

作者：张成勋

大规模集成电路的研究,要求利用一层以上的金属化,以实现高封装密度。在普通的多层结构中,用绝缘氧化物将某层金属与其他层金属分开,这样,于金属边缘处就会存在许多台阶,结果限制了可靠性与成品率。在制造多层结构时,平面互连结构是有... 详细信息

大规模集成电路的研究,要求利用一层以上的金属化,以实现高封装密度。在普通的多层结构中,用绝缘氧化物将某层金属与其他层金属分开,这样,于金属边缘处就会存在许多台阶,结果限制了可靠性与成品率。在制造多层结构时,平面互连结构是有希望的。

关键词：互连结构 CVD AI2O3 光致抗蚀剂光刻胶抗腐蚀金属化 AI

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

MOS器件的辐照效应及其加固

微电子学与计算机 1972年第4期 22-39页

作者：张成勋

题示Ⅰ前言Ⅱ普通热生长二氧化硅MOS器件的辐照效应一、MOS器件的永久性辐照响应二、MOS器件的瞬时辐照响应Ⅲ MOS器件的辐照加固Ⅳ结语

关键词： MOS 抗辐照空间电荷大气体电荷器件加固辐照效应

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体器件辐照损伤机理及加固

微电子学与计算机 1980年第6期 18-38页

作者：张成勋

Ⅰ、前言在航天、导弹等军事电系统硬件信成化的过程中,必须对核武器效应的影响引起足够重视。在核爆炸环境内,半导体器件的表现通常是很脆弱的。它们对核爆炸释放的高能粒子有不同形式的响应:γ射线辐照的结果,在半导体器件内产生与剂... 详细信息

Ⅰ、前言在航天、导弹等军事电系统硬件信成化的过程中,必须对核武器效应的影响引起足够重视。在核爆炸环境内,半导体器件的表现通常是很脆弱的。它们对核爆炸释放的高能粒子有不同形式的响应:γ射线辐照的结果,在半导体器件内产生与剂量率《成正比的光电

关键词：光电流辐照剂量表面态加固措施半导体器件电子设备正空间电荷辐照损伤电压空穴载流子(半导体) 晶体管半导体三极管施主能级兰宝石态密度辐照条件

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

P沟耐熔金属自对MOS场效应晶体管

微电子学与计算机 1972年第2期1卷 41-52页

作者：张成勋

本文讨论和实验了P沟Mo栅自对MOS场效应晶体管的制造技术。获得了良好的P沟器件。鉴定了包括结特性、阈值电压、稳定性、有效沟道迁移率和Si—SiO2介面研究在内的器件特性,并与理论推算值做了比较。采用这种简单程序制造的场效应晶体管... 详细信息

本文讨论和实验了P沟Mo栅自对MOS场效应晶体管的制造技术。获得了良好的P沟器件。鉴定了包括结特性、阈值电压、稳定性、有效沟道迁移率和Si—SiO2介面研究在内的器件特性,并与理论推算值做了比较。采用这种简单程序制造的场效应晶体管的阈值电压,依据Mo和Si—SiO2系统的固有特性,可以予先控制。在低电场情况下,有效迁移率的理论推算值与实验数据相吻合,但在高电场时理论推算值则太低了。结构类似的集成电路与TTL匹配,其阈值重复性良好,同时在加速温度——偏压寿命实验中是稳定的。

关键词：场效应晶体管单极晶体管场效应器件 MOS 栅电极阈值电压平带电压沟道器件