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多媒体课件在英语阅读课中的恰当运用

中小学英语教学与研究 2009年第7期 41-42,46页

作者：张恩怀南京航空航天大学附属高级中学

多媒体的出现使当今英语课堂改变了采用单一方式进行单向传播的传统教法，多媒体课件不仅可以展示静态的图片，而且可以集声音、图像、文字和动画于一体，创设声、光、色、图俱佳的交互式教学环境。但如果多媒体课件充斥了整个课堂，其... 详细信息

多媒体的出现使当今英语课堂改变了采用单一方式进行单向传播的传统教法，多媒体课件不仅可以展示静态的图片，而且可以集声音、图像、文字和动画于一体，创设声、光、色、图俱佳的交互式教学环境。但如果多媒体课件充斥了整个课堂，其后果有时却让我们大吃一惊。学生视力的疲劳、课堂惊喜度的下降、人与人沟通方式的单一等问题让我们认识到，任何一种教育技术的使用，都必须按照课堂教学需求来决定。

关键词：多媒体课件英语阅读课英语课堂传统教法单向传播教学环境教育技术教学需求

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开关电源的发展概况

电力电子技术 1996年第1期30卷 74-78页

作者：张恩怀清华大学

开关电源的发展概况ＴｈｅＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔＳｔａｔｕｓｏｆＳｗｉｔｃｈｉｎｇＮｏｄｅＳｕｐｐｌｙ￥／／清华大学张恩怀（北京１００７２４）１前言自１９５６年Ｍｏｌｌ发明Ｐｎｐｎ四层半导体，１９５７年ＧＥ公司第一只晶... 详细信息

开关电源的发展概况ＴｈｅＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔＳｔａｔｕｓｏｆＳｗｉｔｃｈｉｎｇＮｏｄｅＳｕｐｐｌｙ￥／／清华大学张恩怀（北京１００７２４）１前言自１９５６年Ｍｏｌｌ发明Ｐｎｐｎ四层半导体，１９５７年ＧＥ公司第一只晶闸管问世起，电力电子技术开始得到了...

关键词：开关电源发展

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反思性教学策略及意义

中小学外语教学 2009年第7期32卷 27-30页

作者：张恩怀南京航空航天大学附属高级中学

本文结合高中英语教学实践介绍了三种反思类型，旨在探讨提高教学策略实效性、教学批判性和科学性的途径。

关键词：反思性教学行动中反思行动后反思为行动反思自我反思反馈反思实践反思理论反思

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掺锗CZSi中与锗有关的红外光谱特性

人工晶体学报 2004年第5期33卷 792-796页

作者：张维连牛新环吕海涛张恩怀孙军生河北工业大学半导体材料研究所天津300130

用FTIR法测试了CZ法生长的不同掺Ge浓度单晶的红外吸收光谱,结果发现掺锗浓度≤1％(重量比)低浓度情况下,红外谱图与不掺锗CZSi的红外谱图基本相同。但随着掺入晶体中锗浓度的增加,红外谱图在710cm-1处出现了一个新的吸收峰。锗浓度越高... 详细信息

用FTIR法测试了CZ法生长的不同掺Ge浓度单晶的红外吸收光谱,结果发现掺锗浓度≤1％(重量比)低浓度情况下,红外谱图与不掺锗CZSi的红外谱图基本相同。但随着掺入晶体中锗浓度的增加,红外谱图在710cm-1处出现了一个新的吸收峰。锗浓度越高,此峰越明显。该峰可能是由于Ge-C或Si-Ce-C键合体系的产生而引起的红外吸收峰。

关键词：半导体材料硅锗体单晶红外光谱特性 FTIR谱图

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掺锗直拉硅体单晶的生长

固体电子学研究与进展 2004年第2期24卷 253-257页

作者：张维连赵红生陈洪建孙军生张恩怀河北工业大学材料学院半导体材料研究所天津300130

为了控制锗在硅中的分凝和分布的均匀性 ,抑制熔体中因重力场引起的无规律热对流和质量对流 ,文中设计制造了一种新型的环型永磁场直拉炉 ( PMCZ法 ) ,生长了掺锗量 0 .1～ 5 .0 % ( Ge∶Si重量比 )、 65 mm和 5 2 mm的硅锗体单晶 ,拉... 详细信息

为了控制锗在硅中的分凝和分布的均匀性 ,抑制熔体中因重力场引起的无规律热对流和质量对流 ,文中设计制造了一种新型的环型永磁场直拉炉 ( PMCZ法 ) ,生长了掺锗量 0 .1～ 5 .0 % ( Ge∶Si重量比 )、 65 mm和 5 2 mm的硅锗体单晶 ,拉速一般控制在 0 .2～ 0 .5 mm/分。当磁场强度较高时 ,熔体中由于重力场引起的热对流和质量对流在一定程度上被抑制 ,类似于空间微重力环境生长晶体的条件 ,晶体中锗和氧杂质分布均匀性的问题得到了较好地控制。文中利用扫描电子显微镜 ( SEM)能谱分析和二次离子质谱 ( SIMS)等方法观测了PMCZ法生长的掺锗 Si单晶中锗的分布状况。发现用 PMCZ法生长的锗硅晶体比常规 CZ法生长的晶体杂质均匀性要好些。同时发现 ,由于晶体生长速率很低 ,使得掺锗硅中产生了大量的过饱和氧的微沉淀。这些微沉淀经过 1 2 5 0°C热处理后会溶解消失。在晶体尾部 ,由于锗在硅中的分凝系数小于 1 ,使得锗在熔体中高度富集 ,产生了“组份过冷现象”,出现了枝状结晶生长。

关键词：锗硅单晶永磁场直拉法对流

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Si_xGe(1-x)合金晶体生长

人工晶体学报 2000年第S1期29卷 -页

作者：张维连孙军生张恩怀河北工业大学半导体材料研究所天津300130

近几年来 ,锗硅合金晶体生长技术受到人们关注。这主要是因为锗硅合金晶体具有随二者组分变化禁带宽度和载流子迁移率也随之改变的特点 ,因而被人们认为是新兴的“带隙工程材料” ,在热电子能量转换器件、光电子器件、太阳电池、温度敏... 详细信息

近几年来 ,锗硅合金晶体生长技术受到人们关注。这主要是因为锗硅合金晶体具有随二者组分变化禁带宽度和载流子迁移率也随之改变的特点 ,因而被人们认为是新兴的“带隙工程材料” ,在热电子能量转换器件、光电子器件、太阳电池、温度敏感元件、中子和X射线的Bragg反射器件以及梯度功能材料领域都具有巨大的潜在应用价值。目前 ,这种材料的物理性质随局部组分变化的特性已经开始在空间科学、军事科学和某些特殊领域中应用。在这些领域中 ,往往要求使用体单晶而不是薄膜 ,因此研究合金晶体生长技术具有很大实用价值。硅锗在熔体和固态都是完全可以互熔的。但由于硅锗相图中固相线和液相线分离很大 ,没有相交点 (共晶点 ) ,因此导致了锗在硅中宏观和微观分凝现象十分严重 ,容易出现组分过冷和条纹状生长 ,严重时很难长成单晶体。如何从熔体中生长出合适的锗硅合金单晶是晶体生长工作者的主要课题之一。国外近几年采用了多种工艺 (包括CZ法 )制备了锗硅合金晶体。掺Geipe浓度最大可达到 2 2 % ,晶体直径可达48mm。在直拉法生长晶体时 ,熔体中无规则热对流是影响晶体质量的因素之一 ,热对流的大小可用无量纲Grashoff数表征Gr =gβΔTb3 υ-2式中　g为重力加速度 ,β为溶体热膨胀系数 ,ΔT为熔体在特征长?

关键词： Si_xGe_(1-x)晶体微重力晶体生长模拟磁场结构生长参数

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直拉法生长掺锗硅单晶时氧的控制

人工晶体学报 2000年第S1期29卷 95-96页

作者：张维连孙军生张恩怀河北工业大学半导体材料研究所天津300130

直拉法 (CZ法 )生长单晶硅是目前获得高质量大直径晶体的一种工业化方法。但在晶体生产过程中 ,随着投料 (硅 )量加大 ,熔体中强烈的热对流往往造成晶体宏观和微观质量不均匀 ,有时很难正常生产单晶体。CZ法生产单晶硅时使用的石英坩埚... 详细信息

直拉法 (CZ法 )生长单晶硅是目前获得高质量大直径晶体的一种工业化方法。但在晶体生产过程中 ,随着投料 (硅 )量加大 ,熔体中强烈的热对流往往造成晶体宏观和微观质量不均匀 ,有时很难正常生产单晶体。CZ法生产单晶硅时使用的石英坩埚是晶体中氧的主要来源。硅中氧对半导体器件工艺利弊兼有。因而控制晶体中合适的氧浓度是提高半导体器件成品率的关键工艺之一。熔硅中的氧与掺入的锗容易形成GeO而挥发 ,也是造成掺Ge硅中Ge浓度难以控制的因素之一。晶体生长过程中 ,晶体中氧浓度与熔体运动方式密切相关。熔体运动主要有 :( 1 )由坩埚底部通过热对流将氧输运到熔体自由表面和固液生长界面。( 2 )沿自由表面从冷的晶体边缘到热的坩埚壁 ,表面张力的衰减所驱动产生的热毛细对流。( 3)由冷的晶体———熔体表面到垂直的坩埚壁最热点密度降低所驱动的浮力对流。( 4)晶体旋转造成的离心泵吸流。这些对熔解于熔硅中的氧引入到生长着的固液界面处晶体一侧的浓度都有着密切关系。在空间微重力环境下 (g 1 0 -5 g0 ) ,掺杂剂与硅的质量梯度对流和密度差引起的密度对流、热重力对流等可以大大降低。此时 ,杂质运动主要以扩散方式进行。因此可获得优质晶体。

关键词：掺锗硅直接法微重力晶体生长模拟

用PMCZ法生长的单晶硅中氧和电阻率的均匀性

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材料研究学报 2001年第4期15卷 455-458页

作者：张维连孙军生张恩怀李嘉席吴小双高树良胡元庆刘俊奇河北工业大学天津半导体材料厂

用永磁体环形磁场直拉（ＰＭＣＺ）炉代替普通的ＭＣＺ炉生长了质量较高的单晶硅．在ＰＭＣＺ炉中水平辐射状磁力线均匀分布，可有效地抑制熔体中不规则的对流和固液界面处的温度波动，降低以至消除微观生长速率的起伏．在用ＰＭＣＺ法... 详细信息

用永磁体环形磁场直拉（ＰＭＣＺ）炉代替普通的ＭＣＺ炉生长了质量较高的单晶硅．在ＰＭＣＺ炉中水平辐射状磁力线均匀分布，可有效地抑制熔体中不规则的对流和固液界面处的温度波动，降低以至消除微观生长速率的起伏．在用ＰＭＣＺ法生长的硅晶体中氧浓度较低，杂质的径向分布均匀性好．简单地讨论了ＰＭＣＺ法控氧优于普通ＭＣＺ法的机理．

关键词：热对流氧杂质单晶硅电阻率 PMCZ炉晶体生长永磁场直拉炉

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NTDCZSi中氧的沉淀与吸除

功能材料 1998年第6期29卷 596-597页

作者：张维连王志军孙军生张颖怀张恩怀河北工业大学材料研究中心天津300130

在适当温度退火时，中子嬗变掺杂（NTD）的CZSi中产生的大量亚稳态辐照缺陷在退火过程中会增强氧的外扩散与沉淀。根据CZSi中热施主与电阻率的关系，利用扩展电阻（SR－100C）法测量了硅片退火后氧的纵向分布形式，发现辐照缺陷的存在... 详细信息

在适当温度退火时，中子嬗变掺杂（NTD）的CZSi中产生的大量亚稳态辐照缺陷在退火过程中会增强氧的外扩散与沉淀。根据CZSi中热施主与电阻率的关系，利用扩展电阻（SR－100C）法测量了硅片退火后氧的纵向分布形式，发现辐照缺陷的存在影响了硅中氧的扩散与沉淀行为。

关键词：中子嬗变掺杂辐照缺陷 CZSi 氧沉淀退火