检索结果-南通市图书馆

微电子学 1992年第1期22卷 1-13页

作者：张开华李肇基谢孟贤张庆中电子科技大学微电子科学与工程系四川成都610054

本文分析了微电子技术的发展状况,尤其对集成电路的加工和设计作了较为深入的考察。对本世纪末微电子技术各个领域的发展前景进行了展望。同时,对如何发展我国的微电子技术提出了一些意见和建议。

关键词：微电子技术集成电路分立器件

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三级微波宽带低噪声放大器的设计

现代电子技术 2007年第4期30卷 17-18,22页

作者：赵翔张庆中向旺电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054

介绍了SiGe异质结晶体管的特点和微波宽带低噪声放大器的设计理论；设计了一个采用SiGe异质结晶体管2sc5761的两级微波宽带低噪声放大器电路，并对电路的各项指标进行了优化设计；运用candence软件对电路进行了DRC，LVS验证。在0．5～6... 详细信息

介绍了SiGe异质结晶体管的特点和微波宽带低噪声放大器的设计理论；设计了一个采用SiGe异质结晶体管2sc5761的两级微波宽带低噪声放大器电路，并对电路的各项指标进行了优化设计；运用candence软件对电路进行了DRC，LVS验证。在0．5～6GHz得到12dB以上的增益和不足2．5dB的噪声系数，及优良的线性度。

关键词：异质结晶体管微波宽带低噪声放大器

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梦想开始的地方

尚舞 2009年第5期 26-27页

作者：本刊编辑部李赛铱王毅张庆中

2009年4月-12日,预热已久的中国体育舞蹈公开赛第一站终于开幕,台前、幕后、裁判席、音乐台、后勤办公室……每一个地方《尚舞》的记者和编辑都走过,为你带回来最热辣的速递。

关键词：

小坡度大断面斜井机械化快速施工作业线应用技术

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现代物业(上旬刊) 2013年第7期 122-123页

作者：张庆中杨东兵徐金根徐燕新中煤第五建设有限公司第一工程处中煤第五建设有限公司中煤五建遂道分公司

中煤五建公司采用EBZ-318H悬臂式岩巷掘进机施工大断面斜井,取得了日进尺平均9.6米,最高达14米,月单进水平稳定在244米以上,最高达376米的好成绩,创出了斜井集团内部月成井最高水平,对普及机械化掘进、保证安全、提高质量起到了重要作用。

关键词：大断面小倾角岩巷掘进机配套机械化快速掘进

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海宁五位摄影家北京联展作品选登

中国摄影家 2013年第11期 52-56页

作者：王超英朱峰潘天勇张庆中陈杰

天光云影

关键词：摄影家作品选海宁北京

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一种新的梳状基区RF功率晶体管

Journal of Semiconductors 2001年第9期22卷 1197-1201页

作者：周蓉张庆中胡思福电子科技大学微电子科学与工程系成都610054

给出一种新的 RF功率器件结构 -梳状基区结构 .在不增加本征集电结面积的情况下 ,该结构能显著改善 RF功率晶体管散热特性 ,增大器件的耗散功率和输出功率 ,较好地缓解了传统结构中高工作频率与大输出功率之间的矛盾 .模拟分析表明 ,采... 详细信息

给出一种新的 RF功率器件结构 -梳状基区结构 .在不增加本征集电结面积的情况下 ,该结构能显著改善 RF功率晶体管散热特性 ,增大器件的耗散功率和输出功率 ,较好地缓解了传统结构中高工作频率与大输出功率之间的矛盾 .模拟分析表明 ,采用该结构 ,器件的雪崩击穿电压能提高到理想平行平面结的 90 %以上 ,器件的大电流特性和频率特性也有所改进 .采用该技术制作的试验样管 DCT375同传统结构器件相比 ,其热电特性得到显著的改善 .这种结构为新型超高频、微波大功率管的研制开辟了新途径 .

关键词：梳状基区散热雪崩击穿 RF功率晶体管

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SiGe HBT及其在射频LNA中的应用

传感器世界 2006年第4期12卷 19-23页

作者：向旺张庆中张华斌陈庆华赵翔电子科技大学电子科技大学微电子与固体电子学院

随着无线通信、蓝牙技术、雷达及航天技术的发展,对其射频部分的技术指标要求和成本要求越来越苛刻。新型异质结器件异军突起,不断满足其要求,SiGeHBTLNA就是其中之一。基于Si的制造工艺,SiGeHBT本身就具有很好的成本优势,能有效的将CMO... 详细信息

随着无线通信、蓝牙技术、雷达及航天技术的发展,对其射频部分的技术指标要求和成本要求越来越苛刻。新型异质结器件异军突起,不断满足其要求,SiGeHBTLNA就是其中之一。基于Si的制造工艺,SiGeHBT本身就具有很好的成本优势,能有效的将CMOS电路集成到一起,并且经过不断地研究,SiGeHBT已经在技术指标上得到了突飞猛进的发展,达到了未成预料到的结果,使其对GaAs、InP等器件提出了巨大挑战,这些优点都使得它成为主流工艺,为射频不可或缺的一部分。在本文中详细地讨论了SiGeHBTLNA的基本工作原理,以及其直流特性、交流特性、噪声特性等。并讨论了SOI衬底上的SiGeHBTLNA的应用和BiCMOS工艺上SiGeHBTLNA的应用。

关键词：异质结SiGe HBT 低噪声放大器(LNA) SOI工艺 BiCMOS工艺