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基于双倾斜沟槽结构的O波段单纵模Fabry-Pérot激光器

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发光学报 2021年第11期42卷 1804-1809页

作者：姚中辉陈红梅张子旸中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院安徽合肥230026 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所江苏苏州215123 青岛翼晨镭硕科技有限公司山东青岛266000

基于双倾斜刻蚀沟槽结构成功实现了无需二次外延生长的单纵模Fabry-Pérot(F-P)激光器。分析了F-P谐振腔中存在刻蚀沟槽的谐振条件,沟槽的倾斜有利于获得稳定的单纵模输出。为了进一步研究斜槽宽度对器件输出性能的影响,在保持沟槽倾斜... 详细信息

基于双倾斜刻蚀沟槽结构成功实现了无需二次外延生长的单纵模Fabry-Pérot(F-P)激光器。分析了F-P谐振腔中存在刻蚀沟槽的谐振条件,沟槽的倾斜有利于获得稳定的单纵模输出。为了进一步研究斜槽宽度对器件输出性能的影响,在保持沟槽倾斜角为4°的前提下,制备了不同斜槽宽度的激光器器件,测试发现,当斜槽的刻蚀宽度为1.5μm时器件的单模输出性能最佳。该器件在70 mA连续电流注入下展现出了高达40 dB的边模抑制比,并且在不同的电流注入下均保持稳定的单纵模输出。在25~70℃的测试范围内,有斜槽时光谱红移速率仅为0.12 nm/℃,远小于无斜槽时0.6 nm/℃的红移速率,进一步证实了斜槽的引入可以有效地实现稳定的单纵模输出,展示出了在光通信应用的潜力。

关键词： F-P激光器刻蚀槽单纵模光通信

基于Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)可饱和吸收体的锁模光纤激光器

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光子学报 2022年第4期51卷 25-32页

作者：叶蕾王顺姚中辉蒋成郭凯张子旸上海大学材料科学与工程学院上海200444 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所江苏苏州215123

Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)薄膜具有宽光谱吸收和高稳定性的特点。在金镜上采用磁控溅射制备了40 nm厚的Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)薄膜,将其在150℃下退火20 min,退火后Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)由非晶态转变为晶态。测试发现晶态Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)可饱和吸收体的调制深度提高到了原来的1.4倍,基于晶态Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)可饱和吸收体实现了脉冲宽度为1.52 ps、信噪比为47 dB的光纤锁模激光器。制备了40、60、80 nm的Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)薄膜,分析表明,随着Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)薄膜厚度的增加,光吸收率明显增加,这说明Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)薄膜的光学性质具有可控性,Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)材料在超快激光器中有应用潜力。

关键词： Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5) 可饱和吸收体锁模掺铒光纤激光器退火

P型调制掺杂1.3μm InAs/GaAs量子点激光器

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中国激光 2021年第16期48卷 1-7页

作者：姚中辉陈红梅王拓蒋成张子旸中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院安徽合肥230026 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所江苏苏州215123 青岛翼晨镭硕科技有限公司山东青岛266000 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院江西南昌330200 长春理工大学理学院高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022

1.3μm InAs/GaAs量子点(QD)激光器基于自身优异的光电特性,有望成为下一代光通信系统所急需的高性能、低成本光源。理论分析了提高量子点材料增益的几种方法,然后利用分子束外延(MBE)分别生长非掺杂、p型调制掺杂的8层高质量的量子点... 详细信息

1.3μm InAs/GaAs量子点(QD)激光器基于自身优异的光电特性,有望成为下一代光通信系统所急需的高性能、低成本光源。理论分析了提高量子点材料增益的几种方法,然后利用分子束外延(MBE)分别生长非掺杂、p型调制掺杂的8层高质量的量子点激光器外延结构,并分别制备了量子点激光器。另外,为了抑制量子点激发态与基态的激射竞争,设计并优化了激光器腔面的镀膜工艺。最终实现了300μm超短腔长基态激射的p型调制掺杂1.3μm InAs/GaAs的量子点激光器,展示出了其在高速光通信系统应用中的巨大潜力。

关键词：激光器量子点 p型调制掺杂分子束外延腔面镀膜

HPV16阳性和阴性患者宫颈癌组织中miR-27a-3p和HOXB8蛋白的表达差异及其机制研究

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中国药房 2017年第23期28卷 3169-3174页

作者：李会影王慧智张子旸牡丹江医学院附属红旗医院妇产科黑龙江牡丹江157011

目的:探讨mi R-27a-3p和同源盒B8(HOXB8)蛋白在人乳头瘤病毒16型阳性[HPV16(+)]和阴性[HPV16(-)]患者宫颈癌组织中表达的差异及其机制。方法:选取2012年1月-2016年1月于我院就诊的宫颈癌患者120例,根据其是否感染HPV16分为HPV16(+)组(60... 详细信息

目的:探讨mi R-27a-3p和同源盒B8(HOXB8)蛋白在人乳头瘤病毒16型阳性[HPV16(+)]和阴性[HPV16(-)]患者宫颈癌组织中表达的差异及其机制。方法:选取2012年1月-2016年1月于我院就诊的宫颈癌患者120例,根据其是否感染HPV16分为HPV16(+)组(60例)和HPV16(-)组(60例)。采用实时荧光定量聚合酶链反应法检测两组患者宫颈癌组织中mi R-27a-3p和HOXB8 m RNA的表达水平,采用蛋白印迹法检测HOXB8蛋白的表达水平,采用巢式降落式甲基化特异性聚合酶链反应法检测mi R-27a-3p启动子区DNA甲基化水平,采用染色质免疫共沉淀-定量聚合酶链反应法检测mi R-27a-3p启动子区组蛋白甲基化水平;培养人宫颈癌细胞系Si Ha细胞株,考察转染mi R-27a-3p模拟物(mimic)和抑制物(inhibitor)后mi R-27a-3p和HOXB8 m RNA的表达水平。结果:HPV16(+)组患者宫颈癌组织中mi R-27a-3p的表达水平显著低于HPV16(-)组患者,HOXB8 m RNA和蛋白表达水平、mi R-27a-3p启动子区DNA甲基化水平和组蛋白甲基化水平均显著高于HPV16(-)组患者,差异均有统计学意义(P<0.05或P<0.01)。在Si Ha细胞转染mi R-27a-3p mimic后,mi R-27a-3p的表达水平显著升高,而HOXB8 m RNA的表达水平显著降低;转染mi R-27a-3p inhibitor后,mi R-27a-3p的表达水平显著降低,而HOXB8 m RNA的表达水平则显著升高,差异均有统计学意义(P<0.01)。结论:HPV16可能通过启动子区DNA甲基化和组蛋白甲基化下调mi R-27a-3p的表达,从而影响宫颈癌的发生与发展,HOXB8蛋白可能是其作用靶点。

关键词：人乳头瘤病毒16型宫颈癌 miR-27a-3p 同源盒B8蛋白 DNA甲基化组蛋白甲基化

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阿司匹林——充满生机的百年经典

大学化学 2010年第B4期25卷 48-53页

作者：张子旸陈家华北京大学化学与分子工程学院北京100871

介绍阿司匹林的药用及发展历史,阐述其作为解热消炎药的作用机理。

关键词：阿司匹林发展历史消炎药

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多层克隆选择的排序学习方法研究

太原理工大学学报 2018年第5期49卷 751-758页

作者：武宇婷张子旸田玉玲张弘弦太原理工大学信息与计算机学院太原030024 上海交通大学电子信息与电气工程学院上海200030

提出一种基于多层克隆选择的排序学习方法,将克隆选择理论应用于学习排序函数,对传统克隆选择进行改进,使用一种按层变异的方法和一种多层的克隆选择架构逐步进化抗体库,最终得到最优的排序函数。提出的方法在LETOR基准数据集进行评价,... 详细信息

提出一种基于多层克隆选择的排序学习方法,将克隆选择理论应用于学习排序函数,对传统克隆选择进行改进,使用一种按层变异的方法和一种多层的克隆选择架构逐步进化抗体库,最终得到最优的排序函数。提出的方法在LETOR基准数据集进行评价,结果表明了算法在多数情况下优于基线算法。

关键词：克隆选择排序学习排序函数

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基于量子点可饱和吸收镜的锁模激光器

半导体技术 2021年第6期46卷 456-460,473页

作者：王洪培王旭王顺刘健蒋成张子旸中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所江苏苏州215123 中国科学技术大学纳米科学技术学院江苏苏州215123

锁模光纤激光器在工业加工、光通信、光学传感等领域有广泛的应用。由于在GaAs基板上制备的InAs量子点(QD)半导体可饱和吸收镜(QD-SESAM)增益谱较宽、成本较低,将其应用于锁模光纤激光器具有非常大的潜力。然而,生长发光中心波长(λ)为1... 详细信息

锁模光纤激光器在工业加工、光通信、光学传感等领域有广泛的应用。由于在GaAs基板上制备的InAs量子点(QD)半导体可饱和吸收镜(QD-SESAM)增益谱较宽、成本较低,将其应用于锁模光纤激光器具有非常大的潜力。然而,生长发光中心波长(λ)为1550 nm的高性能QD-SESAM仍然十分困难。采用分子束外延(MBE)生长制备了1550 nm GaAs基InAs QD-SESAM,通过在SESAM上表面生长厚度为λ/4的SiO_(2)层,将QD-SESAM的调制深度提升至1.4%。使用这种新型的QD-SESAM优化了耦合效率,成功地构建了稳定的环形腔被动锁模掺铒光纤激光器,其斜率效率为2.2%,脉冲宽度为2 ps,重复频率为16.5 MHz,最大输出功率约为4.1 mW。结果表明,这种带有λ/4厚度SiO_(2)层的QD-SESAM在制备高性能锁模激光器方面具有非常大的应用潜力。

关键词：被动锁模光纤激光器 InAs/GaAs量子点(QD) 量子点半导体可饱和吸收镜(QD-SESAM) SiO_(2) 环形腔

1550nm InAs/GaAs量子点调Q光纤激光器

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半导体技术 2020年第2期45卷 133-137,168页

作者：秦亮王旭刘健蒋成陈红梅张子旸中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所江苏苏州215123 中国科学技术大学纳米科学技术学院江苏苏州215123 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院南昌330200

调Q光纤激光器在光纤传感、激光雷达、激光加工和光纤通信等众多方面有着广泛的应用。半导体量子点(QD)由于具有较高的损伤阈值和宽光谱特性,是一种优良的可饱和吸收体(SA),但是目前制备发光中心波长为1550 nm的QD SA依然是一个巨大的... 详细信息

调Q光纤激光器在光纤传感、激光雷达、激光加工和光纤通信等众多方面有着广泛的应用。半导体量子点(QD)由于具有较高的损伤阈值和宽光谱特性,是一种优良的可饱和吸收体(SA),但是目前制备发光中心波长为1550 nm的QD SA依然是一个巨大的挑战。通过在分子束外延(MBE)生长InAs QD过程中加入两次间断制备了1550 nm InAs/GaAs量子点半导体可饱和吸收镜(QD-SESAM),并通过构建光纤直线腔,研制出发光中心波长约为1550 nm的被动调Q光纤激光器。该激光器最大输出功率约为2.5 mW,实现了55 kHz的重复频率,同时达到了1.45μs的脉冲宽度和45.36 nJ的单脉冲能量,表现出了InAs/GaAs QD材料在1550 nm调Q光纤激光器应用中的巨大潜力。

关键词： InAs/GaAs量子点被动调Q光纤激光器近红外(NIR) 量子点半导体可饱和吸收镜(QD-SESAM) 直线腔

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基于ZnO可饱和吸收体的超快激光器

半导体技术 2021年第7期46卷 539-545页

作者：刘健王旭姚中辉蒋成王顺张子旸中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院合肥230026 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所江苏苏州215123

ZnO是一种优异的可饱和吸收体(SA),然而它在近红外波段的光吸收性能较弱,限制了其在超快光子学领域的进一步应用。首先采用水浴法制备了ZnO微球粉末,旋涂到金镜衬底上制备成ZnO-SA,再利用磁控溅射法及热退火在ZnO-SA表面修饰了金纳米颗... 详细信息

ZnO是一种优异的可饱和吸收体(SA),然而它在近红外波段的光吸收性能较弱,限制了其在超快光子学领域的进一步应用。首先采用水浴法制备了ZnO微球粉末,旋涂到金镜衬底上制备成ZnO-SA,再利用磁控溅射法及热退火在ZnO-SA表面修饰了金纳米颗粒,制备了一种新型的金核壳结构的ZnO-SA。由于金纳米颗粒的表面等离子体吸收效应,将ZnO-SA的调制深度提升至4.07%,非饱和损耗降低至24%。使用这种新型的ZnO-SA成功地提升了调Q激光器的输出特性,同时也构建了稳定的波长为1.55μm环形腔掺铒光纤锁模激光器,最大平均输出功率为2.67 mW,重复频率为3.53 MHz。研究结果表明,这种具有金纳米颗粒修饰的ZnO-SA在制备高性能锁模激光器方面具有巨大的应用潜力。

关键词：锁模调Q ZnO 可饱和吸收体(SA) 金纳米颗粒光纤激光器