检索结果-南通市图书馆

氢化及沉积温度对掺铝ZnO透明导电薄膜性能影响

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复合材料学报 2012年第5期29卷 83-87页

作者：周洪彪张化宇王志刚哈尔滨工业大学深圳研究生院深圳518055

采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了掺铝ZnO透明导电薄膜(AZO)。为了降低AZO薄膜的电阻率,采用在溅射气氛中通入一定比例H2的方法对AZO薄膜进行氢化处理,并研究了溅射气氛中H2含量及衬底温度对AZO薄膜氢化效果的影响。结果表明:在... 详细信息

采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了掺铝ZnO透明导电薄膜(AZO)。为了降低AZO薄膜的电阻率,采用在溅射气氛中通入一定比例H2的方法对AZO薄膜进行氢化处理,并研究了溅射气氛中H2含量及衬底温度对AZO薄膜氢化效果的影响。结果表明:在低温条件下,氢化处理能有效降低AZO薄膜的电阻率;在衬底温度为100℃的低温条件下,通过调节溅射气氛中H2的比例,制备了电阻率为6.0×10-4Ω.cm的高质量氢化AZO薄膜,该电阻值低于同等条件下未氢化AZO薄膜电阻值的1/3;但随着衬底温度的升高,氢化处理对薄膜电学性能的改善效果逐渐减弱。

关键词： AZO薄膜射频磁控溅射氢化衬底温度电阻率

地质聚合物合成中铝酸盐组分的作用机制(英文)

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硅酸盐学报 2005年第3期33卷 276-280页

作者：翁履谦 SAGOE-CRENTSIL Kwesi 宋申华张化宇哈尔滨工业大学深圳研究生院材料科学与工程系广东深圳518055 CMIT澳大利亚国家科学与工程研究院

在对铝、硅酸盐离子团中离子的部分电荷计算的基础上,研究了铝组分在地质聚合物合成中的作用机制,并通过实验进行了初步验证。研究表明:铝组分对地质聚合物的合成中缩聚反应有显著的促进作用,因而在合成地质聚合物时原料中铝组分的溶... 详细信息

在对铝、硅酸盐离子团中离子的部分电荷计算的基础上,研究了铝组分在地质聚合物合成中的作用机制,并通过实验进行了初步验证。研究表明:铝组分对地质聚合物的合成中缩聚反应有显著的促进作用,因而在合成地质聚合物时原料中铝组分的溶解性至关重要。实验结果表明:由具有较小颗粒度的煅烧高岭土为原料合成的地质聚合物具有较短的固化时间,更均匀的显微结构和更高的机械强度。如由较粗的煅烧高岭土为原料合成的地质聚合物的抗压强度为54MPa,而由较细的煅烧高岭土为原料合成的地质聚合物的抗压强度则能达到 74MPa。

关键词：地质聚合物合成机理部分电荷分布

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硼掺杂对四面体非晶碳膜电导性能的影响

物理学报 2008年第10期57卷 6551-6556页

作者：檀满林朱嘉琦张化宇朱振业韩杰才哈尔滨工业大学深圳研究生院深圳518055 哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所哈尔滨150018

以单质硼和高纯石墨的混合粉末压制成型的靶材作为靶源,采用过滤阴极真空电弧技术制备不同硼含量的掺硼四面体非晶碳膜.分别采用四探针法、阻抗分析仪和电化学界面对薄膜的变温电导率、I-V特性和C-V特性进行了测试和研究.实验结果表明,... 详细信息

以单质硼和高纯石墨的混合粉末压制成型的靶材作为靶源,采用过滤阴极真空电弧技术制备不同硼含量的掺硼四面体非晶碳膜.分别采用四探针法、阻抗分析仪和电化学界面对薄膜的变温电导率、I-V特性和C-V特性进行了测试和研究.实验结果表明,当B含量由0增加至6.04 at%时,薄膜的室温电导率先逐渐增大而后逐渐减小,相应薄膜的电导激活能先逐渐减小而后逐渐增大,并在2.13 at%时分别出现最大和最小值1.42×10-7S/cm和0.1 eV.此外,掺硼四面体非晶碳/n型硅异质结的I-V曲线表现出典型的整流特性,表明p-n结二极管已经形成,且结两端的掺杂能级在空间上连续统一.

关键词：四面体非晶碳电导率 I-V曲线 C-V曲线

银纳米相吸收增强型钙钛矿太阳电池薄膜的制备及性能研究

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无机材料学报 2016年第9期31卷 908-914页

作者：檀满林马东超符冬菊马清李冬霜王晓伟张维丽陈建军张化宇深圳清华大学研究院深圳518057 哈尔滨工业大学深圳研究生院深圳518055

分别将银纳米相溶胶(银纳米颗粒、Ag@SiO_2核壳结构、银纳米线)掺入氧化铝异丙醇溶液中制成具有蜂窝结构的介孔层材料,然后在介孔层表面制备CH_3NH_3Pb I3钙钛矿吸收层得到Al_2O_3/CH_3NH_3Pb I3复合薄膜,并对复合膜的微观结构、光吸收... 详细信息

分别将银纳米相溶胶(银纳米颗粒、Ag@SiO_2核壳结构、银纳米线)掺入氧化铝异丙醇溶液中制成具有蜂窝结构的介孔层材料,然后在介孔层表面制备CH_3NH_3Pb I3钙钛矿吸收层得到Al_2O_3/CH_3NH_3Pb I3复合薄膜,并对复合膜的微观结构、光吸收特性及太阳电池器件性能进行了测试和分析。研究表明,Al_2O_3/CH_3NH_3Pb I3复合膜与CH_3NH_3Pb I3在可见光区域吸收光谱基本相同,含量极少的Al_2O_3对CH_3NH_3Pb I3吸光性能影响较小。而掺入银纳米相可明显改善CH_3NH_3Pb I3钙钛矿薄膜的吸收性能。当银纳米颗粒、Ag@SiO_2核壳结构和银纳米线相对浓度比分别为0.15、0.3及0.15时,CH_3NH_3Pb I3吸光性能分别达到最佳;银纳米相浓度继续增大时,薄膜的光吸收性能逐渐减弱。此外,掺入Ag@SiO_2核壳结构可使钙钛矿薄膜太阳电池光电转换效率由6.28%增大到7.09%,而银纳米颗粒和银纳米线由于会增大太阳电池内部载流子传输路径,提高电子空穴对复合效率,最终反而降低了太阳电池短路电流密度和光电转换效率。

关键词：银纳米相钙钛矿太阳电池吸收性能

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掺硼四面体非晶碳膜的微观结构及光谱表征

无机材料学报 2008年第1期23卷 180-184页

作者：张化宇檀满林韩杰才朱嘉琦贾泽纯哈尔滨工业大学深圳研究生院哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所哈尔滨150001 哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所

分别采用过滤阴极真空电弧技术制备了不同含硼量四面体非晶碳(ta-C:B)膜,并用X射线光电子能谱(XPS)、Raman光谱对薄膜的微观结构和化学键态进行了研究.XPS分析表明薄膜中B主要以石墨结构形式存在,随着B含量的增加,sp^3杂化碳的含量逐渐... 详细信息

分别采用过滤阴极真空电弧技术制备了不同含硼量四面体非晶碳(ta-C:B)膜,并用X射线光电子能谱(XPS)、Raman光谱对薄膜的微观结构和化学键态进行了研究.XPS分析表明薄膜中B主要以石墨结构形式存在,随着B含量的增加,sp^3杂化碳的含量逐渐减小,Ta-C:B膜的Raman谱线在含硼量较高时,其D峰和G峰向低频区偏移,且G峰的半峰宽变窄,表明B的引入促进了sp^2杂化碳的团簇化,减小了原子价键之间的变形,从而降低了薄膜的内应力.

关键词：四面体非晶碳(ta-C) XPS Raman光谱

YVO_4:Eu^(3+)@SiO_2下转换发光特性及其太阳电池应用研究

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无机材料学报 2016年第10期31卷 1110-1116页

作者：檀满林尚旭冉马清王晓伟符冬菊李冬霜张维丽陈建军张化宇深圳清华大学研究院深圳518057 哈尔滨工业大学深圳研究生院深圳518055

铕掺杂钒酸钇(YVO_4:Eu^(3+))作为常用的下转换发光材料一直受到广泛的关注和研究,但是YVO_4:Eu^(3+)的表面缺陷会严重影响材料的发光效率。为了进一步改善YVO_4:Eu^(3+)纳米粉体材料的粒度分布和形貌特点,在亚微米级别的SiO_2微球表面... 详细信息

铕掺杂钒酸钇(YVO_4:Eu^(3+))作为常用的下转换发光材料一直受到广泛的关注和研究,但是YVO_4:Eu^(3+)的表面缺陷会严重影响材料的发光效率。为了进一步改善YVO_4:Eu^(3+)纳米粉体材料的粒度分布和形貌特点,在亚微米级别的SiO_2微球表面涂覆一层YVO_4:Eu^(3+),制成YVO_4:Eu^(3+)@SiO_2核–壳结构,得到单分散的球形YVO_4:Eu^(3+)下转换发光材料,实现YVO_4:Eu^(3+)的发光性能和SiO_2球形特性的有机结合。研究发现,当壳核比为0.6时,YVO_4:Eu^(3+)@SiO_2核–壳结构材料的发光强度可达到纯纳米粉体材料发光强度的90%以上。将改性后的YVO_4:Eu^(3+)@SiO_2核–壳结构材料涂覆在硅基薄膜太阳电池上,可使电池的短路电流密度和转化效率分别由6.694 m A/cm^2和9.40%提升至8.417 m A/cm^2和10.15%,增益效果较为明显。实验结果表明,采用溶液法制备的YVO_4:Eu^(3+)@SiO_2纳米粉体材料由于具有形貌规则、团聚小和尺寸分布均匀等特点,可用作硅基薄膜太阳电池下转换发光层材料。

关键词：钒酸钇核-壳结构太阳电池下转换

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Sn类钙钛矿太阳电池薄膜的掺杂改性研究

无机化学学报 2016年第9期32卷 1565-1571页

作者：檀满林杨帅马清符冬菊李冬霜王晓伟张维丽陈建军张化宇深圳清华大学研究院深圳518057 哈尔滨工业大学深圳研究生院深圳518055

采用一步法分别制备了Sn类CH3NH3Sn I3和Pb类CH3NH3Pb I3钙钛矿太阳电池薄膜材料,并对其表面形貌、微观结构、吸收光谱和电池器件性能进行了表征和测试。研究结果表明:Sn类钙钛矿材料的吸收光谱相对于Pb类钙钛矿材料发生了明显的红移,... 详细信息

采用一步法分别制备了Sn类CH3NH3Sn I3和Pb类CH3NH3Pb I3钙钛矿太阳电池薄膜材料,并对其表面形貌、微观结构、吸收光谱和电池器件性能进行了表征和测试。研究结果表明:Sn类钙钛矿材料的吸收光谱相对于Pb类钙钛矿材料发生了明显的红移,吸收截止波长从800 nm上升到950 nm左右,光学带隙由1.45 e V降低至1.21 e V左右;Sn类钙钛矿材料的光谱吸收范围明显扩大,但吸收强度有所降低,相应太阳电池器件的光电转换效率也明显低于Pb类钙钛矿太阳电池,分别为2.05%和6.71%。而Br的掺杂可使Sn类钙钛矿材料带隙变宽,吸收光子能量增大,电池器件的开路电压也相应提高。当Br含量由0增加至完全替代I时,Sn类钙钛矿材料逐渐由黑褐色转变为黄色,光学带隙增大至1.95 e V,但吸收截止波长由950 nm降低至650nm。值得提及的是当Br含量为0.5时,电池器件的光电转换效率可由最初的2.05%提升至2.94%。

关键词：钙钛矿太阳电池甲铵锡碘掺杂改性

疏水耐环境型SiO_2/TiO_2/SiO_2-TiO_2太阳能宽光谱增透膜的制备及性能研究

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无机材料学报 2016年第4期31卷 365-371页

作者：檀满林张礼杰王晓伟马清符冬菊张维丽李冬霜陈建军张化宇深圳清华大学研究院深圳518057 哈尔滨工业大学深圳研究生院深圳518055

利用TFCcal设计软件构建膜系结构,采用溶胶–凝胶工艺和提拉法在超白玻璃上制备出厚度精确可控的宽光谱、高增透型SiO2/TiO2/SiO2-TiO2减反膜,同时结合甲基三乙氧基硅烷（MTES）改性碱催化的SiO2溶胶,通过提拉法一次制备出高透过率疏水... 详细信息

利用TFCcal设计软件构建膜系结构,采用溶胶–凝胶工艺和提拉法在超白玻璃上制备出厚度精确可控的宽光谱、高增透型SiO2/TiO2/SiO2-TiO2减反膜,同时结合甲基三乙氧基硅烷（MTES）改性碱催化的SiO2溶胶,通过提拉法一次制备出高透过率疏水型薄膜。研究表明,高增透型三层宽光谱减反膜的理论膜层厚度依次为：80.9 nm（内层SiO2-TiO2）、125.0 nm（中间层TiO2）、95.5 nm（外层SiO2）,其在400～700 nm可见光范围内平均透过率实际可高达97.03%以上。多层膜经过退火处理后,膜面的水接触角高达131.5°,同时陈化两个月以后的多层膜透过率仅下降0.143%,表明制备的SiO2/TiO2/SiO2-TiO2多层减反膜具有优良的疏水和耐环境性能。

关键词：增透膜疏水型耐环境宽光谱

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气压对自蔓延高温还原合成B_4C的影响

中国有色金属学报 1999年第A1期9卷 190-194页

作者：张化宇韩杰才王华彬杜善义哈尔滨工业大学复合材料研究所哈尔滨150001

通过Ｂ２Ｏ３ＭｇＣ体系的自蔓延高温还原反应，成功地制备出了Ｂ４Ｃ粉。由于Ｍｇ的高挥发性，Ｍｇ与Ｂ２Ｏ３的反应受到环境气压的影响。低压下燃烧时，由于Ｍｇ的挥发造成燃烧温度低于Ｂ的熔点，生成的Ｂ４Ｃ颗粒尺... 详细信息

通过Ｂ２Ｏ３ＭｇＣ体系的自蔓延高温还原反应，成功地制备出了Ｂ４Ｃ粉。由于Ｍｇ的高挥发性，Ｍｇ与Ｂ２Ｏ３的反应受到环境气压的影响。低压下燃烧时，由于Ｍｇ的挥发造成燃烧温度低于Ｂ的熔点，生成的Ｂ４Ｃ颗粒尺寸约０．４ μｍ。１０ＭＰａ下反应物的挥发受到抑制，使燃烧温度达到或超过硼的熔点，生成的Ｂ４Ｃ颗粒尺寸约５μｍ。在１００ＭＰａ下，由于氩气的热导率增加，使得热损失增加，造成燃烧温度反而较１０ＭＰａ下有所降低。

关键词：燃烧合成热还原反应气压碳化硼