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包含硅量子点的富硅SiN_x薄膜结构与发光特性

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物理学报 2013年第12期62卷 417-422页

作者：廖武刚曾祥斌文国知曹陈晨马昆鹏郑雅娟华中科技大学光学与电子信息学院武汉430074

采用等离子体增强化学气相沉积法,以NH3与SiH4为反应气体,n型单晶硅为衬底,低温(220°C)沉积了富硅氮化硅(SiNx)薄膜.在N2氛围中,于500—1100C范围内对样品进行了热退火处理.采用Raman光谱技术分析了薄膜内硅量子点的结晶情况,结果表明... 详细信息

采用等离子体增强化学气相沉积法,以NH3与SiH4为反应气体,n型单晶硅为衬底,低温(220°C)沉积了富硅氮化硅(SiNx)薄膜.在N2氛围中,于500—1100C范围内对样品进行了热退火处理.采用Raman光谱技术分析了薄膜内硅量子点的结晶情况,结果表明,当退火温度低于950°C时,样品的晶化率低于18%,而当退火温度升为1100°C,晶化率增加至53%,说明大部分硅量子点都由非晶态转变为晶态.实验通过Fourier变换红外吸收(FTIR)光谱检测了样品中各键的键合结构演变,发现Si—N键和Si—H键随退火温度升高向高波数方向移动,说明了薄膜内近化学计量比的氮化硅逐渐形成.实验还通过光致发光(PL)光谱分析了各样品的发光特性,发现各样品中均有5个发光峰,讨论了它们的发光来源,结合Raman光谱与FTIR光谱表明波长位于500—560nm的绿光来源于硅量子点,其他峰则来源于薄膜内的缺陷态.研究了硅量子点的分布和尺寸对发光带移动的影响,并根据PL峰位计算了硅量子点的尺寸,其大小为1.6—3nm,具有良好的限域效应.

关键词：硅量子点氮化硅薄膜光致发光 Fourier变换红外吸收

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硅量子点双势垒存储结构及其编程机制的研究

中国科学：技术科学 2015年第1期45卷 62-67页

作者：郑文俊曾祥斌文西兴廖武刚冯枫黄诗涵华中科技大学光学与电子信息学院武汉430074 深圳华中科技大学研究院深圳518000

采用等离子体化学气相沉积(PECVD)及热退火方法制备了含硅量子点的Si Cx薄膜.透射电子显微镜(TEM)观测表明Si Cx薄膜中生长了大量硅量子点.制备了含Si Cx薄膜包裹硅量子点的双势垒存储器结构.TEM观测表明,采用上述工艺成功制备了Si3N4/S... 详细信息

采用等离子体化学气相沉积(PECVD)及热退火方法制备了含硅量子点的Si Cx薄膜.透射电子显微镜(TEM)观测表明Si Cx薄膜中生长了大量硅量子点.制备了含Si Cx薄膜包裹硅量子点的双势垒存储器结构.TEM观测表明,采用上述工艺成功制备了Si3N4/Si Cx薄膜/Si-QDs/Si Cx薄膜/Si O2双势垒结构的存储器结构.利用硅量子点的库伦阻塞效应及量子限域效应,从理论上分析了双势垒硅量子点存储器的编程机制,建立了双势垒存储结构阈值电压漂移模型,模拟仿真表明双势垒存储器的阈值电压漂移要大于单势垒存储器,编程速度更快.存储结构C-V特性测试表明,样品在扫描栅压为±12 V时有10 V左右的存储窗口,证明双势垒存储结构具有良好载流子存储效应.

关键词：双势垒硅量子点编程机制存储器

Enhancement of holding voltage by a modified low-voltage trigger silicon-controlled rectifier structure for electrostatic discharge protection

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Chinese Physics B 2023年第2期32卷 514-518页

作者：陈远康周远良蒋杰饶庭柯廖武刚刘俊杰 College of Electronics and Information Engineering Shenzhen UniversityShenzhen 518060China

A novel structure of low-voltage trigger silicon-controlled rectifiers(LVTSCRs) with low trigger voltage and high holding voltage is proposed for electrostatic discharge(ESD) protection. The proposed ESD protection device possesses an ESD implant and a floating structure. This improvement enhances the current discharge capability of the gate-grounded NMOS and weakens the current gain of the silicon-controlled rectifier current path. According to the simulation results, the proposed device retains a low trigger voltage characteristic of LVTSCRs and simultaneously increases the holding voltage to 5.53 V, providing an effective way to meet the ESD protection requirement of the 5 V CMOS process.

关键词： electrostatic discharge floating n-well low-voltage trigger silicon-controlled rectifier

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树仔菜茎浸提液对2种蔬菜种子萌发的影响

安徽农学通报 2015年第5期21卷 63-64,113页

作者：吕能标廖武刚吴挺学吴佳芳任雪军卢英红琼州学院生物科学与技术学院海南三亚572000 五指山市南圣镇人民政府海南五指山572219

以茼蒿、上海青种子为试验材料,采用培养皿滤纸床法研究了树仔菜茎段浸提液的化感作用影响,为解决生产实践中的连作障碍问题提供科学依据。结果表明,10g/m L、50g/m L、90g/m L树仔菜浸提液对受体材料的种子萌发率均有一定抑制作用,茼... 详细信息

以茼蒿、上海青种子为试验材料,采用培养皿滤纸床法研究了树仔菜茎段浸提液的化感作用影响,为解决生产实践中的连作障碍问题提供科学依据。结果表明,10g/m L、50g/m L、90g/m L树仔菜浸提液对受体材料的种子萌发率均有一定抑制作用,茼蒿种子发芽率、株高均比对照高,其中90g/m L浓度酒精浸提液的促进效果最明显;水浸提液对茼蒿种子萌发率、株高均表现为低浓度促进、高浓度抑制;对上海青种子发芽率、株高均有抑制作用,均比对照低,对上海青株高在水浸提液浓度为50g/m L时表现促进作用,在水浸提液浓度为10g/m L、90g/m L时均表现为抑制作用,其中90g/m L浓度水浸提液的抑制效果比较明显。因此,在蔬菜栽培制度中,树仔菜可与茼蒿进行合理的轮作和间套作,但不适宜于上海青进行轮作和间套作。

关键词：树仔菜浸提液种子萌发茼蒿上海青

Realization of a non-markov chain in a single 2D mineral RRAM

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Science Bulletin 2021年第16期66卷 1634-1640,M0003页

作者： Rongjie Zhang Wenjun Chen Changjiu Teng Wugang Liao Bilu Liu Hui-Ming Cheng Shenzhen Geim Graphene Center Tsinghua-Berkeley Shenzhen Institute and Institute of Materials ResearchTsinghua Shenzhen International Graduate SchoolTsinghua UniversityShenzhen 518055China Institute of Microscale Optoelectronics Shenzhen UniversityShenzhen 518060China Shenyang National Laboratory for Materials Science Institute of Metal ResearchChinese Academy of SciencesShenyang 110016China

The non-Markov process exists widely in thermodymanic process,while it usually requires the packing of many transistors and memories with great system complexity in a traditional device structure to minic such ***-dimensional(2D)material-based resistive random access memory(RRAM)devices have the potential for next-generation computing systems with much-reduced ***,we achieve a non-Markov chain in an individual RRAM device based on 2D mineral material mica with a vertical metal/mica/metal *** find that the potassium ions(K+)in 2D mica gradually move in the direction of the applied electric field,making the initially insulating mica *** accumulation of K+is changed by an electric field,and the 2D-mica RRAM has both single and double memory windows,a high on/off ratio,decent stability,and *** is the first time a non-Markov chain process has been established in a single RRAM,in which the movement of K+is dependent on the stimulated voltage as well as their past *** work not only uncovers an intrinsic inner ionic conductivity of 2D mica,but also opens the door for the production of such RRAM devices with numerous functions and applications.

关键词： 2D materials Mica Ion transport RRAM Non-Markov chain

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黄石市地震台背景噪声特征分析

地震工程学报 2025年第1期 152-159页

作者：吴丽慧廖武林黎金玲包萨日娜湖北第二师范学院公共政策研究中心湖北第二师范学院经济与管理学院湖北省地震局京都大学田野科学教育研究中心

利用2018年1月—2020年3月湖北省黄石市三个地震台的垂直分量连续地震波形数据，计算新冠肺炎疫情前(2018年1月—2019年12月)和疫情防控期间(2020年1—3月)三个地震台的噪声加速度功率谱密度和概率密度函数，重点分析高频段(1～10 Hz)... 详细信息

利用2018年1月—2020年3月湖北省黄石市三个地震台的垂直分量连续地震波形数据，计算新冠肺炎疫情前(2018年1月—2019年12月)和疫情防控期间(2020年1—3月)三个地震台的噪声加速度功率谱密度和概率密度函数，重点分析高频段(1～10 Hz)地震背景噪声的时空变化特征。研究结果显示：(1)疫情防控期间，高频噪声加速度功率谱密度整体明显下降，特别是在春节期间。2018年和2019年春节期间短周期(～1 s)噪声幅值下降明显，而在假期结束后迅速恢复；2020年春节正值新冠疫情防控期间，噪声幅值大幅下降，并且持续保持在较低水平。(2)日变化模式改变。疫情前，地震背景噪声在白天(6:00—20:00)的功率谱密度明显高于晚上(20:00—次日6:00),中午12:00左右功率谱密度出现短时下降，夜间2:00左右出现最低值，这种变化特征与人类的作息规律一致；而在新冠疫情防控期间，噪声幅值下降且日变化不明显，表明人类活动减弱，高频噪声幅值相应变化。(3)人口密度和经济发展水平影响噪声水平。人口密度和经济发展水平较高的地区噪声水平偏高，这表明城市的人类活动和经济状况与地震背景噪声存在关联。这些研究结果对城市规划、公共管理和环境保护具有重要的参考价值，可为城市人类活动监测和公共治理提供有用信息。

关键词：地震背景噪声黄石市功率谱密度概率密度函数人类活动

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模块化多电平型变流器电容电压波动及其抑制策略研究

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电工技术学报 2015年第7期30卷 62-71页

作者：黄守道彭也伦廖武国家电能变换与控制工程技术研究中心长沙410082

以模块化多电平变流器(Modular Multilevel Converter,MMC)上下桥臂的功率流动和能量波动为出发点,得到模块化多电平变流器上下桥臂子模块电容电压波动的数学模型。分析子模块电压波动与MMC传输功率、内部环流等物理量之间的关系。提出... 详细信息

以模块化多电平变流器(Modular Multilevel Converter,MMC)上下桥臂的功率流动和能量波动为出发点,得到模块化多电平变流器上下桥臂子模块电容电压波动的数学模型。分析子模块电压波动与MMC传输功率、内部环流等物理量之间的关系。提出通过控制MMC内部环流的二次分量来抑制子模块电容电压波动的控制策略,通过测量相电流瞬时值和相电压调制值得到内部环流参考值,引入准比例谐振(Proportional-Resonant,PR)控制器进行环流闭环控制从而抑制子模块电容电压波动。该控制策略无需坐标变换,无交叉耦合项,简化了控制器的设计。仿真表明,在保持子模块电容大小不变的前提下,该控制策略能有效抑制子模块电容电压的波动,改善MMC输出的交流电压波形质量。

关键词：模块化多电平变流器电容电压波动准比例谐振控制器环流控制

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大吉利市

剧本 2009年第3期 89-91页

作者：廖武广东省梅州市群众艺术馆

时间：当代。地点：阿昌家。人物：俏妹、阿昌、四叔公。（俏妹拿着小黑板，端着架式，一副专家学者的派头上。俏妹（对观众）这年头谁都不敢夸自己的脾气好。就拿我来说，小时候脾气随我爸，大了又随我妈。自从我炒了股票以后，这脾气... 详细信息

时间：当代。地点：阿昌家。人物：俏妹、阿昌、四叔公。（俏妹拿着小黑板，端着架式，一副专家学者的派头上。俏妹（对观众）这年头谁都不敢夸自己的脾气好。就拿我来说，小时候脾气随我爸，大了又随我妈。自从我炒了股票以后，这脾气就随股市了。股市的行情好，我的脾气就好；股市的行情坏，我的脾气也坏。

关键词：吉利专家学者脾气股市行情地点股票

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武钢矿山生产中的几个岩石力学问题

岩石力学与工程学报 2002年第7期21卷 1096-1098页

作者：郭廖武武钢矿业有限责任公司武汉430080

1 引言武钢矿业公司下属的金属矿山有大冶铁矿、程潮铁矿、金山店铁矿和灵乡铁矿,其中大冶铁矿历史悠久,自“汉冶萍”算起已有110余年的开采历史,其他金属矿山的开采历史也超过40 a。大冶铁矿自西向东有铁门坎、尖林山和东采3个车间,... 详细信息

1 引言武钢矿业公司下属的金属矿山有大冶铁矿、程潮铁矿、金山店铁矿和灵乡铁矿,其中大冶铁矿历史悠久,自“汉冶萍”算起已有110余年的开采历史,其他金属矿山的开采历史也超过40 a。大冶铁矿自西向东有铁门坎、尖林山和东采3个车间,其中铁门坎和尖林山为地下采矿车间,东采为露天车间,其他矿山基本上为地下开采。地下采矿方法主要为无底柱分段崩落采矿法。从矿产地质角度分类,上述矿山属于接触交代矽卡岩型矿床,赋存于大理岩、角页岩与闪长岩、花岗岩的接触带上。武钢矿业公司十分重视矿山岩石力学研究工作。1963年大冶铁矿和…

关键词：岩石力学武钢矿业公司露天开采边坡稳定性