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Ku波段五位数字移相器设计与仿真

数学的实践与认识 2016年第7期46卷 154-161页

作者：郝敏如廖晨光西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071

介绍了一种Ku波段五位数字移相器,采用PIN二极管作为开关原件,描述了:PIN二极管的开关原理,并给出了电路设计方案及仿真结果.五位移相器由11.25°,22.5°,45°,90°及180°五个移相单元构成,其中11.25°,22.5°,45°采用改进的加载线型... 详细信息

介绍了一种Ku波段五位数字移相器,采用PIN二极管作为开关原件,描述了:PIN二极管的开关原理,并给出了电路设计方案及仿真结果.五位移相器由11.25°,22.5°,45°,90°及180°五个移相单元构成,其中11.25°,22.5°,45°采用改进的加载线型结构,90°,180°采用改进的开关型结构,同时还研究了调节支路引入前后对电路性能的影响.移相器频率范围为13.2-14.8GHz,频宽为1.6GHz,驻波比小于1.72,插入损耗小于1.55dB,回波损耗优于12dB,仿真结果表明,各项指标达到设计要求.

关键词： Ku波段数字移相器相控阵雷达 PIN二极管

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Internet防火墙技术

广东公安科技 1999年第3期7卷 58-61页

作者：廖晨光广州市公安局科技处

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认证中心方案

广东公安科技 1999年第1期7卷 25-30页

作者：廖晨光广州市公安局科技处

白光LED用Ca_(0.5-y)WO_4:Eu_(0.25)^(3+),Li_(0.25)^+,Sm)y^(3+)红色荧光粉的合成及发光特性

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硅酸盐学报 2015年第4期43卷 476-481页

作者：郝敏如胡辉勇李桂芳廖晨光赵小红贺文文西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院西安710071

采用固相法制备了白光LED红色荧光粉Ca_(0.71)WO_4:Sm_(0.04)^(3+)Li_(0.250)^+和Ca_(0.5-y)WO_4:Eu_(0.25)^(3+),Li_(0.25)^+,Sm_y^(3+)(y=0.00,0.02,0.04,0.06),通过X射线衍射(XRD)、荧光分光光度计以及稳态/瞬态荧光光谱仪研究了荧光粉样品的物相、Sm^(3+)的掺杂量对荧光粉发光性能以及荧光寿命的影响。XRD分析表明,合成的样品均为白钨矿结构。荧光光谱表明,所合成的系列荧光粉均可以被近紫外光(393 nm)和蓝光(464 nm)有效激发,其发射主峰位于615 nm处,归属于Eu^(3+)的~5D_0→~7F_2跃迁。发光衰减曲线表明,Sm^(3+)的掺杂对荧光粉Ca_(0.5)WO_4:Eu_(0.25)^(3+),Li_(0.25)^+荧光寿命没有影响。实验结果表明,在系列Ca_(0.5-y)WO_4:Eu_(0.25)^(3+),Li_(0.25)^+,Sm^(3+)荧光粉中Sm^(3+)的最佳掺杂量为4%(摩尔分数)。

关键词：钨酸钙白光发光二极管钐离子固相法

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互联网络安全评估系统的开发

广东公安科技 1998年第2期6卷 1-3页

作者：廖晨光广州市公共安全科学技术研究所

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计算机犯罪的探讨

计算机犯罪的探讨

垃圾焚烧发电厂项目施工安全管理问题分析与对策

第十三届全国计算机安全技术交流会

作者：廖晨光广州市公安局计算机管理监察处

随着计算机制造技术的不断提高,计算机应用越来越广泛,越来越普及。尤其是近二十年以来,计算机技术的突飞猛进已经成为人类社会巨大的生产力,应用领域几乎覆盖人类活动的各个方面。但是由于计算机本身所固有的某些脆弱性,从而也使之成... 详细信息

随着计算机制造技术的不断提高,计算机应用越来越广泛,越来越普及。尤其是近二十年以来,计算机技术的突飞猛进已经成为人类社会巨大的生产力,应用领域几乎覆盖人类活动的各个方面。但是由于计算机本身所固有的某些脆弱性,从而也使之成为不少罪犯新的作案目标和工具,成为现代高科技犯罪的典型代表。计算机犯罪源于国外,现在,国际上有的犯罪行为,国内也不断地出现,并形成一定的气候,严重威胁经济发展、社会安定和国家安全。为了严厉打击计算机犯罪的行为,全国人大在1997年3月14日修订《刑法》里,增加有关惩治计算机犯罪的条款,从而作到有法可依。

关键词：计算机犯罪类型方案侦察取证

来源： cnki会议评论

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中文科技期刊数据库（全文版）工程技术 2021年第1期 176-176,178页

作者：廖晨光中建三局第一建设工程有限责任公司湖北武汉430040

随着经济社会持续发展,城市规模不断扩容,物质生活更加丰富,城市生活垃圾总量不断升高,生活垃圾处理及如何处理越来越受到施政者和群众的关注。在当前环境保护、倡导节约的背景下,垃圾焚烧发电建设项目发展较为迅速,过程管理难免存在疏... 详细信息

随着经济社会持续发展,城市规模不断扩容,物质生活更加丰富,城市生活垃圾总量不断升高,生活垃圾处理及如何处理越来越受到施政者和群众的关注。在当前环境保护、倡导节约的背景下,垃圾焚烧发电建设项目发展较为迅速,过程管理难免存在疏漏,公共安全和生产安全压力较大。

关键词：垃圾焚烧发电厂安全管理问题对策

γ射线总剂量辐照对单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流的影响

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物理学报 2017年第7期66卷 361-369页

作者：郝敏如胡辉勇廖晨光王斌赵小红康海燕苏汉张鹤鸣西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

基于γ射线辐照条件下单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)载流子的微观输运机制,揭示了单轴应变Si纳米NMOSFET器件电学特性随总剂量辐照的变化规律,同时基于量子机制建立了小尺寸单轴应变Si NMOSFET在γ射线辐照... 详细信息

基于γ射线辐照条件下单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)载流子的微观输运机制,揭示了单轴应变Si纳米NMOSFET器件电学特性随总剂量辐照的变化规律,同时基于量子机制建立了小尺寸单轴应变Si NMOSFET在γ射线辐照条件下的栅隧穿电流模型,应用Matlab对该模型进行了数值模拟仿真,探究了总剂量、器件几何结构参数、材料物理参数等对栅隧穿电流的影响.此外,通过实验进行对比,该模型仿真结果和总剂量辐照实验测试结果基本符合,从而验证了模型的可行性.本文所建模型为研究纳米级单轴应变Si NMOSFET应变集成器件可靠性及电路的应用提供了有价值的理论指导与实践基础.

关键词：单轴应变Si 纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管总剂量栅隧穿电流

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应变Si NMOSFET总剂量效应

电子科技 2018年第9期31卷 1-3,17页

作者：廖晨光郝敏如西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071

文中主要通过模拟仿真了γ射线辐照对单轴应变Si纳米NMOSFET器件电学特性的影响。仿真分析了不同辐照剂量、结构参数以及物理参数等对阈值电压、隧穿栅电流以及热载流子栅电流的影响。结果表明:在总剂量辐照下,阈值电压随着源/漏结深的... 详细信息

文中主要通过模拟仿真了γ射线辐照对单轴应变Si纳米NMOSFET器件电学特性的影响。仿真分析了不同辐照剂量、结构参数以及物理参数等对阈值电压、隧穿栅电流以及热载流子栅电流的影响。结果表明:在总剂量辐照下,阈值电压随着源/漏结深的增加以及沟道长度的减小而减小,隧穿栅电流随着栅氧化层厚度的增大及栅介电常数的减小而增大,热载流子栅电流随着沟道中掺杂浓度的减小以及栅电压的增大而增大。同时,模拟仿真了器件沟道中应力和载流子的分布。

关键词：总剂量阈值电压隧穿热载流子栅电流