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非晶硅碳(a-SiC∶H)薄膜光学常数的透射谱表征

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Journal of Semiconductors 2005年第1期26卷 34-37页

作者：胡志华廖显伯中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心表面物理国家重点实验室

报道了一种用透射谱数据分析法计算非晶硅碳薄膜的厚度、折射率、吸收系数和光学带隙等光学常数的方法和程序 .这一方法引用有效谐振子模型理论的折射率色散关系 ,所有公式均为解析表达式 ,便于进行数据处理 ,无须专用软件 ,使用Excel... 详细信息

报道了一种用透射谱数据分析法计算非晶硅碳薄膜的厚度、折射率、吸收系数和光学带隙等光学常数的方法和程序 .这一方法引用有效谐振子模型理论的折射率色散关系 ,所有公式均为解析表达式 ,便于进行数据处理 ,无须专用软件 ,使用Excel即可完成 ,适用于多种半导体薄膜材料 .将这种方法应用于PECVD方法制备的非晶硅碳(a SiC∶H)薄膜。

关键词：光学常数透射谱非晶硅碳薄膜

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氢化非晶硅基三结叠层太阳电池性能模拟

太阳能学报 2003年第Z1期24卷 55-57页

作者：徐艳月廖显伯中国科学院半导体研究所中国科学院凝聚态物理中心表面物理国家重点实验室北京100083

发展了一种叠层太阳电池准实验模型,根据各组分电池性能来预计非晶硅基三结叠层太阳电池的转化效率.对于如何获得组分电池短路电流的匹配,以及由此叠层电池可达到的最高效率问题,这种模型提供了一种实际可行的预计方法.

关键词：非晶硅基三结叠层太阳电池性能

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沉积气压对相变域硅薄膜性能的影响

功能材料 2011年第8期42卷 1489-1491页

作者：郝会颖李伟民曾湘波孔光临廖显伯中国地质大学材料科学与工程学院北京100083 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)法,成功制备出一系列从非晶到微晶过渡区域的硅薄膜。研究了气体压强对样品的微结构、光电特性、输运性质以及沉积速率的调控作用。结果表明,增大沉积气压可以提高材料的光敏性及沉积速率... 详细信息

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)法,成功制备出一系列从非晶到微晶过渡区域的硅薄膜。研究了气体压强对样品的微结构、光电特性、输运性质以及沉积速率的调控作用。结果表明,增大沉积气压可以提高材料的光敏性及沉积速率,但材料的结构有序度以及输运特性变差。

关键词：相变域硅薄膜微结构光电特性输运特性

808nm大功率量子阱激光器无吸收腔面镀膜的研究

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Journal of Semiconductors 1999年第8期20卷 698-701页

作者：李秉臣彭晔廖显伯中国科学院半导体研究所北京100083

用电子束反应蒸发法制备的ａ Ｓｉ∶ Ｈ膜和Ａｌ２Ｏ３膜组成的ａ Ｓｉ∶ Ｈ／Ａｌ２Ｏ３膜系，解决了ａ Ｓｉ／Ａｌ２Ｏ３膜系在８０８ｎｍ波长有较强光吸收问题，吸收系数从２×１０３ｃｍ－１降低到可以... 详细信息

用电子束反应蒸发法制备的ａ Ｓｉ∶ Ｈ膜和Ａｌ２Ｏ３膜组成的ａ Ｓｉ∶ Ｈ／Ａｌ２Ｏ３膜系，解决了ａ Ｓｉ／Ａｌ２Ｏ３膜系在８０８ｎｍ波长有较强光吸收问题，吸收系数从２×１０３ｃｍ－１降低到可以忽略的程度．ａ Ｓｉ∶ Ｈ膜的光学带隙为１７４ｅＶ左右．应用到８０８ｎｍ大功率量子阱激光器腔面镀膜上。

关键词：量子阱激光器腔面镀膜实验

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用PECVD在低温衬底上制备类金刚石碳膜

人工晶体学报 2000年第3期29卷 220-223页

作者：廖显伯邓勋明 Toledo大学物理天文系中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心

本文报道用ＲＦＰＥＣＶＤ在低温衬底上制备了类金刚石碳（ＤＬＣ０膜。研究了氢稀释、气体压力和ＲＦ功率对薄膜性质的影响。用光透射率、红外吸收谱和小角度Ｘ射线衍射谱分析了ＤＬＣ膜的结构和光学性质。结果表明，这样制备的ＤＬ... 详细信息

本文报道用ＲＦＰＥＣＶＤ在低温衬底上制备了类金刚石碳（ＤＬＣ０膜。研究了氢稀释、气体压力和ＲＦ功率对薄膜性质的影响。用光透射率、红外吸收谱和小角度Ｘ射线衍射谱分析了ＤＬＣ膜的结构和光学性质。结果表明，这样制备的ＤＬＸ膜是无定形态的，包含大量的Ｃ－Ｈ键，具有良好的透明性。厚度为２３０ｎｍ的ＤＬＣ膜的４在４８０ｎｍ后地可见光区和近红外区的透过率大于８３％，所得出的透明性。

关键词：类金刚石碳膜 mPCVD 低温衬底

HIT太阳电池中ITO薄膜的结构和光电性能

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太阳能学报 2007年第5期28卷 504-507页

作者：任丙彦刘晓平许颖王敏花廖显伯河北工业大学(院部)信息功能材料研究所天津300130 北京市太阳能研究所北京100083 中科院半导体所表面物理室北京100083

采用射频磁控溅射技术在不同射频功率下沉积了ITO薄膜,并将其应用于HIT太阳电池.分析了薄膜的结构、光电特性.结果表明,在120W时制备的薄膜很好地兼顾了电阻率和光透过率,其电阻率为3.48×10^-4Ω·cm、在350～800 nm波段的平均光透过率... 详细信息

采用射频磁控溅射技术在不同射频功率下沉积了ITO薄膜,并将其应用于HIT太阳电池.分析了薄膜的结构、光电特性.结果表明,在120W时制备的薄膜很好地兼顾了电阻率和光透过率,其电阻率为3.48×10^-4Ω·cm、在350～800 nm波段的平均光透过率为87.1%,将其应用于HIT太阳电池上,电池的转换效率可达13.38%.

关键词：氧化铟锡薄膜射频磁控溅射陶瓷靶 HIT太阳电池

Proton Irradiation and Thermal Annealing of GaAs Solar Cells

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Journal of Semiconductors 2001年第6期22卷 710-714页

作者：向贤碧杜文会廖显伯常秀兰中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室北京100083 中国科学院半导体研究所表面物理国家实验室北京100083

The investigation on proton irradiation and thermal annealing of AlGaAs/GaAs solar cells has been *** energy of the proton irradiation is 325keV and the fluences are ranging from 5×10 10 to 1×10 13 cm -2 .It is demonstrated that the irradiation-induced degradation in the photovoltaic performance of the solar cells exists mainly in the short circuit current and the irradiation damage can be partly recovered by low temperature annealing at 200℃.In addition,it is found that the borosilicate cover glass has an obvious protection effect against the proton irradiation.

关键词： proton irradiation thermal annealing solor cell

微量硼掺杂非晶硅的瞬态光电导衰退及其光致变化

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物理学报 2002年第1期51卷 111-114页

作者：张世斌孔光临徐艳月王永谦刁宏伟廖显伯中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心表面物理国家实验室北京100083

利用EG&G的瞬态分析测试仪对微量硼掺杂的高氢稀释非晶硅薄膜的瞬态光电导作了测量 ,并研究了长时间曝光处理对瞬态光电导的影响 .发现薄膜的瞬态光电导衰退可以用双指数函数来拟合 ,说明在样品的光电导衰退过程中有两种陷阱在起作用 ,... 详细信息

利用EG&G的瞬态分析测试仪对微量硼掺杂的高氢稀释非晶硅薄膜的瞬态光电导作了测量 ,并研究了长时间曝光处理对瞬态光电导的影响 .发现薄膜的瞬态光电导衰退可以用双指数函数来拟合 ,说明在样品的光电导衰退过程中有两种陷阱在起作用 ,估算了陷阱能级的位置 .曝光处理后样品的光电导和暗电导不仅没有下降 ,而且还有所上升 ,薄膜的光敏性有所改善 .很可能曝光过程引起了硼受主的退激活 ,导致费米能级向导带边移动 ,使有效的复合中心减少 ,样品的光电导上升 .

关键词：非晶硅薄膜光致变化硼掺杂光电导衰退瞬态响应

a-SiN_x∶H薄膜退火前后微结构的Raman谱研究

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真空科学与技术 2000年第4期20卷 238-242页

作者：岳瑞峰王燕韩和相廖显伯清华大学微电子学研究所北京100084 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室北京100083

采用微区Raman谱 ,并结合红外透射测量研究了等离子体增强化学气相沉积方法制备的不同氮含量的a SiNx∶H样品退火前后TO模及TA模与样品微结构的关系。结果表明 ,氮的引入主要影响了第二近邻以外的中等程序的有序度 ,因而随N含量增加 ,T... 详细信息

采用微区Raman谱 ,并结合红外透射测量研究了等离子体增强化学气相沉积方法制备的不同氮含量的a SiNx∶H样品退火前后TO模及TA模与样品微结构的关系。结果表明 ,氮的引入主要影响了第二近邻以外的中等程序的有序度 ,因而随N含量增加 ,TA模相对于TO模的强度增加且频率有较大的蓝移 ,TO模的频率及半高宽则变化较小。N的引入使得样品在750℃ (高于a Si∶H的晶化温度 )退火时不能结晶。退火引起大量H的逸出 ,使得样品的缺陷态密度大大增加 ,导致TO模和TA模均有大的红移 ,TO模的半高宽也急剧增加 ,并且在 492cm- 1 出现了退火前较难观察到的代表Si3

关键词： Raman光谱振动模式 a-SiHx:H薄膜退火微结构