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远行,或者归来

北京文学（精彩阅读） 2024年第6期 140-160页

作者：玄武不详

一、远去.1晨,收到胡先生发来手书的图片,上写:“潮湿的果园果实的坠落声此起彼伏”“晨读玄武兄诗句,让我感触到对生命深沉不语的质朴之韵的瞬间连接。”回:“我即日出发,拟徒步返故乡,电子导航行程314公里。静默一人,未告知任何人。... 详细信息

一、远去.1晨,收到胡先生发来手书的图片,上写:“潮湿的果园果实的坠落声此起彼伏”“晨读玄武兄诗句,让我感触到对生命深沉不语的质朴之韵的瞬间连接。”回:“我即日出发,拟徒步返故乡,电子导航行程314公里。静默一人,未告知任何人。晨见兄帖,煞是亲切。觉是缘分,宛若为我壮行。”

关键词：电子导航远行手书

基于准垂直结构GaN肖特基二极管的S波段限幅器研究

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微波学报 2023年第3期39卷 51-54页

作者：邓世雄刘继斌刘培国高长征康玄武国防科技大学电子科学学院长沙410073 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 中国科学院微电子研究所北京100029

当今高功率微波技术发展迅速,电子设备所面临的威胁巨大。GaN肖特基二极管具有较小的开启电压和较高的击穿电压,特别适用于大功率整流电路。文章介绍了一种基于准垂直结构GaN肖特基二极管整流的高功率微波限幅器。测试结果表明,该限幅器... 详细信息

当今高功率微波技术发展迅速,电子设备所面临的威胁巨大。GaN肖特基二极管具有较小的开启电压和较高的击穿电压,特别适用于大功率整流电路。文章介绍了一种基于准垂直结构GaN肖特基二极管整流的高功率微波限幅器。测试结果表明,该限幅器在2~4 GHz频带内,可承受脉宽10μs、占空比1%、峰值超过1000 W的功率;其小信号插损小于1 dB,输入输出驻波比小于1.5。该限幅器插损小、耐功率高,可广泛应用于接收机中以提升其可靠性。

关键词：高功率微波 GaN 肖特基二极管限幅器

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父亲,我和你都是迷路的少年(2首)

作家 2024年第5期 51-52页

作者：玄武不详

CMOS兼容的Si基GaN准垂直结构肖特基势垒二极管

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半导体技术 2022年第3期47卷 179-183页

作者：陈延博杨兵康玄武郑英奎张静吴昊刘新宇北方工业大学信息学院北京100144 中国科学院微电子研究所北京100029

在Si基GaN上制备了与CMOS工艺兼容的高性能准垂直结构肖特基势垒二极管(SBD)。探索了在GaN体材料上基于Ti/Al/Ti/TiN结构的无金欧姆接触工艺,在650℃的N_(2)氛围退火60 s实现了较好的欧姆接触性能。通过采用电感耦合等离子体(ICP)干法... 详细信息

在Si基GaN上制备了与CMOS工艺兼容的高性能准垂直结构肖特基势垒二极管(SBD)。探索了在GaN体材料上基于Ti/Al/Ti/TiN结构的无金欧姆接触工艺,在650℃的N_(2)氛围退火60 s实现了较好的欧姆接触性能。通过采用电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀工艺,实现了低损伤的侧壁。同时采用TiN作为肖特基金属,实现了较低的开启电压。器件制备完成后对其进行分析表征。测试和分析结果表明,制备的无金工艺的准垂直GaN SBD实现了0.5 V的低开启电压,0.37 mΩ·cm^(2)的比导通电阻,理想因子为1.06,势垒高度为0.81 eV。器件的击穿电压为256 V,巴利加优值(BFOM)达到了177 MW/cm^(2)。研究表明,采用无金工艺制备GaN SBD具有技术上的可行性,该技术有望降低GaN SBD的制造成本。

关键词： Si基GaN 肖特基势垒二极管(SBD) 准垂直结构无金工艺电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 TiN CMOS兼容工艺

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在草木与兽之间

广州文艺 2024年第2期 147-155页

作者：玄武

鸟类的语言非常古老，而且，就像其他古老的说话方式一样，也非常隐晦。言辞不多，却意味深长。——吉尔伯特·怀特一个人能观察落叶、羞花，从细微处欣赏一切，生活就不能把他怎么样。——毛姆1獾子糟害过的玉米地，一片狼藉。晚上刚...

鸟类的语言非常古老，而且，就像其他古老的说话方式一样，也非常隐晦。言辞不多，却意味深长。——吉尔伯特·怀特一个人能观察落叶、羞花，从细微处欣赏一切，生活就不能把他怎么样。——毛姆1獾子糟害过的玉米地，一片狼藉。晚上刚八点多，一个农民不放心，扛着铁锹去自家地边看，听到獾子掰倒玉米的咔嚓咔嚓声响，冲进去把它赶跑了。

关键词：

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绝缘栅GaN基平面功率开关器件技术

电力电子技术 2017年第8期51卷 65-70页

作者：黄森王鑫华康玄武刘新宇中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

绝缘栅氮化镓(GaN)基平面功率开关器件是下一代GaN功率电子技术的最佳选择。在此从Si基GaN金属绝缘体(氧化物)半导体(MIS/MOS)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件面临的界面态和增强型栅产业化制备等方面入手,介绍了绝缘栅GaN基器件表界面态... 详细信息

绝缘栅氮化镓(GaN)基平面功率开关器件是下一代GaN功率电子技术的最佳选择。在此从Si基GaN金属绝缘体(氧化物)半导体(MIS/MOS)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件面临的界面态和增强型栅产业化制备等方面入手,介绍了绝缘栅GaN基器件表界面态工程,高可靠栅介质及兼容互补MOS(CMOS)工艺的大尺寸Si基GaN器件制造等技术的研究进展,为绝缘栅GaN基平面功率开关器件的产业化应用奠定基础。

关键词：功率开关器件绝缘栅氮化镓

Ar离子注入边缘终端准垂直GaN肖特基势垒二极管

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半导体技术 2021年第8期46卷 623-629,644页

作者：赵媛媛郑英奎康玄武孙跃吴昊魏珂刘新宇中国科学院大学微电子学院北京100049 中国科学院微电子研究所北京100029

为了研究离子注入边缘终端对准垂直GaN肖特基势垒二极管性能的影响,对器件进行了二维模拟仿真,分析了终端区域尺寸对肖特基结边缘处峰值电场及正向特性的影响,得到了宽度5μm、厚度200 nm的最优终端区域尺寸。基于工艺仿真软件设计了Ar... 详细信息

为了研究离子注入边缘终端对准垂直GaN肖特基势垒二极管性能的影响,对器件进行了二维模拟仿真,分析了终端区域尺寸对肖特基结边缘处峰值电场及正向特性的影响,得到了宽度5μm、厚度200 nm的最优终端区域尺寸。基于工艺仿真软件设计了Ar离子注入工艺参数,依次以30 keV、5.0×10^(13)cm^(-2),60 keV、1.5×10^(14)cm^(-2)和140 keV、4.5×10^(14)cm^(-2)的注入能量和注入剂量进行多次注入,形成了Ar离子终端结构。采用Ar离子注入终端的GaN二极管的反向击穿电压从73 V提高到146 V,同时注入前后器件正向特性变化不大。结果表明,采用优化尺寸参数的终端结构能够有效降低肖特基结边缘处的峰值电场强度,从而提高器件的反向击穿电压。

关键词： GaN 准垂直结构肖特基势垒二极管 Ar离子注入边缘终端

氧等离子体表面处理对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的影响

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半导体技术 2021年第2期46卷 134-138,168页

作者：李鹏飞魏淑华康玄武张静吴昊孙跃郑英奎北方工业大学信息学院北京100144 中国科学院微电子研究所北京100029

采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统,研究了氧等离子体表面处理对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触电阻的影响。利用能量色散X射线光谱仪、光致发光谱和原子力显微镜以及电学测试设备对处理前后样品进行表征分析。结果表明,在最佳的氧等离子体处... 详细信息

采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统,研究了氧等离子体表面处理对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触电阻的影响。利用能量色散X射线光谱仪、光致发光谱和原子力显微镜以及电学测试设备对处理前后样品进行表征分析。结果表明,在最佳的氧等离子体处理条件(ICP功率250 W,射频功率60 W,压强0.8 Pa,氧气流量30 cm^(3)/min,时间5 min)下,欧姆接触电阻为0.41Ω·mm,比参照样品接触电阻降低了约69%。分析认为经过氧等离子体处理后,在近表面处产生了一定数量的N空位缺陷,这些N空位表现为浅能级施主掺杂,有利于欧姆接触的形成。通过采用氧等离子体表面处理工艺制备的AlGaN/GaN HEMT,在+2 V的栅极偏压下获得了0.77 A/mm的最大漏极饱和电流。

关键词： AlGaN/GaN HEMT 欧姆接触氧等离子体 N空位电感耦合等离子体(ICP)刻蚀

AlGaN/GaN非凹槽混合阳极SBD射频性能及建模

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半导体技术 2021年第5期46卷 358-364,381页

作者：刘芷诫郑英奎康玄武孙跃吴昊陈晓娟魏珂中国科学院大学北京100049 中国科学院微电子研究所北京100029

基于大功率微波输能的需求,制备了新型AlGaN/GaN非凹槽混合阳极肖特基势垒二极管(SBD)。对新型结构的器件进行了小信号建模,可用于微波输能电路设计。通过开路、短路去嵌结构法从小信号S参数中提取了器件的寄生电容、电感和电阻,结合去... 详细信息

基于大功率微波输能的需求,制备了新型AlGaN/GaN非凹槽混合阳极肖特基势垒二极管(SBD)。对新型结构的器件进行了小信号建模,可用于微波输能电路设计。通过开路、短路去嵌结构法从小信号S参数中提取了器件的寄生电容、电感和电阻,结合去嵌后的S参数与直流I-V、C-V特性曲线提取了器件的本征参数。综合寄生和本征参数建立了器件的小信号模型,将模型仿真结果与器件的实测结果进行了对比,同时引入误差因子评估了模型的准确度。结果表明,在0.1~10 GHz内,回波损耗相对误差小于4.1%,插入损耗相对误差小于3.7%,验证了所提出模型的可行性和准确性。

关键词： GaN AlGaN/GaN异质结肖特基势垒二极管(SBD) 混合阳极微波输能