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基于正交试验的矿用车驾驶室多参数优化设计
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机械强度 2018年 第6期40卷 1356-1363页
作者: 李伟平 冯子农 单喜乐 康晋 湖南大学机械与运载工程学院 长沙410082
矿用自卸车驾驶室防翻滚(ROPS)系统优化设计的主要目的是在确保驾驶室强度、刚度和动态性能的前提下,减轻驾驶室的质量,以达到轻量化的目的;因为驾驶室本身的部件较多,每个部件对驾驶室性能影响程度也不同,因此该系统的优化设计问题属... 详细信息
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道路通行障碍物遥感检测与通过性评价
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国土资源遥感 2020年 第2期32卷 94-102页
作者: 康晋 戚浩平 杨清华 陈华 东南大学交通学院 南京211189 中国自然资源航空物探遥感中心 北京100083
针对现有道路障碍物遥感检测方法对配准精度要求高、受成像条件影响大、自动化程度不高以及需要专业人员操作等不足,提出了一种基于反向特征匹配的道路障碍物检测方法和路段通过性评估方法。该方法基于尺度不变特征变换(scale-invariant... 详细信息
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Ag/YBa2Cu3O(7-x)、Al/YB2Cu3O(7-x)界面特性
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低温物理学报 1995年 第3期 179-184页
作者: 熊光成,康晋锋,连贵君,王佑祥,陈新,韩汝琦 北京大学物理系,北京大学微电子所,中国科学院物理所和半导体所表面物理国家重点开放实验室
利用电学测量方法结合二次离子质谱(SIMS)技术对金属Ag和Al与YBa2Cu3O(7-x)(YBCO)超导薄膜接触界面电学性质和互扩散特征进行了测试分析.分析结果显示由于Ag和Al具有不同的化学性质,二者与YBCO... 详细信息
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Al_2O_3栅介质的制备工艺及其泄漏电流输运机制
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Journal of Semiconductors 2003年 第10期24卷 1109-1114页
作者: 任驰 杨红 韩德栋 康晋 刘晓彦 韩汝琦 北京大学微电子学研究所 北京100871
利用室温下反应磁控溅射结合炉退火的方法在P Si(10 0 )衬底上制备了Al2 O3 栅介质层 ,研究了不同的溅射气氛和退火条件对Al2 O3 栅介质层物理特性的影响 .结果表明 :在较高温度下N2 气氛中退火有助于减小泄漏电流 ;在O2 气氛中退火有... 详细信息
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洋中脊玄武岩的Ba同位素组成及其应用
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中国科学技术大学学报 2022年 第3期52卷 1-8,69页
作者: 南晓云 于慧敏 康晋 黄方 中国科学院壳幔物质与环境重点实验室 中国科学技术大学地球和空间科学学院安徽合肥230026 中国科学院比较行星学卓越创新中心 安徽合肥230026
Ba同位素是一种新兴的示踪地壳物质俯冲再循环的工具。确定地幔的Ba同位素组成是Ba同位素地质应用的前提。然而,目前幔源岩浆岩Ba同位素的数据仍然很少。本文报道了30个海洋玄武岩的高精度的Ba同位素数据,包括25个大洋中脊玄武岩(MORB)... 详细信息
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弱震活动过程的非线性研究
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中国地震 1994年 第A期10卷 111-121页
作者: 程万正 康晋
区域弱震异常时间过程表现为平静或增强,本文基于微破裂异常时间过程的概率描述,得到弱震的随机性发生与长期应变积累速率或应力水平有关,也与瞬时应变增长或减缓有关的结论,利用分区带弱震活动归一化累积频率可较好分析弱震活动的... 详细信息
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金沙江白鹤滩水电站葫芦口大桥主桥设计
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世界桥梁 2015年 第5期43卷 6-10页
作者: 康晋 舒思利 徐恭义 中铁大桥勘测设计院集团有限公司 湖北武汉430056
葫芦口大桥主桥为(158+656+145)m的单跨双铰钢桁梁悬索桥。该桥设2根主缆,主缆采用预制平行高强钢丝索股结构。全桥共布置71对吊索,吊索采用预制平行钢丝束,与索夹采用销轴连接方式。主索鞍为全铸式结构,鞍底设置滑动副。散索鞍为底座... 详细信息
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硅微电子技术物理极限的挑战
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电子学报 1998年 第11期26卷 77-84页
作者: 王阳元 韩汝琦 刘晓彦 康晋 北京大学微电子研究所 北京1000871
本文对硅微电子技术在发展过程中随着半导体器件的不断缩小和芯片集成度的不断提高,所面临着一系列的挑战进行了回顾和展望,并从基本物理规律、材料、工艺技术、器件、电路和系统等几个方面对其来自于基本物理极限和实际的物理限制的... 详细信息
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问题意识推动高校思想政治理论课“课堂革命”
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内蒙古教育 2019年 第27期 4-6页
作者: 康晋 包头师范学院
新时代新形势下,高校思想政治理论课程的教学改革势在必行。本文基于"课题革命"理念,以问题意识为抓手,深入研究思想政治理论课的教学全过程,通过对问题导向的教学理念、教学内容和教学手段的再探索,使高校思想政治理论课成为让大学生... 详细信息
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32nm及其以下技术节点CMOS技术中的新工艺及新结构器件
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中国科学(E辑) 2008年 第6期38卷 921-932页
作者: 王阳元 张兴 刘晓彦 康晋 黄如 北京大学学微电子学研究院 北京100871
32nm及其以下技术节点的发展需要从器件结构、加工技术以及材料选用等各个方面进行创新,其中金属栅/高k栅介质的新型栅结构,以应变硅为代表的沟道迁移率增强技术,以及以FinFET为代表的新型非平面MOSFET结构均成为32nm及其以下技术节点... 详细信息
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