检索结果-南通市图书馆

传感器技术 1992年第1期11卷 19-21页

作者：杨一平庄庆德东南大学

介绍了一种新型的颜色传感器,其分光采用染色的聚酰亚胺滤色膜,它与传统的硅集成工艺兼容;敏感器件采用三个硅光二极管阵列。该传感器对入射光波长在380nm～650nm的范围内具有较高的灵敏度,且温漂小。

关键词：集成硅颜色传感器聚酰亚胺

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用于大功率控制的集成电路

电子器件 1985年第4期 68-75+77页

作者：庄庆德

引言纵向功率器件正被用在一种新型的大功率控制集成电路方面这些纵向器件比起用在线性技术中的传统的平面器件提供了很大的改进。在新的器件中,一个大电流接触（集电极或者漏）放在心片的背面。这使得在芯片的上表面基极/栅和发射极... 详细信息

引言纵向功率器件正被用在一种新型的大功率控制集成电路方面这些纵向器件比起用在线性技术中的传统的平面器件提供了很大的改进。在新的器件中,一个大电流接触（集电极或者漏）放在心片的背面。这使得在芯片的上表面基极/栅和发射极/漏接触及金属版图设计具有高度对称。这种大电流,大功率器件与提供控制,接口和保护功能的平面集成电路技术单片地集成在一起。

关键词：功率控制基极发射极功率器件击穿电压功率集成

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硅外延技术的进展

电子器件 1981年第4期 11-21页

作者：庄庆德半导体电子学研究室

过去十年来,集成电路发展很快。硅片尺寸从1.5吋坛大到4吋,集成度从每片1000个元件坛加到10万个元件,条宽从10μ减到2μ,成本从每个晶体管5美分降到1/20美分。总之集成电路向着高集成度、高密度、高速度、低功耗发展,工艺技术向低成本... 详细信息

过去十年来,集成电路发展很快。硅片尺寸从1.5吋坛大到4吋,集成度从每片1000个元件坛加到10万个元件,条宽从10μ减到2μ,成本从每个晶体管5美分降到1/20美分。总之集成电路向着高集成度、高密度、高速度、低功耗发展,工艺技术向低成本、高置信度、便于生产及高成品率方向发展。

关键词：多晶晶体外区空下

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超声波传感器

电子器件 1991年第2期14卷 76-82页

作者：庄庆德

本文介绍了超声波传感器的基本原理,分类,应用;超声波发射器与接收器的结构,原理与应用.

关键词：超声波传感器传感器

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热释电红外传感器的应用——传感器应用之二

电子器件 1990年第4期13卷 38-42,45页

作者：庄庆德

红外线是指波长在0.76μm～1mm之间的电磁波,其中3～5μm以及8～14μm波段的红外线受大气吸收很少,称为大气层的红外窗口.这个波段的红外线可用于长距离通讯,例如红外遥控电路.图1显示了红外线在大气中透射率的分光特性.

关键词：热释电红外传感器应用

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条型码的特点及应用

电子器件 1991年第1期14卷 26-32,25页

作者：庄庆德

本文介绍了国际上几种常用条型码的特点.以光电反射式扫描器为例,介绍了条型码的信号读取方式.

关键词：商品管理计算机条型码

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液晶彩色电视机的发展现状及趋势

电子器件 1989年第4期12卷 19-28页

作者：庄庆德

一、液晶电视机的发展现状 1888年,奥地利科学家莱尼茨发现了液晶现象,到现在已有100年的历史了。但液晶真正走向实用仅仅是20年前的事:1968年,美国RCA的Heilmeier博士发表了动态散射型液晶的研究成果,从那时起,液晶的发展一日千里,应... 详细信息

一、液晶电视机的发展现状 1888年,奥地利科学家莱尼茨发现了液晶现象,到现在已有100年的历史了。但液晶真正走向实用仅仅是20年前的事:1968年,美国RCA的Heilmeier博士发表了动态散射型液晶的研究成果,从那时起,液晶的发展一日千里,应用领域不断扩大。在1973年前后,首先在钟表,电子计算器、加油站显示等方面获得应用;1977年,应用领域扩展到测量仪表,家用电器、游戏机、民用器材上,处理的信号由单纯的数字扩展到数字与模拟结合。1980年,出现了供计算机用的大容量显示屏;1982年,终于在电视机应用上获得突破;1982年10月,东芝公司研制出3英时黑白液晶电视机,采用TFT作为驱动元件,包括220 ×240个象素。1983年出现了彩色液晶电视机,精工舍公司于1983年发表了全彩色2.1英时液晶电视机的样品,象素为240×240。1984年前后,彩色液晶电视机商品化。1987年,全世界的液晶电视机产量为200万台,1990年将达1000万台,每年增长60％。

关键词：液晶电视彩色电视机发展

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微电子技术中的材料兼容

微电子学 1991年第4期21卷 1-12页

作者：庄庆德东南大学微电子中心

微电子技术的发展对材料提出了更高的要求。本文评述了硅材料与其它半导体、绝缘物和导体的单片兼容技术及应用。

关键词：微电子技术微细加工材料兼容

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硅片加工中的光刻技术

微电子学 1972年第6期 29-35页

作者：庄庆德

光刻是在半导体、金属及其他精密的表面加工中常用到的一种技术。尤其是在半导体工业中,为了制造二极管、晶体管、集成电路(IC)和大规模集成电路(LSI),采用光刻的方法,把非常复杂和精细的图形做在硅片上。

关键词：光刻技术掩模硅片抗蚀剂光刻胶膜坚膜

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化学汽相淀积设备

微电子学 1972年第Z1期 76-84页

作者：庄庆德

化学汽相淀积(CVD)是最近开始普遍用于集成制造工艺并向实用化急速发展的一门技术。但是还有与化学汽相淀积相类似的物理汽相淀积(PVD),物理汽相淀积可以看作是蒸发、溅射等与化学反应无关的技术。如所周知,化学汽相淀积的基本想法是把... 详细信息

化学汽相淀积(CVD)是最近开始普遍用于集成制造工艺并向实用化急速发展的一门技术。但是还有与化学汽相淀积相类似的物理汽相淀积(PVD),物理汽相淀积可以看作是蒸发、溅射等与化学反应无关的技术。如所周知,化学汽相淀积的基本想法是把包含欲生长物质的元素的气体与携带气体一同通入系统,在衬底上经过热解、氧化、还原等化学反应,析出所要生长的物质。目前,CVD技术包括外延生长技术,正以生成氧化膜,氮化膜,金属薄膜等多种形式被广泛采用,它的重要性,应该看作与其他组合工艺占同等地位。估计CVD将来的发展技术是配合离子注入等技术,把它的应用范围扩大到集成工艺之外。本文就CVD设备的考虑方面、现状、以及CVD技术将来的方向等问题作一介绍,其中的硅外延技术因有另文介绍故省略。

关键词： CVD 化学汽相淀积化学气相沉积低温生长晶体生长石英舟金属薄膜