检索结果-南通市图书馆

慢性肾衰竭尿毒症期患者血液透析维持治疗发生重症感染的危险因素及不良心血管事件影响因素分析

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

现代生物医学进展 2024年第14期24卷 2666-2671页

作者：师帅李秀文赵伊婷常帅军赵婷新疆医科大学第六附属医院肾内科新疆医科大学第六附属医院检验科

目的：探讨慢性肾衰竭尿毒症期患者血液透析维持治疗发生重症感染的危险因素及不良心血管事件影响因素。方法：选取我院2021年10月到2023年10月收治的60例慢性肾衰竭尿毒症期患者作为研究对象，所有患者均采取维持性血液透析治疗。分别... 详细信息

目的：探讨慢性肾衰竭尿毒症期患者血液透析维持治疗发生重症感染的危险因素及不良心血管事件影响因素。方法：选取我院2021年10月到2023年10月收治的60例慢性肾衰竭尿毒症期患者作为研究对象，所有患者均采取维持性血液透析治疗。分别依照患者重症感染及不良心血管事件发生人数进行分组。即感染组（n=20），非感染组（n=40）与不良心血管事件组（n=22）、非不良心血管事件组（n=38）。分析所有患者一般临床情况，并以重症感染及不良心血管事件分别作为因变量，纳入logistics回归模型，分析重症感染的及不良心血管事件的独立影响因素。结果：感染组与非感染组患者年龄、合并糖尿病、透析时间、合并心力衰竭、留置静脉导管、血红蛋白、Hs-CRP、血白蛋白、空腹血糖水平对比差异显著（P<0.05）；年龄、合并糖尿病、留置静脉导、Hs-CRP、空腹血糖为慢性肾衰竭尿毒症期患者血液透析维持治疗发生重症感染的独立危险因素（P<0.05）；不良心血管事件组与非不良心血管事件组患者原发疾病、合并高血压、糖尿病、高脂血症、吸烟史、高磷血症、透析时间、Hs-CRP、LDL-C对比差异显著（P<0.05）；合并高血压、合并高脂血症、高磷血症、Hs-CRP、透析时间为慢性肾衰竭尿毒症期患者血液透析维持治疗发生不良心血管事的独立危险因素（P<0.05）。结论：年龄、合并糖尿病、留置静脉导、Hs-CRP、空腹血糖为慢性肾衰竭尿毒症期患者血液透析维持治疗发生重症感染的独立危险因素，合并高血压、合并高脂血症、高磷血症、Hs-CRP、透析时间为不良心血管事件的独立影响因素。

关键词：慢性肾衰竭尿毒症期维持性血液透析治疗重症感染不良心血管事件影响因素

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

对称性硫脲的绿色合成工艺

精细化工 2023年第6期40卷 1386-1392页

作者：李合平常帅军宋士杰刘俊勇苏琼河南省非轮胎类橡胶助剂工程技术研究中心河南鹤壁458030 河南易交联新材料研究院有限公司河南鹤壁458030

以乙二胺、CS_(2)为原料、水为溶剂,一锅合成了亚乙基硫脲(ETU),收率和HPLC纯度均达到99%以上。利用NMR、FTIR对产物结构进行了确证。考察了CS_(2)滴加温度、乙二胺与CS_(2)物质的量比、回流反应温度、回流反应升温速率及NaOH反应段NaO... 详细信息

以乙二胺、CS_(2)为原料、水为溶剂,一锅合成了亚乙基硫脲(ETU),收率和HPLC纯度均达到99%以上。利用NMR、FTIR对产物结构进行了确证。考察了CS_(2)滴加温度、乙二胺与CS_(2)物质的量比、回流反应温度、回流反应升温速率及NaOH反应段NaOH用量对ETU收率、HPLC纯度的影响。结果表明,ETU的最佳合成工艺条件为CS_(2)滴加温度25~30℃、n(乙二胺)∶n(CS_(2))=1∶1.20、回流反应温度65~70℃、回流反应升温速率0.17℃/min、NaOH反应段NaOH用量为乙二胺质量的3.0%。以此工艺为模板,合成了1,3-二乙基硫脲(DETU)和四氢-2(1H)-嘧啶硫酮(PUR)。中试实验表明,该工艺稳定可靠,产品收率、HPLC纯度均达到99%以上,母液可循环套用。

关键词：对称性硫脲亚乙基硫脲 1,3-二乙基硫脲四氢-2(1H)-嘧啶硫酮异硫氰酸酯精细化工中间体

维普期刊数据库博看期刊

一种能够改善鲁棒性的新型4H-SiC ESD防护器件

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2022年第19期71卷 348-354页

作者：常帅军马海伦李浩欧树基郭建飞钟鸣浩刘莉西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体国家重点实验室西安710071 西安电子科技大学广州研究院广州510555

2020年,韩国学者以4H-SiC材料为基底提出了一种新型ESD防护器件HHFGNMOS(high holding voltage floating gate NMOSFET),此结构显著改善了4H-SiC GGNMOS(grounded-gate NMOSFET)因SiC材料特性导致的剧烈回滞现象.但是在HHFGNMOS结构中仍存在电流分布过于密集的问题.在本文中首次将comb-like结构用于HHFGNMOS防护器件,将器件的漏区底部进行梳型改造,充分利用电流集边效应使电流分布变得均匀,并通过TCAD仿真给出了Comb-like结构的设计变量对结构性能的影响.基于4H-SiC的GGNMOS,HHFGNMOS,Comb-like HHFGNMOS在TLP脉冲下的瞬态仿真结果显示,comb-like HHFGNMOS的二次失效电流I相比GGNMOS以及HHFGNMOS由17 A提高到22 A,提高了29%;此外comb-like HHFGNMOS回滞相比GGNMOS及HHFGNMOS减小了55.2%和5%.因此在面积不变、工艺相兼容的情况下较大程度改善了器件的鲁棒性,减小了回滞效应.

关键词： HHFGNMOS Comb-like HHFGNMOS 4H-SiC 电流密度分布

非钳位感性开关测试下双沟槽4H-SiC功率MOSFET失效机理研究

维普期刊数据库

同方期刊数据库博看期刊评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2022年第13期71卷 347-353页

作者：郭建飞李浩王梓名钟鸣浩常帅军欧树基马海伦刘莉西安电子科技大学广州研究院广州510555 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体国家重点实验室西安710071

本文对非钳位感性开关(unclamped inductive switching,UIS)下4H-SiC双沟槽功率MOSFET失效机理进行实验和理论研究.结果表明,不同于平面功率MOSFET器件失效机理,在单脉冲UIS测试下双沟槽功率MOSFET器件的栅极沟槽底角处的氧化层会发生损... 详细信息

本文对非钳位感性开关(unclamped inductive switching,UIS)下4H-SiC双沟槽功率MOSFET失效机理进行实验和理论研究.结果表明,不同于平面功率MOSFET器件失效机理,在单脉冲UIS测试下双沟槽功率MOSFET器件的栅极沟槽底角处的氧化层会发生损坏,导致了器件失效.测量失效器件的栅泄漏电流和电阻,发现栅泄漏电流急剧增大,电阻仅为25Ω;失效器件的阈值电压稳定不变.使用TCAD软件对雪崩状态下的器件电场分布进行仿真计算发现,最大电场位于栅极沟槽底拐角处,器件内部最大结温未超过电极金属熔点,同时也达到了理论与仿真的吻合.

关键词： 4H-SiC 双沟槽 MOSFET 单脉冲雪崩击穿能量失效机理栅极沟槽拐角氧化层断裂

维普期刊数据库博看期刊

基于SiC材料的ESD保护器件的研究与设计

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

基于SiC材料的ESD保护器件的研究与设计

作者：常帅军西安电子科技大学

学位级别：硕士

近些年半导体制造工艺不断升级致使器件特征尺寸连续减小,防静电能力也随之减小,静电放电对集成电路产品的影响不断变大,逐渐成为集成电路产品失效的主要原因,因此ESD防护电路在电路设计中是至关重要的电路模块之一。与此同时,特征尺寸... 详细信息

近些年半导体制造工艺不断升级致使器件特征尺寸连续减小,防静电能力也随之减小,静电放电对集成电路产品的影响不断变大,逐渐成为集成电路产品失效的主要原因,因此ESD防护电路在电路设计中是至关重要的电路模块之一。与此同时,特征尺寸的减小也在不断压缩ESD防护器件的设计窗口,使得触发电压以及维持电压成为ESD防护器件的主要关注点。宽禁带材料4H-SiC在高温、大功率和高压条件下具有优异的材料性能,在如航空航天、汽车等高压大功率领域逐渐趋向采用4H-SiC为电路首选材料的背景下,基于4H-SiC的ESD防护器件是片上ESD防护的重要组成部分。在ESD防护器件应用方面,尽管4H-SiC材料有着很多的优势,但目前对基于4H-SiC材料的ESD防护器件的研究还很少,由于4H-SiC材料的临界电场（EC=2.4MV/cm）大约为Si材料（EC=0.25MV/cm）的十倍,且载流子迁移率低,空穴迁移率不足Si材料空穴迁移率的四分之一,使得传统4H-SiC ESD防护器件的触发电压非常大,回滞效应相比硅基器件剧烈,导致不断压缩的ESD防护器件设计窗口在4H-SiC ESD防护器件设计中的影响更为显著。本论文通过对传统GGNMOS防护器件为基础进行优化设计,减小4H-SiC材料所带来的剧烈回滞,满足日益缩小的ESD设计窗口需求。本文通过TCAD仿真软件充分探究了基于4H-SiC GGNMOS结构的新型4H-SiC HHFGNMOS结构的工作原理以及主要参数的影响。并验证了ESD领域常用优化技术如衬底触发技术、P-ESD层调制技术等技术的可行性。在4H-SiC HHFGNMOS的基础上对面积、电流分布做出优化,提出两种新型结构。PN 4H-SiC HHFGNMOS结构取消了栅极耦合技术并插入一个二极管,通过调整二极管的掺杂浓度以及P+、N+掺杂区之间的距离,使其击穿发生在NMOS的漏衬PN结之前,引入一条额外的电流路径,提高衬底电势,以替代栅极耦合技术达到降低触发电压的目的。通过仿真发现触发电压由4H-SiC GGNMOS的250V减小至221V,略大于4H-SiC HHFGNMOS的202V,维持电压及二次击穿电流相较与4H-SiC HHFGNMOS基本无变化,额外增加的二极管导致漏电流有轻微幅度的变大,但由于使用二极管代替栅极耦合技术,器件占用面积有较大幅度缩小。comb-like 4H-SiC HHFGNMOS结构在4H-SiC HHFGNMOS结构的基础上对漏极底部进行comb-like改造,减小了器件的电流集边效应,电流分布更为均匀,晶格温度在同样静电应力下更小,增大了二次击穿电流,提高了ESD防护器件的鲁棒性。通过仿真发现在同一应力下,comb-like 4H-SiC HHFGNMOS电流密度分布明显更加均匀,最大晶格温度由4H-SiC熔点2073 K降至1872 K,二次击穿电流It2由17 A提升至22 A,提高了29%,维持电压Vh由78 V提升至126 V,提高了61.5%,触发电压Vt1相较于4H-SiC HHFGNMOS无明显变化。在面积不变、工艺相兼容的情况下较大程度改善了器件的鲁棒性,提高了器件的性能。

关键词： 4H-SiC GGNMOS PN 4H-SiC HHFGNMOS 电流密度分布 comb-like 4H-SiC HHFGNMOS

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

2-巯基苯并咪唑锌盐合成新工艺的研究

现代化工 2023年第8期43卷 209-212页

作者：李合平刘俊勇杨瑞朝常帅军刘诗新葛雪莹河南省橡胶硫化促进剂工程技术研究中心河南鹤壁458000 河南易交联新材料研究院有限公司河南鹤壁458000

以邻苯二胺、二硫化碳为原料,在4-二甲氨基吡啶(DMAP)催化下合成了2-巯基苯并咪唑,然后加入氧化锌得到2-巯基苯并咪唑锌盐。考察了不同催化剂及其质量分数、反应介质、反应原料的摩尔比、成盐条件等对2-巯基苯并咪唑锌盐合成工艺的影响... 详细信息

以邻苯二胺、二硫化碳为原料,在4-二甲氨基吡啶(DMAP)催化下合成了2-巯基苯并咪唑,然后加入氧化锌得到2-巯基苯并咪唑锌盐。考察了不同催化剂及其质量分数、反应介质、反应原料的摩尔比、成盐条件等对2-巯基苯并咪唑锌盐合成工艺的影响。结果表明,反应的最优工艺条件是:以水为反应介质,加入理论产量的1.0‰DMAP催化剂,反应原料n(邻苯二胺)∶n(二硫化碳)∶n(氧化锌)=1∶1.5∶0.52,成盐反应温度为125~130℃。相对于传统工艺,该工艺反应时间短、操作简单、三废少,适合工业化规模生产。

关键词：邻苯二胺 2-巯基苯并咪唑 2-巯基苯并咪唑锌盐 DMAP

维普期刊数据库

论“群众的共产主义”中人的解放思想及其意义

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

哲学研究 2024年第3期 26-35页

作者：任帅军上海大学马克思主义学院

马克思、恩格斯在《神圣家族》中使用“群众的共产主义”驳斥“批判的社会主义”对社会主义的形而上学建构。其中,人的解放作为“群众的共产主义”的核心原则,不仅体现为无产阶级的一种历史主张,而且是马克思、恩格斯把握社会历史发展... 详细信息

马克思、恩格斯在《神圣家族》中使用“群众的共产主义”驳斥“批判的社会主义”对社会主义的形而上学建构。其中,人的解放作为“群众的共产主义”的核心原则,不仅体现为无产阶级的一种历史主张,而且是马克思、恩格斯把握社会历史发展规律的一次呈现。蒲鲁东小资产阶级的社会主义、“真正的社会主义”等社会主义思潮无法提出人的解放的现实道路、实现条件和阶级力量。“群众的共产主义”通过无产阶级解放人的实践揭示社会主义运动的历史意义。虽然它是马克思、恩格斯在形成全新世界观的思想流变中,对当时形形色色社会主义的一种回应,具有思想的过渡性特征,但是对发展科学社会主义思想起到了不容忽视的独特作用。“群众的共产主义”建构出解放人的非抽象的、现实的逻辑,表明社会主义是由建立在工业发展基础上的无产阶级运动形成的社会现实,直抵其他社会主义主张无法企及的历史深处。

关键词：群众的共产主义人的解放科学社会主义

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

结合局部密度样本合成和类间插值的协同训练

武汉大学学报(理学版) 2024年

作者：吕佳王雨李帅军重庆师范大学计算机与信息科学学院重庆市数字农业服务工程技术研究中心

协同训练算法突破了单视角学习的局限，利用多视角特征学习两个分类器，相互补充、增益学习，以获得更好的分类性能。然而，有标记样本不足以及无标记样本无法有效利用的问题制约着协同训练算法性能的进一步提升。为了解决上述问题，提... 详细信息

协同训练算法突破了单视角学习的局限，利用多视角特征学习两个分类器，相互补充、增益学习，以获得更好的分类性能。然而，有标记样本不足以及无标记样本无法有效利用的问题制约着协同训练算法性能的进一步提升。为了解决上述问题，提出一种结合局部密度样本合成和类间插值的协同训练算法。该算法先利用局部密度样本合成方法扩充有标记样本集完善数据的空间结构，得到性能较好的两个初始分类器；再利用K-means聚类算法对两个分类器预测类别不一致的无标记样本聚类，从中随机选取不同类别的样本插值生成新样本，将新样本分别加入到两个分类器中，将决策边界推离类边界，以获得大边距决策边界，重复该过程直至得到最终分类器。在12个UCI数据集上的实验结果验证了本文算法的有效性。

关键词：协同训练局部密度样本合成插值决策边界

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

一种庚醛基DHP促进剂的合成工艺

河南化工 2022年第3期39卷 32-35页

作者：杨瑞朝王茜愉常帅军从志召侯万喜张旭旭付顺国河南易交联新材料科技有限公司河南鹤壁458000

对庚醛基DHP促进剂的合成进行了探索和改进。采用单因素实验,考察了原料配比、催化剂种类、苯胺滴加温度及时间、反应温度、保温时间等的影响。结果表明,最优工艺条件是:以庚醛、苯胺为原料,其物质的量比为4.5∶1,氯化锌为催化剂,苯胺... 详细信息

对庚醛基DHP促进剂的合成进行了探索和改进。采用单因素实验,考察了原料配比、催化剂种类、苯胺滴加温度及时间、反应温度、保温时间等的影响。结果表明,最优工艺条件是:以庚醛、苯胺为原料,其物质的量比为4.5∶1,氯化锌为催化剂,苯胺最佳滴加时间6 h,最佳反应及保温温度为30~35℃,最佳保温时间为4 h,庚醛回收温度控制在120~125℃。即可得到气味小、外观好、纯度高的产品庚醛基DHP。

关键词：庚醛基DHP 促进剂苯胺庚醛

维普期刊数据库