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厦门市青少年网球培训市场开发的研究

厦门市青少年网球培训市场开发的研究

作者：师源集美大学

学位级别：硕士

厦门市作为一个闽南地区的相对中心城市,在网球项目的推广程度上并没有比较领先,也没有针对于青少年的专业程度较高的网球培训机构,在“阳光体育”工程的全国普及建设以及国家政府对于新兴体育项目大力推广的情况下,青少年人群对于体育... 详细信息

厦门市作为一个闽南地区的相对中心城市,在网球项目的推广程度上并没有比较领先,也没有针对于青少年的专业程度较高的网球培训机构,在“阳光体育”工程的全国普及建设以及国家政府对于新兴体育项目大力推广的情况下,青少年人群对于体育培训市场的需求会越来越大,也对于专业化的培训机构有越来越多的需求。就厦门市青少年网球培训市场而言,已经不能满足日益增长的青少年参训需求,所以,为扩大青少年网球培训市场规模、进一步提高网球培训市场的专业化程度、促进网球培训市场的全面发展,从理论层面切入,对厦门市青少年网球培训市场进行调查分析,为其发展提供理论依据以及可供参考的建议。通过采用文献资料法、问卷调查法、实地调查法、访谈法、数理统计法、逻辑分析法等研究方法,以厦门市青少年网球培训市场为研究对象,以针对于厦门市青少年网球培训市场中参与培训的青少年人群中随机抽取的300名岁青少年学员、160名青少年学员家长、50名教练员以及9所网球培训机构作为调查对象。对厦门市当下的青少年网球培训市场的基本实际情况进行了多方面的调查研究,包括了厦门市现有资源状况(场地数量及分布、培训机构数量及性质、培训方式、形式、内容等)、教练员和青少年学员及家长的相关信息等,并在此基础上剖析制约青少年网球培训市场发展的主要问题,而后通过结合对青少年网球培训市场的SWOT分析,提出针对于厦门市青少年网球培训市场开发方面的相应策略。结果表明:厦门市青少年网球培训市场的发展处于初级阶段,具有较大发展空间及良好前景;现有基础设施资源的欠缺以及不合理分布制约了网球培训市场的发展;厦门市青少年网球培训市场的培训方式混杂;专业网球培训机构匮乏;认知的偏差和单一的运营模式及宣传手段、运营模式和模糊的经营理念,制约了培训市场的进一步发展;专业的高素质经营管理人员稀缺;厦门市青少年网球培训市场中教练员队伍综合素质参差不齐。根据当前厦门市青少年网球培训市场的实际情况以及主要问题,结合针对于厦门市青少年网球培训市场的SWOT分析,提出了发展促成“政企联合”的建设合作,进一步完善基础设施条件;明确市场秩序,加强监管力度;拉动企业融资,建设具有品牌效应的青少年网球培训机构,通过多元化的方式方法宣传培训信息;推动“校园网球”工程的建设脚步,进一步普及网球运动,并针对性的组建专业青少年运动员队伍;加强教练员队伍的建设,制定统一考核标准,定期组织培训;通过网球赛事的承办助力青少年网球培训市场发展等理论建议以及开发策略,旨在促进厦门市青少年网球培训市场的进一步开发以及稳定有序发展。

关键词：厦门市青少年网球培训市场开发

SiC SBD的工艺研究及利用Silvaco模拟特性

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SiC SBD的工艺研究及利用Silvaco模拟特性

作者：张师师辽宁大学

学位级别：硕士

SiC半导体材料是继第一代半导体材料Si和第二代化合物半导体材料之后发展起来的第三代宽带隙(WBS)半导体材料,宽禁带半导体是指禁带宽度大于2.6eV的半导体材料。SiC材料由于具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速... 详细信息

SiC半导体材料是继第一代半导体材料Si和第二代化合物半导体材料之后发展起来的第三代宽带隙(WBS)半导体材料,宽禁带半导体是指禁带宽度大于2.6eV的半导体材料。SiC材料由于具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。肖特基势垒二极管作为金属半导体整流结,可以忽略少子存贮效应,使其具有良好的频率特性,较低的开态电阻,低功耗,而且没有扩散电容,所以较快的开关速度,这些优点决定了它在高频、大功率整流器中的应用。常规的Si SBD的反向击穿电压一般都小于100V,且不适合在150℃以上工作,而SiC SBD弥补了Si SBD的不足,它是高压快速与低功率损耗、耐高温等优点相结合的理想器件。理论表明,制作低开启电压,击穿电压超过5kV,并目能在600℃以上的高温下正常工作。目前国际上相继研制成功了水平较高多种类型的SiC器件,但大部分仍处于实验室研究阶段。国内在SiC器件的研制上起步较晚,与国外的差距很大。SiC材料在高温,大功率和高频半导体器件领域应用的关键工艺之一是制备高稳定性和低电阻的欧姆接触。欧姆接触质量的好坏、接触电阻的大小直接影响器件的效率、增益和开关速度等性能指标。本文从SiC SBD的现实研究意义出发,论述了SiC半导体材料的性质及其工艺,结合金属半导体的接触理论,提出了基于Ni基SiC SBD的相关工艺改进的研究:首先利用Ni硅化物优化了欧姆接触,通过理论上的研究我们得出Ti/Ni-n型SiC的比接触电阻更低;其次基于结终端的研究,引入了p+环并且提高了反向击穿电压,P+环从效果上来说,相当于PN结型二极管与肖特基二极管并联,在反偏情况下,P+环结构增大了边缘耗尽层的曲率半径,从而使边缘电场显著减弱,使SBD的反向特性明显地获得改善,还可以引用二级或三级保护环来提高反向击穿电压;再次,引入超结来平衡了反向击穿电压和正向导通特性之间的矛盾,SJ最大的特点就是降低了导通电阻,同时也改善了器件的阻断特性,为V和R的矛盾关系找到了有效的解决方法,超结的相关理论将会在第四章做详细的介绍。最后,利用Silvaco-TCAD对4H-SiC SBD进行了模拟仿真的研究,仿真结果包括以下两个方面:工艺结构,正向特性,根据预先要得到正向导通电压值来设定相关的工艺条件,编写了仿真程序代码得到了预设范围内的正向导通电压,在仿真过程中引入了p+环有效的提高了反向击穿特性。论文以上述的设计理念为引导,结合了在中国电子科技集团第四十七研究所的工艺生产线Si基肖特基流片经验,从整流理论和肖特基势垒理论出发,同时利用Silvaco软件开展了大功率4H-SiC SBD器件结构模拟和正向特性仿真的研究,以降低器件的比导通电阻和提高反向击穿电压为主要研究目标,通过P+环和超结的引用对SiC SBD的工艺改进从理论上进行分析,采用结构参数优化,引用结终端技术及新的器件结构理论等方法,在保持确定击穿电压条件下,尽量减小比导通电阻,实现了输出功率最大化。

关键词： SiC SBD Silvaco TCAD 改善工艺理论正向特性工艺模拟

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谈一代宗师黄宾虹山水画艺术之路

兰台世界 2014年第10期 95-96页

作者：师立华西安建筑科技大学艺术学院

在近代众多的山水画家中,黄宾虹以其在山水画方面卓越的成就,成为近代画坛的一代宗师。本文主要通过研究黄宾虹的艺术人生以及艺术风格,分析他的艺术思想和作品,从而梳理出他的艺术创作和艺术思想对于后来画家的影响。

关键词：黄宾虹山水画艺术成就思想

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上海高考试题对全国各地高考试题的引领作用

物理教师 2014年第2期35卷 80-81页

作者：师朝兵河北武邑中学

各地命题的高考题之间具有一定的联系,它们在考查的重难点上比较一致,在考查方式上也会有惊人的一致之处,上海高考试题是全国各地高考试题中的领头羊,笔者经常能从各地高考试题中找到其考题的影子,所以很有必要加强对上海高考试题的研究... 详细信息

各地命题的高考题之间具有一定的联系,它们在考查的重难点上比较一致,在考查方式上也会有惊人的一致之处,上海高考试题是全国各地高考试题中的领头羊,笔者经常能从各地高考试题中找到其考题的影子,所以很有必要加强对上海高考试题的研究,下面举几个简单的例子让大家感受一下这些试题的独特魅力和引领作用.

关键词：高考试题上海考查方式独特魅力高考题

基于数字频率锁定技术实时探测实际大气中甲烷浓度

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中国激光 2011年第10期38卷 163-168页

作者：王贵师蔡廷栋汪磊谈图张为俊高晓明中国科学院安徽光学精密机械研究所环境光谱学研究室安徽合肥230031

利用可调谐半导体激光吸收光谱(TDLAS)技术对气体进行长时间实时监测时,激光器波长的漂移会给测量精度造成较大的影响。为了消除这种影响,利用Lab-VIEW设计的数字比例积分微分(PID)算法和软件数字锁相,将激光频率锁定在待测气体的吸收... 详细信息

利用可调谐半导体激光吸收光谱(TDLAS)技术对气体进行长时间实时监测时,激光器波长的漂移会给测量精度造成较大的影响。为了消除这种影响,利用Lab-VIEW设计的数字比例积分微分(PID)算法和软件数字锁相,将激光频率锁定在待测气体的吸收峰上。采用1.653μm的分布式反馈(DFB)半导体激光器作为光源,结合100 m离散型Herriot吸收池,选择空气中的甲烷作为研究对象,对系统性能进行了测试和分析。结果表明,该系统可以将激光器稳定在±0.001 cm-1范围内,对激光器的漂移起到了很好的抑制作用。系统使用二次谐波测量时1 s积分时间内检测限约为1.8×10-8体积分数,可以满足环境空气中甲烷的长时间监测。该方法可以直接应用于其他痕量气体探测、燃烧诊断等领域。

关键词：激光技术可调谐半导体激光吸收光谱波长调制软件数字锁相数字比例积分微分 Lab-VIEW 实时测量

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银屑病及合并疾病的相关影响因素分析

银屑病及合并疾病的相关影响因素分析

作者：师茸宁夏医科大学

学位级别：硕士

目的了解银屑病及合并疾病的现患率和影响因素的关联强度，从而指导临床医生对银屑病及其合并疾病的诊断，并对其更好的治疗，提高银屑病患者的生活质量。方法通过对宁夏医科大学总医院皮肤科2009年2月—2013年2月间确诊为银屑病的541... 详细信息

目的了解银屑病及合并疾病的现患率和影响因素的关联强度，从而指导临床医生对银屑病及其合并疾病的诊断，并对其更好的治疗，提高银屑病患者的生活质量。方法通过对宁夏医科大学总医院皮肤科2009年2月—2013年2月间确诊为银屑病的541例住院患者的临床分析。收集患者性别、年龄、病程、发病部位、临床分型、家族史、合并疾病等相关因素，并对其情况进行比较，运用统计学分析合并症的发生率、关联强度及相关性。结果（1）541例银屑病患者中，男性338例，女性203例，男女之比为1.66:1，平均发病年龄为（41.50±15.74）岁，平均病程（29.05±10.37）年。其中男性平均发病年龄（42.74±14.88）岁，女性平均发病年龄（39.44±16.91）岁。男性发病高峰期40～49岁，女性发病高峰期18～29岁。（2）银屑病最常见的类型为寻常型银屑病，占81.5%，关节型银屑病占2.8%，脓疱型银屑病占10.7%，红皮病型银屑病占5.0%。（3）患者初发病部位以头皮、上肢多见。（4）患者中有明确家族史者82例，占总病例数15.16%，其平均年龄为（31.57±9.84）岁，明显早于无家族史患者平均年龄（43.60±12.75）岁。（5）银屑病患者中合并高脂血症54.3%，代谢综合征39.2%，消化系统疾病25.3%，感染24.2%，高尿酸血症13.7%，高血压病12.9%，其他皮肤病10.2%，糖尿病8.7%，自身免疫性疾病7.0%，冠心病5.9%，泌尿系统疾病5.2%，各种肿瘤3.7%,脑卒中1.7%。（6）银屑病患者合并糖尿病组与无合并糖尿病组在男女性别、银屑病分型无显著性差异，在年龄、病程有统计学意义;合并高脂血症组与不合并高脂血症组在病程、银屑病分型无显著性差异，在男女性别、年龄有统计学意义;合并高血压病组与不合并高血压病组在男女性别、病程、银屑病分型无显著性差异，在年龄有统计学意义;合并代谢综合征组与不合并代谢综合征组在银屑病分型无显著性差异，在男女性别、年龄、病程有统计学意义;合并高尿酸血症组与不合并高尿酸血症组在病程、银屑病分型无显著性差异，在男女性别、年龄有统计学意义。（7）多因素Logistic回归分析：年龄、高脂血症、代谢综合征是银屑病患者合并糖尿病的影响因素;男女性别、代谢综合征、糖尿病是银屑病患者合并高脂血症的影响因素;年龄、高脂血症、代谢综合征是银屑病患者合并高血压病的影响因素;年龄、高脂血症、糖尿病、高血压病、高尿酸血症是银屑病患者合并代谢综合征的影响因素;男女性别、代谢综合征是银屑病患者合并高尿酸血症的影响因素。结论（1）银屑病好发于青壮年男性;常见的类型为寻常型银屑病;初发病部位以头皮、上肢多见;银屑病患者有家族史者平均年龄早于无家族史者。（2）银屑病患者更易合并高脂血症、代谢综合征、消化系统疾病、感染、高血压病、其他皮肤病、糖尿病、自身免疫性疾病等。（3）在排除混杂因素间的交互作用后，使用多元回归分析银屑病的发生的相关影响因素，提示银屑病可能不仅仅是一种皮肤病，更趋向为一种系统性疾病。

关键词：银屑病合并疾病相关影响因素多因素Logistic回归分析

有机共轭小分子AMOEBA极化力场的参数化及其应用

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有机共轭小分子AMOEBA极化力场的参数化及其应用

作者：师亲陕西师范大学

学位级别：硕士

有机共轭分子体系及其衍生物在有机半导体材料中占有重要的地位,引起了人们的广泛关注。衡量有机半导体材料性能的重要指标之一是电荷转移速率,电荷转移速率越大,导电性能越好,所以影响电荷转移速率大小的因素成为本论文关注的重点。在... 详细信息

有机共轭分子体系及其衍生物在有机半导体材料中占有重要的地位,引起了人们的广泛关注。衡量有机半导体材料性能的重要指标之一是电荷转移速率,电荷转移速率越大,导电性能越好,所以影响电荷转移速率大小的因素成为本论文关注的重点。在本论文中,我们选择含氮杂环同源二聚体和并苯类晶体作为我们的研究对象,利用AMOEBA可极化力场,首先在可极化力场标准范德华色散参数和默认原子极化率的前提下,通过拟合不同密度泛函下的原子多极参数得到静电势,进而得到含氮杂环分子间相互作用能;然后对并苯类分子间参数的极化率利用QTAIM方法进行重新拟合,同样基于可极化力场标准范德华色散参数来评估并苯类的外重组能。具体内容如下:第一章:简要介绍了有机半导体电荷传输材料的分类,从而引出了有机共轭分子体系由于其自身的特性,在有机半导体电荷传输材料中扮演着重要的角色;同时介绍了电荷转移过程的几个主要步骤,简单概括了电荷转移积分、重组能、分子堆积和温度等几种影响电荷转移速率的相关因素。第二章:介绍了量子化学、密度泛函理论和AMOEBA可极化力场的发展及其基本原理,并简要概述了第一性原理和力场计算方法的优缺点。由于高计算成本,通过第一性原理来处理大体系的一些性质是不切实际的;传统的力场通常采用固定的原子点电荷(APC)来描述静电相互作用,这些APC可以通过在某些特定的分子表面拟合QM计算的静电势(ESP)得到。但是,由于点电荷的各向同性的性质,对于刚性π共轭平面分子的计算具有很大的挑战性。此外,由于使用了固定的静电模型,这些力场缺乏对环境电荷的响应能力,所以,原子多极(AMP)的采用使得AMOEBA可极化力场能够很好的描述静电势,同时力场中默认的Thole原子极化率也能够很好的响应电子极化。基于以上原因,AMOEBA可极化力场成为我们的首选方法。第三章:基于有机共轭分子体系,我们首先选择含氮杂环同源二聚体作为我们的研究对象,利用AMOEBA可极化力场基于不同密度泛函方法,通过GDMA得到的含氮杂环同源二聚体的原子多极参数,在使用AMOEBA可极化力场标准范德华色散参数和默认原子极化率的前提下,将获得的分子间相互作用能与CCSD(T)/CBS标准值进行比较,我们发现所有的密度泛函的分子间相互作用能值与标准值的均方根误差均小于～1.0kcal/mol。在所有选用的密度泛函中,泛函M11和LC-VV10是两种可选的用于产生原子多极的泛函,基于这两种方法拟合得到的静电势能更接近MP2方法的静电势能甚至更好。紧接着,我们分析了四个不同构象的含氮杂环二聚体静电势能,研究发现,在四个所选的体系中,静电势能在总的分子间相互作用能中占主要成分,极化能和范德华相互作用能的比重会随着二聚体的构象不同而变化。第四章:我们选用并苯类分子晶体作为我们的第二个研究对象,利用AMOEBA可极化力场,对并苯类分子间参数的原子极化率利用QTAIM方法进行重新拟合,使得C和H原子的极化率不只是固定为一个定值,而是会随着他们所处的环境变化而变化的。范德华参数依然采用AMOEBA力场默认值,静电势参数是基于B3LYP/6-31G*水平拟合得到的原子多极。首先通过力场先得到并苯类晶体总的重组能,再利用四点法模型得到并苯类晶体的内重组能,两者相减得到并苯类晶体外重组能。并利用第一性方法对AMOEBA可极化力场得到的并苯类内重组能和外重组能进行了评估,验证了 AMOEBA可极化力场的合理性;在研究中,我们发现共轭长度一定时,并苯类外重组能随电荷转移距离的增加而不断增加;电荷转移距离一定时,随着共轭长度的不断增大,外重组并未表现出明显的变化趋势,但内重组能表现出不断减小的趋势。

关键词： AMOEBA可极化力场静电势原子多极势分子间相互作用能原子极化率外重组能