检索结果-南通市图书馆

理工科专业本科毕业论文质量低下的原因与对策

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

教育现代化 2018年第48期5卷 212-213+239页

作者：左则文安徽师范大学

理工科专业毕业论文质量普遍低下已是不争的事实,这是由诸多主客观原因造成的,包括学生能力的缺失、指导教师管理的松懈、写作时间的局限、考核标准的宽松等。在对以上因素进行客观分析的基础上,针对性地提出了改善毕业论文质量下滑现状... 详细信息

理工科专业毕业论文质量普遍低下已是不争的事实,这是由诸多主客观原因造成的,包括学生能力的缺失、指导教师管理的松懈、写作时间的局限、考核标准的宽松等。在对以上因素进行客观分析的基础上,针对性地提出了改善毕业论文质量下滑现状的"全程式"毕业论文指导方案,并对这一方案的实施细节进行了初步探讨。

关键词：本科毕业论文论文质量全程式

微晶硅薄膜的等离子增强化学气相沉积生长特征

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

南京大学学报（自然科学版） 2008年第4期44卷 392-400页

作者：左则文闾锦管文田濮林施毅郑有炓南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室南京210093

本文采用27.12 MHz等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术制备了氢化微晶硅薄膜材料,通过Raman散射谱、X射线衍射、扫描电子显微镜、原子力显微镜和傅立叶变换红外谱等表征方法研究了生长条件参数对薄膜结构及生长速率的影响,对薄膜的生长... 详细信息

本文采用27.12 MHz等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术制备了氢化微晶硅薄膜材料,通过Raman散射谱、X射线衍射、扫描电子显微镜、原子力显微镜和傅立叶变换红外谱等表征方法研究了生长条件参数对薄膜结构及生长速率的影响,对薄膜的生长机制进行了讨论,特别分析了孵化层形成和演化、以及对晶化率、柱状晶粒生长的作用特征.实验测量分析表明,在薄膜生长的初期阶段,形成一个嵌入大量小晶粒的非晶孵化层,并随着薄膜厚度的增加其非晶成份减少,晶化率不断提高,晶粒开始长大并结聚成团,形成大的晶粒,沿生长方向上形成横向尺寸为百纳米级的柱状晶粒.红外透射谱的结果证实2 100 cm-1附近吸收来源于位于晶界区或微孔内表面团簇化的SiH键的吸收.同时,适当的等离子能量在薄膜生长过程中有利于抑制氧的影响.目前的研究加深了对薄膜PECVD生长过程和生长机制的理解,有利于加强对太阳电池用的硅薄膜形态和质量的控制.

关键词：等离子体化学气相沉积微结构晶化率孵化层

Growth and microstructure properties of microcrystalline silicon films deposited using jet-ICPCVD

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Journal of Semiconductors 2011年第3期32卷 1-5页

作者：左则文管文田辛煜闾锦王军转濮林施毅郑有炓 School of Electronic Science and Engineering and Key Laboratory of Photonic and Electronic MaterialsNanjing University School of Physical Science and Technology

Microcrystalline silicon films were deposited at a high rate and low temperature using jet-type inductively coupled plasma chemical vapor deposition（jet-ICPCVD）.An investigation into the deposition rate and microstructure properties of the deposited films showed that a high deposition rate of over 20 nm/s can be achieved while maintaining reasonable material *** deposition rate can be controlled by regulating the generation rate and transport of film growth *** film with high crystallinity deposited at low temperature could principally result from hydrogen-induced chemical annealing.

关键词： microcrystalline silicon jet-ICPCVD high rate convective transfer crystallinity

Segregations and desorptions of Ge atoms in nanocomposite Si_(1-x)Ge_x films during high-temperature annealing

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Chinese Physics B 2017年第12期26卷 439-443页

作者：汪煜杨濛王刚魏晓旭王军转李昀左则文郑有炓施毅 Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials and School of Electronic Science and Engineering Nanjing University College of Physics and Electronics Information Anhui Normal University

Nanocomposite Si1-xGex films are deposited by dual-source jet-type inductively coupled plasma chemical vapor deposition （jet-ICPCVD）. The segregations and desorptions of Ge atoms, which dominate the structural evolutions of the films during high-temperature annealing, are investigated. When the annealing temperature （Ta） is 900℃, the nanocomposite Si1-xGex films are well crystallized, and nanocrystals （NCs） with the core-shell structure form in the films. After being annealed at 1000℃ （above the melting point of bulk Ge）, Ge atoms accumulate on the surfaces of Ge-rich films, whereas pits appear on films with lower Ge content, resulting from desorption. Meanwhile, voids are observed in the films. A cone-like structure involving the percolation of the homogeneous clusters and the crystallization of NCs enhances Ge segregation.

关键词： Si1-xGex annealing segregation desorption

掺铒Si/Al2O3多层结构中结晶形态对1.54μm发光的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2009年第6期58卷 4243-4248页

作者：王军转石卓琼娄昊楠章新栾左则文濮林马恩张荣郑有炓陆昉施毅南京大学物理系江苏省光电功能材料重点实验室南京210093 复旦大学物理系上海200433 中国科学院福建物质结构研究所福州350002

利用脉冲激光沉积的方法制备掺铒Si/Al2O3多层结构薄膜,获得了由纳米结构的Si作为感光剂增强的Er3+在1.54μm高效发光.利用拉曼散射、高分辨透射电镜和光致发光测量研究了在不同退火温度下(600—1000℃)纳米结构Si层的结晶形态变化,及对... 详细信息

利用脉冲激光沉积的方法制备掺铒Si/Al2O3多层结构薄膜,获得了由纳米结构的Si作为感光剂增强的Er3+在1.54μm高效发光.利用拉曼散射、高分辨透射电镜和光致发光测量研究了在不同退火温度下(600—1000℃)纳米结构Si层的结晶形态变化,及对Er3+在1.54μm的发光的影响特征.研究发现最佳发光是在退火温度600—700℃.在这个条件下纳米Si的尺寸和密度,Si和Er的作用距离以及Er3+发光的化学环境得到了优化.进一步,光致发光瞬态衰减谱研究表明,当纳米Si尺寸小时,衰减遵循单指数模式(慢过程),当纳米Si尺寸大时,衰减遵循双指数模式(快过程和慢过程),其中衰减中快过程来自类体Si的对激发态Er3+去激发过程,慢过程对应典型的纳米Si体系衰减过程.

关键词：铒纳米硅能量转移氧化铝

氢化纳米硅（nc-Si：H）薄膜的淀积与发光特性

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

氢化纳米硅（nc-Si：H）薄膜的淀积与发光特性

248 nm imaging photolithography assisted by surface plasmon polariton interference

第十六届全国半导体物理学术会议

作者：左则文闾锦濮林施毅韩平张荣郑有炓江苏省光电信息功能材料重点实验室南京大学物理系

＜正＞氢化纳米硅(nc（Si:H）薄膜是一种重要的混合相准有序材料,由微小的晶粒和非晶界面区构成。它的独特的电学和光学性能以及在硅基纳电子器件与光电器件方面潜在的应用价值引起了人们的广泛关注。

关键词：氢化纳米硅微结构光致发光谱

来源： cnki会议评论

在线全文

cnki会议

学校读者我要写书评

暂无评论

Optoelectronics Letters 2014年第1期10卷 24-26页

作者：田曼曼米佳佳石建平魏楠楠詹伶俐黄万霞左则文王长涛罗先刚 College of Physics and Electronic Information Anhui Normal University State Key Laboratory of Optical Technologies for Microfabrication Institute of Optics and ElectronicsChinese Academy of Sciences

A new photolithography technique for 248 nm based on the interference of surface plasmon waves is proposed and demonstrated by using computer *** basic structure consists of surface plasmon polariton(SPP)interference mask and multi-layer film *** the amplification effect of superlens on evanescent wave,the near field SPP interference pattern is imaged to the far field,and then is exposed on photo resist(PR).The simulation results based on finite difference time domain(FDTD)method show that the full width at half maximum(FWHM)of the interference pattern is about 19 nm when the p-polarization light from 248 nm source is vertically incident to the ***,the focal depth is 150 nm for negative PR and 60 nm for positive PR,which is much greater than that in usual SPP photolithography.

关键词：表面等离激元纳米光刻时域有限差分(FDTD)法干涉成像表面等离子体激元计算机模拟 SPP

GISAXS and ATR-FTIR Studies on Stress-Induced Microstructure Evolution of a-Si:H under H2 Plasma Exposure

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Chinese Physics Letters 2012年第10期29卷 167-170页

作者： ZUO Ze-Wen CUI Guang-Lei WANG Yu WANG Jun-Zhuan PU Lin SHI Yi College of Physics and Electronics Information Anhui Normal UniversityWuhu 241000 School of Electronic Science and Engineering and Key Laboratory of Photonic and Electronic MaterialsNanjing UniversityNanjing 210093

Microstructure evolution in the surface layer of hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H)film exposed to H2 plasma is investigated using grazing-incidence small-angle x-ray scattering and attenuated total reflection-Fourier transform infrared *** hydrogen generated in the microvoids through H-abstraction reaction drives the evolution of the void shape from spherical to ellipsoidal as well as increases the average void volume and total void volume ***-pressure H_(2) in the microvoid promotes the formation of a strained structure with high compressive stress within the a-Si:H film,which favours the generation of the SiHn complex in the subsurface layer of the a-Si:H film by H insertion into strained Si–Si bonds.

关键词： spectroscopy Microstructure strained

上颌中切牙种植盾构术中不同根盾片厚度的有限元分析

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

中国组织工程研究 2025年第10期29卷 2052-2060页

作者：陈光能罗思阳王梅叶彬陈佳文刘印左瑀雯贺酰钰沈加进马敏先贵州医科大学口腔医学院贵州省贵阳市550000 贵阳市口腔医院贵州省贵阳市550000 遵义医科大学贵州省遵义市563000

背景:口腔种植盾构术有效维持了唇侧软硬组织,但术后根盾片暴露、移位等并发症发生率较高,推测种植牙长期行使功能后根盾片可能受到了过大负载而导致其暴露及移位。目的:通过三维有限元法,探讨正常咬合下不同根盾片厚度对根盾片、牙周... 详细信息

背景:口腔种植盾构术有效维持了唇侧软硬组织,但术后根盾片暴露、移位等并发症发生率较高,推测种植牙长期行使功能后根盾片可能受到了过大负载而导致其暴露及移位。目的:通过三维有限元法,探讨正常咬合下不同根盾片厚度对根盾片、牙周膜、种植体及周围牙槽骨应力分布、应力峰值、位移等的影响,分析不同根盾片厚度与根盾片暴露、移位及折裂发生的力学相关性。方法:在数据库中选取1例符合上颌中切牙种植盾构术适应证患者的锥形束CT资料,通过逆向建模技术构建上颌骨和根盾片模型,根据种植体相关部件参数,通过正向建模技术构建种植体相关部件模型。将各模型导入Solidworks 2022软件,根盾片厚度分别设为0.5,1.0,1.5,2.0 mm。使用ANSYS Workbench 2021软件模拟分析正常咬合情况下各模型中根盾片、牙周膜、种植体及周围牙槽骨的应力分布、应力峰值、位移情况。结果与结论:(1)各组模型中根盾片的应力集中于腭侧颈部、两侧边缘与唇侧下缘,随着根盾片厚度的增加,模型中根盾片的等效应力峰值及位移呈下降趋势,厚度0.5 mm组模型中根盾片的等效应力峰值达到176.20 MPa,超过了牙体组织屈服强度150 MPa;(2)各组模型中牙周膜应力集中于颈部边缘及上部区域,随着根盾片厚度的增加,模型中牙周膜的等效应力峰值及位移呈下降趋势;(3)各组模型中种植体应力集中于种植体颈部与种植体-修复基台连接处,唇侧均较腭侧集中,随着根盾片厚度的增加,模型中种植体的等效应力峰值呈上升趋势;(4)各组模型中皮质骨应力主要集中于种植体颈部周围和根盾片下缘周围,唇侧较腭侧集中,随着根盾片厚度增加,模型中根盾片周围骨的等效应力峰值呈降低趋势,种植体颈部周围骨的等效应力峰值呈上升趋势;模型中松质骨的应力主要集中于种植体唇侧颈部周围、螺纹顶端、根尖部和根盾片下缘周围,唇侧较腭侧集中,随着根盾片厚度增加,模型中根盾片周围骨的等效应力峰值呈降低趋势;各组模型中皮质骨的最小主应力集中于种植体颈部周围,呈扇形分布,随着根盾片厚度的增加,皮质骨的最小主应力呈上升趋势;(5)结果显示不同根盾片厚度对盾构术系统产生了不同的生物力学影响,0.5 mm厚的根盾片易出现根盾片折裂,对于骨宽度充足的患者,2.0 mm厚根盾片是一个能降低根盾片暴露、折裂、移位并发症风险的选择,同时预备过程中应注意保护牙周膜,对根盾片两侧及下缘作圆顿处理。

关键词：口腔种植盾构术根盾片厚度生物力学并发症三维有限元