检索结果-南通市图书馆

HL-1M装置第一壁锂-硅复合涂层及其效果

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

核聚变与等离子体物理 2002年第2期22卷 100-104页

作者：王明旭张年满邓冬生严东海崔成和梁雁刘永核工业西南物理研究院成都610041

在HL 1M装置上新开发出一种第一壁原位锂硅复合涂覆技术。装置涂覆后 ,真空室内的真空度上升 ,杂质气体的分压强下降 ,低于单一的硅化或锂涂覆。在相同放电参数下 ,具有锂硅涂层的放电与原位硅化放电相比 :等离子体中的碳、氧杂质... 详细信息

在HL 1M装置上新开发出一种第一壁原位锂硅复合涂覆技术。装置涂覆后 ,真空室内的真空度上升 ,杂质气体的分压强下降 ,低于单一的硅化或锂涂覆。在相同放电参数下 ,具有锂硅涂层的放电与原位硅化放电相比 :等离子体中的碳、氧杂质浓度下降了 30 % ,尤其是随着等离子体密度上升碳杂质下降得更显著 ;等离子体能量辐射损失降低了 2 5 % ;等离子体边缘温度和密度有所降低 ,这表明等离子体内部约束得到改善。有原位锂硅复合涂覆的放电结果略好于或同于单一原位锂涂覆放电的结果 ,但这种复合涂层能维持 10 0余次托卡马克放电 ,较单一原位锂涂层维持的放电次数高一个数量级 ,这证明了锂硅复合涂覆技术的优异性能。

关键词： HL-1M装置复合涂层第一壁原位锂-硅涂层等离子体性能

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

温度预报在集中供热采暖中的应用

气象 1990年第2期16卷 51-54页

作者：霍秀英王锋崔成和河北唐山市气象局

根据国家暖通规范有关采暖的规定i日平均气温稳定低于5℃达到90天者,可以设置集中采暖。我国城市供热采暖工程都是利用热媒(热水或蒸汽)将热能从热源(大多是锅炉)输送到建筑物中各热用户。所以,为合理消耗能源,搞好城市供热采暖,要依大... 详细信息

根据国家暖通规范有关采暖的规定i日平均气温稳定低于5℃达到90天者,可以设置集中采暖。我国城市供热采暖工程都是利用热媒(热水或蒸汽)将热能从热源(大多是锅炉)输送到建筑物中各热用户。所以,为合理消耗能源,搞好城市供热采暖,要依大气温度变化规律来管理供暖工程的运行,以提高锅炉热效率。 .

关键词：温度预报集中供热采暖城市

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

HL-2A等离子体密度反馈控制系统研制

核聚变与等离子体物理 2012年第2期32卷 158-164页

作者：高霄雁田培红崔成和蔡潇核工业西南物理研究院成都610041

介绍了HL-2A等离子体密度反馈控制系统的设计和实现。从密度反馈控制系统的设计原理、硬件设计和软件设计几方面,论述了等离子体密度反馈系统在HL-2A装置上的实现。实验证明,该系统实现了维持稳定可靠的密度波形的要求。

关键词：等离子体密度 PID调节器 H模

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

HL-1M装置真空室硅化的研究

核聚变与等离子体物理 2001年第4期21卷 245-252页

作者：严东海王恩耀崔成和梁雁许正华张炜刘建宏黄永康核工业西南物理研究院成都610041

GDC(He +SiH4 )是为HL 1M装置研制的一种常规壁处理技术。在He辉光等离子体条件下 ,通过气相中的电子碰撞离解、电离、离子分子反应和在壁面上的He+ 诱导脱H2 过程 ,在清洁的真空壁表面沉积一层无定形、半透明、致密的氢化硅 (α Si... 详细信息

GDC(He +SiH4 )是为HL 1M装置研制的一种常规壁处理技术。在He辉光等离子体条件下 ,通过气相中的电子碰撞离解、电离、离子分子反应和在壁面上的He+ 诱导脱H2 过程 ,在清洁的真空壁表面沉积一层无定形、半透明、致密的氢化硅 (α Si∶H)薄膜。氢化硅具有良好的H(D)捕获、H2 (D2 )释放 ,能显著地降低再循环系数 ,有效地控制杂质水平 ,大大拓宽了HL 1M装置的运行范围 ,为HL 1M装置的LHCD、ICRH、ECRH、NBI、PI和MBI实验提供了良好的真空壁条件。

关键词：硅化再循环真空壁条件 HL-1M装置电子碰撞离解真空室

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

HL-2A装置直流辉光自动调节控制系统

真空科学与技术学报 2019年第11期39卷 1027-1032页

作者：高霄雁崔成和胡毅核工业西南物理研究院

直流辉光放电清洗的主要作用是去除HL-2A装置内的低Z杂质C、O,以及放电期间所产生的残余气体和杂质。介绍了直流辉光放电自动调节控制系统。在辉光放电过程中,实现了真空室工作气体气压和放电电压的自动调节和信号采集。本文描述了系统... 详细信息

直流辉光放电清洗的主要作用是去除HL-2A装置内的低Z杂质C、O,以及放电期间所产生的残余气体和杂质。介绍了直流辉光放电自动调节控制系统。在辉光放电过程中,实现了真空室工作气体气压和放电电压的自动调节和信号采集。本文描述了系统的设计原理,控制方案和系统实现后的具体应用效果。直流辉光放电系统的性能得到了提高,放电电流稳定性得到了显著提高,放电电压的控制精度改善为1%FS,系统从启动到稳定运行状态的时间小于40 s,HL-2A装置的清洗效率也明显获得改善。

关键词： HL-2A 器壁条件直流辉光自动控制

射频辅助的直流辉光放电清洗在HL-2A装置上的应用

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

真空科学与技术学报 2014年第6期34卷 645-649页

作者：蔡潇曹曾黄向玫崔成和侯吉来高霄雁核工业西南物理研究院成都610225

本文介绍了一套射频电极系统在HL-2A装置上的相关辉光放电清洗实验研究。本系统主要由具有水冷功能的螺旋结构射频电极和碟形波纹管伸缩传送装置组成。在高频交变电场作用下电子与气体分子发生碰撞的几率增加,射频电极对清除真空室器壁... 详细信息

本文介绍了一套射频电极系统在HL-2A装置上的相关辉光放电清洗实验研究。本系统主要由具有水冷功能的螺旋结构射频电极和碟形波纹管伸缩传送装置组成。在高频交变电场作用下电子与气体分子发生碰撞的几率增加,射频电极对清除真空室器壁表面的低质量数杂质效率更高。电极通过循环水冷却,使其长时间使用不会产生明显变形,提高了该系统运行的安全性。系统工作时,通过步进电机无极调速来驱动丝杠带动与射频电极相连接传送杆压缩碟形波纹管前后运动快速调整电极位置。实验结果表明,射频天线形式的电极可作为直流辉光的阳极工作,射频辅助启辉降低了直流辉光的启辉气压和电压,提高了装置与抽气机组运行的安全性。射频辅助比纯直流辉光具有更高的清洗效率,为进一步开展与射频相关的壁处理研究提供了条件。

关键词：直流辉光射频启辉清洗效率

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

HL-2A托卡马克送气成像研究

物理学报 2007年第3期56卷 1452-1460页

作者：郑银甲黄渊冯震施乐崔成和王明旭徐红兵核工业西南物理研究院成都610041

送气成像(gas puffimaging,GPI)是一种重要的研究边缘辐射诊断手段.分析了送气(gas puffing,GP)的原子分子过程,指出气体辐射的主要成分是Hα线,出现在边缘区域,并给出其强度和位置的表达式.介绍HL-2A托卡马克上GPI成像系统的改进和实... 详细信息

送气成像(gas puffimaging,GPI)是一种重要的研究边缘辐射诊断手段.分析了送气(gas puffing,GP)的原子分子过程,指出气体辐射的主要成分是Hα线,出现在边缘区域,并给出其强度和位置的表达式.介绍HL-2A托卡马克上GPI成像系统的改进和实验布置.从成像的角度获得了GP实验中氢气在等离子体空间的辐射图形,观察结果证实上述分析.在放电开始阶段,氢原子可以穿越待建立的完全等离子体区并形成长条形的辐射亮区.一般的GP加料中,CCD图片与控制信号,以及其他诊断结果相符合.在等离子体边缘区域强场侧(HFS)和弱场侧(LFS)都观察到很强的Hα线辐射.

关键词：送气 CCD成像 Hα线边缘辐射

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

HL-1M托卡马克中的硼化

核聚变与等离子体物理 1998年第2期18卷 41-45页

作者：张年满王恩耀王明旭洪文玉王志文崔成和梁艳核工业西南物理研究院

用碳硼烷加氦直流辉光放电，在ＨＬ－１Ｍ托卡马克内壁上原位涂覆了含碳硼膜，平均厚度５０—７０ｎｍ，硼碳比约为１６。硼化后器壁条件有了本质的改善，对器壁上氧源的抑制特别显著，也增强了石墨表面抗氢离子和氢原子化学蚀刻的能力... 详细信息

用碳硼烷加氦直流辉光放电，在ＨＬ－１Ｍ托卡马克内壁上原位涂覆了含碳硼膜，平均厚度５０—７０ｎｍ，硼碳比约为１６。硼化后器壁条件有了本质的改善，对器壁上氧源的抑制特别显著，也增强了石墨表面抗氢离子和氢原子化学蚀刻的能力。硼化显著改善了等离子体性能和提高了等离子体参数。扰动显著减小，放电稳定性和重复性提高。硼化为低混杂波电流驱动实验创造了良好的壁条件。

关键词：硼化器壁条件托卡马克装置

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

HL-2A装置实时在线硅化壁处理系统

真空科学与技术学报 2022年第9期42卷 690-697页

作者：黄向玫高霄燕胡毅马会聪崔成和周军核工业西南物理研究院成都610025

为了实时控制等离子体杂质以获得良好的等离子体品质,在HL-2A装置上搭建了实时在线硅化壁处理系统,以开展实时在线硅化实验研究。系统采用压电晶体阀控制送气流量,并由HL-2A中控系统时序作为阀门控制的触发信号。在偏滤器位形和孔栏位... 详细信息

为了实时控制等离子体杂质以获得良好的等离子体品质,在HL-2A装置上搭建了实时在线硅化壁处理系统,以开展实时在线硅化实验研究。系统采用压电晶体阀控制送气流量,并由HL-2A中控系统时序作为阀门控制的触发信号。在偏滤器位形和孔栏位形放电条件下开展了初步的实时在线硅化实验,研究不同硅化气体注入参数对不同位形等离子体放电参数的影响。实验结果表明,硅化气体注入后等离子体线平均密度整体增加;而Dα、SiV辐射强度以及等离子体总热辐射功率只在注入期间增加,随后基本恢复到本底水平。高幅值短脉冲注入对等离子体参数的扰动比低幅值长脉冲明显,因此在线硅化实验宜采用低幅值长脉冲的形式开展。由环向Dα诊断系统对硅化气体在环向的镀膜范围进行了大致评估,结果表明单个注入口的镀膜范围有限,需要适当增加送气口来实现均匀镀膜。

关键词：实时在线硅化 HL-2A等离子体放电送气脉冲光谱诊断

同方期刊数据库