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基于方证相应理论的眩晕（良性阵发性位置性眩晕）体质辨识的研究

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基于方证相应理论的眩晕（良性阵发性位置性眩晕）体质辨识的研究

作者：崔占东长春中医药大学

学位级别：硕士

目的:对良性阵发性位置性眩晕(BPPV)患者进行体质辨识,初步总结BPPV患者体质类别及其分布特点,为临床选方用药提供导向。方法:采用横断面研究方法,设计BPPV患者体质辨识信息表并对符合纳入标准的163例良性阵发性位置性眩晕(BPPV)患者的... 详细信息

目的:对良性阵发性位置性眩晕(BPPV)患者进行体质辨识,初步总结BPPV患者体质类别及其分布特点,为临床选方用药提供导向。方法:采用横断面研究方法,设计BPPV患者体质辨识信息表并对符合纳入标准的163例良性阵发性位置性眩晕(BPPV)患者的体质信息(包括外观特征、好发症状)进行详细记录。采集完毕后,运用Excel表建立数据库,使用频数统计、构成比统计,归纳出眩晕(BPPV)患者的发病特点、主要用方及体质类型大致分布,再经系统聚类分析、因子分析得出BPPV患者相关体质类型分布及各类型中所包含的外观特征、好发症状等信息。结果:对163例良性阵发性位置性眩晕(BPPV)患者的一般资料分析得出,女性患者发病高于男性,男女之比1:1.72。发病年龄阶段主要集中在40-60岁之间。既往疾病史中主要是脑血管系统疾病(12例,18.75%)、精神神经系统疾病(11例,17.19%)、内分泌与代谢系统疾病(9例,14.06%)。主方的频次以大柴胡汤、半夏厚朴汤和黄芪桂枝五物汤三张方使用率最高。聚类分析得出BPPV患者以半夏体质、柴胡体质、黄芪体质、半夏与黄芪兼夹体质和大黄体质五种体质类型。因子分析提取9个公因子,依据专家意见将其适当合并,分为半夏体质、柴胡体质、黄芪体质和大黄体质。结论:BPPV患者以半夏体质、大黄体质、柴胡体质、黄芪体质以及半夏兼夹黄芪体质分布最高,累计共占82.22%。其中半夏与半夏兼夹黄芪体质占33.13%,这提示眩晕(BPPV)患者处方以“半夏类方”为主。

关键词：方证相应良性阵发性位置性眩晕体质辨识横断面研究系统聚类与因子分析

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硅双极器件及电路电离总剂量辐照损伤研究

强激光与粒子束 2016年第4期28卷 58-63页

作者：王鹏崔占东邹学锋杨筱莉中国电子科技集团公司第四十七研究所沈阳110032 西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室西安710071 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

针对硅双极器件及其构成的双极集成电路有着如低剂量率辐照损伤增强效应等不同于其他类型电路的特殊的辐照响应问题,分析了空间辐射电离总剂量环境及铝屏蔽作用,双极晶体管及电路总剂量辐照损伤机理,低剂量率辐照损伤增强效应、规律和... 详细信息

针对硅双极器件及其构成的双极集成电路有着如低剂量率辐照损伤增强效应等不同于其他类型电路的特殊的辐照响应问题,分析了空间辐射电离总剂量环境及铝屏蔽作用,双极晶体管及电路总剂量辐照损伤机理,低剂量率辐照损伤增强效应、规律和电参数变化。通过选取几种典型的双极晶体管和电路进行地面辐照模拟试验和测试,证明了双极器件及电路的关键参数受辐照影响较大,特别是对低剂量率辐照损伤增强效应敏感,低剂量率辐照损伤增强因子基本都大于1.5,不同双极器件和电路的低剂量率辐照损伤增强效应有着明显的不同,与器件类型、加工工艺(如氧化层厚度)等密切相关。

关键词：双极器件总剂量辐照低剂量率低剂量率辐照损伤增强效应增强因子

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表面栅BSIT的栅源低击穿问题研究

半导体技术 2003年第10期28卷 78-81页

作者：崔占东杨银堂中国电子科技集团公司第13研究所河北石家庄050051 西安电子科技大学陕西西安710071

通过对DX0231型BSIT栅源低击穿问题的分析,讨论了设计、材料、环境、设备等因素对表面栅BSIT栅源击穿的影响,指出了提高栅源击穿的努力方向。

关键词：表面栅 BSIT 栅源低击穿双极模式静电感应晶体管功率开关电路

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芯片级电磁兼容性的设计方法及其应用

半导体技术 2004年第9期29卷 52-56页

作者：殷和国杨银堂崔占东西安电子科技大学微电子研究所西安710071 河北半导体研究所石家庄050051

介绍了电磁兼容性的基本概念、原理及其在集成电路设计中的重要性,着重论述了芯片级电磁兼容性的设计方法,最后给出了芯片级电磁兼容性研究中存在的问题及未来的研究重点。

关键词：电磁兼容性集成电路设计解决法规范法系统法

2H-SiC体材料电子输运特性的EMC研究

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西北大学学报（自然科学版） 2004年第5期34卷 541-544,548页

作者：王平杨银堂崔占东杨燕付俊兴西安电子科技大学微电子研究所陕西西安710071 河北半导体研究所河北石家庄050051

目的　对2H SiC体材料的电子输运特性进行研究。方法　在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型和多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo,EMC)方法。结果　计算表明:低场下,温度一定时,2H SiC纵向电子迁移率比4H SiC和6H SiC都... 详细信息

目的　对2H SiC体材料的电子输运特性进行研究。方法　在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型和多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo,EMC)方法。结果　计算表明:低场下,温度一定时,2H SiC纵向电子迁移率比4H SiC和6H SiC都高,横向迁移率则较为接近。296K时,由EMC方法得到的纵向电子饱和漂移速度为2.2×107cm/s,横向电子饱和漂移速度为2.0×107cm/s。当电场条件相同时,2H SiC同4H SiC以及6H SiC中的纵向电子平均能量相差较大。在阶跃电场强度为1000kV/cm时,其横向瞬态速度峰值可达到3.2×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级。结论　可以被用来设计SiC器件和电路。

关键词： 2H-SiC 多粒子蒙特卡罗研究迁移率漂移速度平均能量

掺氮4H-SiC电子输运特性的多粒子蒙特卡罗研究

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电子学报 2005年第8期33卷 1512-1515页

作者：王平杨燕杨银堂屈汉章崔占东付俊兴西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071 西安邮电学院信控系陕西西安710061 中国电子科技集团公司第13研究所河北石家庄050051

在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型对掺氮4H-SiC电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo)研究.研究表明,低场下,掺杂浓度较低时,氮杂质不完全电离导致的中性杂质散射对4H-SiC横向电子迁移率影响较小.随... 详细信息

在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型对掺氮4H-SiC电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo)研究.研究表明,低场下,掺杂浓度较低时,氮杂质不完全电离导致的中性杂质散射对4H-SiC横向电子迁移率影响较小.随着掺杂浓度的增加,中性杂质散射作用增强.掺杂浓度较高时,随着温度的增加,中性杂质散射的影响逐步减弱.4H-SiC电子迁移率较高且各向异性较小,温度为296K时得到的横向电子饱和漂移速度为2.18×107cm/s;阶跃电场强度为1000KV/cm时,横向瞬态速度峰值接近3.3×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级.模拟结果同已有的测试结果较为一致.

关键词： 4H-SiC 蒙特卡罗研究中性杂质散射饱和漂移速度

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UG二次开发计算机辅助公差设计

科技资讯 2007年第8期5卷 85-86页

作者：崔占东席平北京航空航天大学机械学院703教研室机械工程及自动化学院北京100083

本文探讨了公差设计和计算机辅助公差设计中的一些基本概念,研究公差模块在CAD系统之一的UG平台下进行二次开发实现集成的方法尝试,最后通过一个具体的装配实例进行计算机辅助公差设计。

关键词：公差设计 UG 二次开发

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重用细辛辨治窦性心动过缓

中国中医药现代远程教育 2024年第20期22卷 92-95页

作者：崔占东黑龙江省富锦市中医医院中医科黑龙江富锦156100

此文通过对细辛剂量相关文献的简要梳理,参考古今医家临床使用细辛经验并结合现代药理学研究与个人实践体会,总结出:细辛在“复方、汤剂煎煮时”可重用,而在“单用、为末时”应在3 g以下。窦性心动过缓属于中医学“心悸”范畴,其病机总... 详细信息

此文通过对细辛剂量相关文献的简要梳理,参考古今医家临床使用细辛经验并结合现代药理学研究与个人实践体会,总结出:细辛在“复方、汤剂煎煮时”可重用,而在“单用、为末时”应在3 g以下。窦性心动过缓属于中医学“心悸”范畴,其病机总属心肾阳虚。应用细辛类方治疗窦性心动过缓时,在汤剂中宜重用,煎煮时间不少于30 min,对于提升患者心率,效果确切。

关键词：心悸窦性心动过缓心肾阳虚证细辛剂量

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皮肤癌的发病因素调查分析

皮肤病与性病 1990年第1期12卷 31-34页

作者：孙玉红孙庆贵董国贤崔占东中国医科大学皮肤科师资班中国医大一院辽宁省肿瘤研究所

皮肤癌在皮肤病中也是常见的恶性肿瘤,随着其发病率的上升,已日益引起人们的注意和重视。但国内尚缺少有关皮肤癌流行病学资料报道。为探讨本病发病因素,为防治本病提供科学数据,我们对沈阳地区的皮癌作了病例对照研究。

关键词：皮肤癌病因分析皮肤肿瘤