检索结果-南通市图书馆

一种改善红光顶发射OLED色纯度及角度依赖特性的方法研究

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光子学报 2013年第1期42卷 1-6页

作者：郭闰达王鹏陈宇岳守振赵毅刘式墉吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区长春130012

在Si/SiO2衬底上生长金属银作为阳极,4,4,4-tris(3-methylphenylpheny-lamino)-triphenylamine(m-MTDATA):MoOx/m-MTDATA/N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N-diphenyl-1,1-biphenyl-4,4-diamine(NPB)作为空穴注入及传输层,发光层采用4,4-N,N-dicarbazole-biphenyl(CBP)掺杂磷光染料(1-(phenyl)isoquinoline)iridium(III)acetylanetonate(Ir(piq)2(acac))的结构,4,7-di-phenyl-1,10-phenanthroline(BPhen)作为空穴阻挡层及电子传输层,阴极为LiF(1nm)/Al(2nm)/Ag(20nm)复合阴极结构.通过在光取出的复合阴极上方生长一层CBP光学覆盖层,有效地改善了复合阴极膜系的透射率,从而改善了顶发射结构的光学耦合输出特性,在提高器件的正向发光效率的同时还使色坐标往深红光区移动.并且生长光学覆盖层结构的器件角度依赖特性明显得到改善,这对于制作高显示质量的显示器件具有重要意义.在原有结构的基础上增加20nm的NPB掺杂磷光染料Ir(piq)2(acac)作发光层,从而得到双发光层结构为NPB:Ir(piq)2(acac)(1%,20nm)/CBP:Ir(piq)2(acac)(1%,20nm).由于NPB具有较高的空穴迁移率,避免了由于光学厚度的增加而引起器件工作电压的大幅升高,而双发光层的结构有利于增大激子复合区域,提高辐射复合几率,减少非辐射损耗,实现主客体之间高效的三线态能量传递,相对单发光层顶发射结构,双发光层结构不仅提高了器件的发光效率,而且改善了器件的色坐标.

关键词：红光顶发射有机电致发光器件 CBP覆盖层双发光层色纯度角度依赖特性

利用p型掺杂技术制备的高效有机电致发光器件

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光子学报 2013年第2期42卷 139-143页

作者：陈宇王鹏郭闰达岳守振赵毅刘式墉集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林大学电子科学与工程学院长春130012

利用氧化钼(MoOx)作为p型掺杂剂,以掺杂层4,4′-bis(carbazol-9-yl)biphenyl(CBP):MoOx作为空穴注入层,制备了一种结构为ITO/MoOx/CBP∶MoOx/CBP/CBP:tris(2-phenylpyridine)iridium(III)(Ir(ppy)3)/4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(Bphen)/LiF/Al的有机电致发光器件.器件中CBP同时作为空穴注入层、空穴传输层以及发光层母体材料,这种结构具有结构简单同时能有效降低空穴注入势垒等优点.研究发现,随着空穴注入层厚度的增加,器件的电流密度增加,表明p型掺杂层的引入能够有效增强空穴的注入;通过优化器件空穴注入层与空穴传输层厚度,器件性能有所提高,最大电流效率为29.8cd/A,可以认为合理的优化空穴注入层和空穴传输层的厚度,使载流子在发光层中的分布更加平衡是提高器件发光效率的主要原因.值得指出的是,从电流效率最大值到亮度为20 000cd/m2时,优化后器件的效率衰减仅为17.7%,而常规器件的效率衰减则为62.1%,优化后器件效率衰减现象得到了明显的改善.分析认为优化后的器件中未掺杂的CBP有助于展宽激子形成区宽度,进而减弱了三线态-三线态湮灭、三线态-极化子淬灭现象,激子形成区的展宽是改善效率衰减的主要原因.

关键词：有机电致发光器件 p型掺杂效率衰减

Increased performance of an organic light-emitting diode by employing a zinc phthalocyanine based composite hole transport layer

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Chinese Physics B 2013年第12期22卷 431-434页

作者：郭闰达岳守振王鹏陈宇赵毅刘式墉 Department of State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics College of Electronics Science and EngineeringJilin University Department of State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics College of Electronics Science and Engineering Jilin University

We demonstrate that the electroluminescent performances of organic light-emitting diodes are significantly improved by employing a zinc phthalocyanine （ZnPc）-based composite hole transport layer （c-HTL）. The optimum ris-（8-hydroxyquinoline）aluminum （Alq3）-based organic light-emitting diode with a c-HTL exhibits a lower turn-on voltage of 2.8 V, a higher maximum current efficiency of 3.40 cd/A and a higher maximum power efficiency of 1.91 lm/W, which are superior to those of the conventional device （turn-on voltage of 3.8 V, maximum current efficiency of 2.60 cd/A, and maximum power efficiency of 1.21 lm/W）. We systematically studied the effects of different kinds of N’-diphenyl-N,N’-bis（1-naphthyl）（1,1’-biphenyl）-4,4’diamine （NPB）：ZnPc c-HTL. Meanwhile, we also investigate their mechanisms different from that in the case of using ZnPc as buffer layer. The specific analysis is based on the absorption spectra of the hole transporting material and current density–voltage characteristics of the corresponding hole-only devices.

关键词： organic light emitting diodes composite hole transport layer zinc phthalocyanine

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量子通信网络组网方案及路由关键技术浅谈

信息技术与信息化 2020年第6期 170-171页

作者：岳守振吉林互联网应急中心吉林长春130000

近年来,量子通信技术基于量子不可克隆特性,具备理论上的绝对安全特性。现阶段,量子通信已经从点对点的量子密钥分发网络发展为多节点量子通信网络,并且随着各国对此领域的不断投入和发展,商业化的量子通信网络实现也越来越近。本文概... 详细信息

近年来,量子通信技术基于量子不可克隆特性,具备理论上的绝对安全特性。现阶段,量子通信已经从点对点的量子密钥分发网络发展为多节点量子通信网络,并且随着各国对此领域的不断投入和发展,商业化的量子通信网络实现也越来越近。本文概述了现阶段量子通信网络组网方案,并对量子通信组网的关键技术进行了介绍。

关键词：量子通信组网方案路由

一种基于蓝色荧光与磷光敏化技术的高显色指数白光有机电致发光器件的制备

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发光学报 2012年第1期33卷 97-101页

作者：张世明陈宇王学会张振松岳守振赵毅刘式墉吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室吉林长春130012

通过采用4,4'-bis(9-ethyl-3-carbazovinylene)-1,1'-biphenyl(BCzVBi)为蓝色荧光发光单元,绿色磷光材料fac tris(2-phenylpyridine)iridium[Ir(ppy)3]敏化红色荧光材料4-(dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidin-4-yl-vinyl)-4H-pyran(DCJTB)为混合黄色发光单元,制备了一组白光有机电致发光器件。通过对染料掺杂浓度的优化,以及引入适当厚度的4,4-N,N-dicarbazole-biphenyl(CBP)作为中间层,获得了高效率、高显色指数的白光有机电致发光器件。器件在100 cd/m2亮度下的最高显色指数达到了90,此时的色坐标为(0.32,0.32),非常接近白光等能点。该组器件的最大电流效率达到了11.00 cd/A,相应器件的最大亮度为13 330 cd/m2。

关键词：有机白光电致发光器件显色指数蓝色荧光磷光敏化

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微腔有机电致发光器件光学特性的模拟研究

微腔有机电致发光器件光学特性的模拟研究

利用混合有机空穴传输材料提升有机薄膜晶体管场效应迁移率

全国第15次光纤通信暨第16届集成光学学术会议

作者：岳守振王鹏赵毅集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林大学电子科学与工程学院

我们在MATLAB环境下,利用菲涅尔系数矩阵法以及微腔增益理论,对顶发射有机电致发光器件的光学输出特性进行了模拟研究。我们首先用上述模型对结构为Si/SiO/Ag/MoO/m-MTDATA/NPB/Alq/LiF/Al/Ag的顶发射有机电致发光器件进行了光学模拟。... 详细信息

我们在MATLAB环境下,利用菲涅尔系数矩阵法以及微腔增益理论,对顶发射有机电致发光器件的光学输出特性进行了模拟研究。我们首先用上述模型对结构为Si/SiO/Ag/MoO/m-MTDATA/NPB/Alq/LiF/Al/Ag的顶发射有机电致发光器件进行了光学模拟。模拟结果显示:当银顶电极厚度在20 nm附近时,发光器件在峰值波长处(528 nm)具有最大的微腔光谱增益。上述值与实验值基本相符。接下来,为了进一步增大器件的光谱增益,并且验证模型的可靠性,我们再次对下面一组有机电致发光器件(Si/SiO/Ag/MoO/m-MTDATA/NPB/Alq3/LiF/Al/Ag(20 nm)/MoO(x rim))进行了模拟。结果表明:当MoO增透膜厚度为24 nm时,器件在峰值波长处的光谱增益最大。通过实验验证得到:当MoO实际生长厚度为26 nm时,所制备的器件光谱增益最大。这与我们的模拟值基本相符,充分验证了模型的准确性。这种基于传输矩阵与微腔增益理论的MATLAB模型对于研究微腔有机电致发光器件的光学输出特性提供了一定的指导。

关键词：微腔增益光学模拟有机电致发光器件

来源： cnki会议评论

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cnki会议

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发光学报 2014年第3期35卷 349-353页

作者：刘东洋刘子洋王学会张世明岳守振赵毅刘式墉吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室吉林长春130012

通过采用在并五苯薄膜与源漏电极之间插入10 nm并五苯掺杂的N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺薄膜的方法研究了基于并五苯有源层的底栅错面型有机薄膜晶体管的电学特性。研究发现:N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-... 详细信息

通过采用在并五苯薄膜与源漏电极之间插入10 nm并五苯掺杂的N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺薄膜的方法研究了基于并五苯有源层的底栅错面型有机薄膜晶体管的电学特性。研究发现:N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺的引入可以有效改善有源层和源漏电极接触界面的表面形貌,利于形成欧姆接触,从而改善器件性能,最终使优化器件的迁移率由(0.1±0.01)cm2/(V·s)提升至(0.31±0.02)cm2/(V·s),阈值电压由(-34.6±1.3)V降至(-30.1±1.2)V。

关键词：有机薄膜晶体管表面形貌迁移率 TPD

基于连续性掺杂的高效全荧光白色有机电致发光器件的研究

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物理学报 2013年第19期62卷 420-426页

作者：吴清洋谢国华张振松岳守振王鹏陈宇郭闰达赵毅刘式墉吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室长春130012 圣安德鲁斯大学物理学和天文学学院有机半导体中心法夫KY16 9SS

利用荧光材料PT-01,PT-86,PT-05作为黄色荧光客体,蓝色荧光客体以及荧光母体制备了一种基于连续性掺杂结构的全荧光白光有机电致发光器件.其发光层为主体/客体薄层/主体/客体薄层···交替蒸镀的重复单元.通过优化发光层中主体的厚度... 详细信息

利用荧光材料PT-01,PT-86,PT-05作为黄色荧光客体,蓝色荧光客体以及荧光母体制备了一种基于连续性掺杂结构的全荧光白光有机电致发光器件.其发光层为主体/客体薄层/主体/客体薄层···交替蒸镀的重复单元.通过优化发光层中主体的厚度并检测发光层中单线态激子的分布,将黄、蓝两种客体染料生长在发光层中适当的位置,得到了高效且光谱稳定的全荧光白光器件.其最大电流效率为11.2 cd/A,亮度在159—20590 cd/m2范围内色坐标仅有(±0.004,±0.005)的改变.基于这种连续性掺杂结构制备的器件,其性能不但可以达到传统主-客体共掺结构所制备的器件的性能,而且具有较高的可重复性,更适合产业化大批量生产.

关键词：白色有机电致发光器件连续性掺杂能量转移可重复性

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5G+工业互联网网络安全威胁及应对浅析

网络安全技术与应用 2022年第10期 100-102页

作者：岳守振张琦吕金华李仲龙国家计算机网络与信息安全管理中心吉林分中心吉林130000

近年来,5G由于高可靠低延时、低功耗、支持海量连接的特性,对工业互联网的发展意义重大。5G与工业互联网的融合,必将带来更为深刻的产业变革。但是,5G也同时打破了传统工业互联网的封闭性,将更多的工业设备暴露于公网中。相比于传统互联... 详细信息

近年来,5G由于高可靠低延时、低功耗、支持海量连接的特性,对工业互联网的发展意义重大。5G与工业互联网的融合,必将带来更为深刻的产业变革。但是,5G也同时打破了传统工业互联网的封闭性,将更多的工业设备暴露于公网中。相比于传统互联网,5G+工业互联网场景下的网络攻击,更加多样化和复杂化,应对传统互联网的网络安全技术手段远不能满足高危复杂多变的工业生产应用需求。本文较为系统的总结了5G+工业互联网网络安全威胁来源,并进一步给出了应对策略。

关键词： 5G+工业互联网网络安全威胁