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低压恒跨导增益提高CMOS运算放大器的设计

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半导体技术 2013年第9期38卷 651-655页

作者：周欢欢陈岚尹明会吕志强中国科学研究院微电子研究所北京100029

设计和研究了一种低压恒跨导增益提高互补金属氧化物半导体(CMOS)运算放大器。输入级采用互补差分对结构,使共模输入电压范围达到轨到轨,通过3倍电流镜控制尾电流使输入级总跨导恒定。中间级为增益提高级,通过反馈增大输出阻抗提高增益... 详细信息

设计和研究了一种低压恒跨导增益提高互补金属氧化物半导体(CMOS)运算放大器。输入级采用互补差分对结构,使共模输入电压范围达到轨到轨,通过3倍电流镜控制尾电流使输入级总跨导恒定。中间级为增益提高级,通过反馈增大输出阻抗提高增益。输出级采用AB类结构,通过米勒补偿控制零点使系统稳定,此运放可用于低压低功耗电子设备中。整个电路用CSMC 0.5μm BCDMOS工艺参数进行设计,工作电压为2.7 V。Spectre仿真结果显示,此运放实现了直流开环增益90 dB(负载电阻R L=600Ω),相位裕度70°,增益带宽积1.4 MHz,静态电流0.18 mA。设计的运算放大器满足设计指标。

关键词：互补金属氧化物半导体(CMOS)运算放大器 AB类低压增益提高恒跨导

基于40nm CMOS工艺的电平转换器的设计及优化

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半导体技术 2015年第2期40卷 93-96,122页

作者：周欢欢陈岚尹明会张卫华中国科学研究院微电子研究所北京100029

电平转换器可以作为1.1 V核心电压和3.3 V输入输出电压之间的高速接口。优化的电压上升转换器使用2.5 V厚氧化层栅零阈值电压n MOS管保护1.1 V薄氧化层栅n MOS器件,在输入电压低至0.7 V时仍可正常工作;此外,在六种不同工作情况下电路性... 详细信息

电平转换器可以作为1.1 V核心电压和3.3 V输入输出电压之间的高速接口。优化的电压上升转换器使用2.5 V厚氧化层栅零阈值电压n MOS管保护1.1 V薄氧化层栅n MOS器件,在输入电压低至0.7 V时仍可正常工作;此外,在六种不同工作情况下电路性能良好。3.3 V n MOS器件作为优化电平下降转换器的上拉和下拉器件,它们的供电电压是1.1 V,栅压范围从0 V到3.3 V。电平下降转换器没有最小核心电压限制,上升传输延时0.111 ns,下降传输延时0.121 ns。电平转换器经过结构优化后,可以成功应用到40 nm CMOS工艺的I/O库的输入输出单元中,作为低功耗、高速接口。

关键词：电平转换器核心电压输入输出电压 40 nm CMOS工艺

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常压射频冷等离子体刻蚀硅的研究

Journal of Semiconductors 2007年第10期28卷 1615-1619页

作者：赵玲利段小晋尹明会徐向宇王守国中国科学院微电子研究所北京100010 中国科学院光电研究院北京100080

介绍一种新型的常压射频低温冷等离子放电设备,并用该设备进行硅刻蚀的工艺实验.研究了刻蚀硅的速率随等离子体放电功率、气体流量以及衬底温度的变化规律,并得到了最大刻蚀速率为390nm/min.利用台阶仪、显微镜和扫描电镜(SEM)对刻蚀效... 详细信息

介绍一种新型的常压射频低温冷等离子放电设备,并用该设备进行硅刻蚀的工艺实验.研究了刻蚀硅的速率随等离子体放电功率、气体流量以及衬底温度的变化规律,并得到了最大刻蚀速率为390nm/min.利用台阶仪、显微镜和扫描电镜(SEM)对刻蚀效果进行检测与分析,证实了该设备对硅的浅刻蚀具有较好的均匀性和较高的各向异性.结果表明,该设备在常压下刻蚀硅,操作简单且不易对材料表面产生损伤.

关键词：常压射频等离子体刻蚀硅

LOD效应和WPE效应在纳米工艺PDK中的应用

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微电子学与计算机 2019年第2期36卷 1-5页

作者：周欢欢陈岚尹明会王晨张卫华中国科学院微电子研究所北京100029 三维及纳米集成电路设计自动化技术北京市重点实验室北京100029

本文研究了自主开发的40nm工艺PDK中的LOD效应和WPE效应.LOD参数SA和WPE参数left影响CMOS器件特性,尤其饱和电流I_(dsat)和阈值电压VTH.随着SA减小,NMOS的I_(dsat)减小4.25%而VTH增大2.79%;PMOS的电参数与SA关系曲线与NMOS的一致,但比NMOS趋势要强,I_(dsat)减小8.32%而VTH增大6.78%;并解释了LOD效应的物理机制.随着left的减小,NMOS的I_(dsat)减小9.03%而VTH增大12.5%;PMOS的电参数与left关系曲线比NMOS的要弱,I_(dsat)减小8.50%而VTH增大4.61%,并提出了WPE效应下器件电参数变化原因.在纳米工艺PDK中,LOD效应和WPE效应的准确应用可以更好地模拟器件性能并改善电路设计精度.

关键词： PDK LOD WPE 纳米工艺

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一种高速自控预充电灵敏放大器的设计

微电子学 2009年第6期39卷 815-818页

作者：张效通万青陈岚尹明会陈巍巍湖南大学物理与微电子科学学院长沙410082 中国科学院微电子研究所EDA中心北京100029

提出了一种用于非挥发性存储器的新型电压灵敏放大器。该电路采用一种可以自动关断、电流可控的预充电路,可以有效消除由于存储容量变大带来的巨大位线寄生电容的影响,有效提高了灵敏放大器的读取速度。经验证,该结构具有较快的读取速度... 详细信息

提出了一种用于非挥发性存储器的新型电压灵敏放大器。该电路采用一种可以自动关断、电流可控的预充电路,可以有效消除由于存储容量变大带来的巨大位线寄生电容的影响,有效提高了灵敏放大器的读取速度。经验证,该结构具有较快的读取速度,在3.3 V工作电压下,电路读取时间为11 ns。

关键词：自动关断灵敏放大器非挥发性存储器

抗香蕉枯萎病菌菌株F2-14的鉴定及其抑菌机制初探

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中国南方果树 2024年第4期53卷 61-70页

作者：尹明会张天祥刘毅杰臧小平井涛赵维峰云天艳中国热带农业科学院热带生物技术研究所海口571101 云南农业大学昆明665099

香蕉枯萎病已严重威胁全球香蕉产业发展,生物防治是防控香蕉枯萎病的重要途径之一。本研究筛选香蕉土壤中的拮抗香蕉枯萎病菌(Fusarium oxysporum *** tropical race 4,Foc TR4)活性细菌,得到1株具有高拮抗活性的菌株F2-14。采用生理生... 详细信息

香蕉枯萎病已严重威胁全球香蕉产业发展,生物防治是防控香蕉枯萎病的重要途径之一。本研究筛选香蕉土壤中的拮抗香蕉枯萎病菌(Fusarium oxysporum *** tropical race 4,Foc TR4)活性细菌,得到1株具有高拮抗活性的菌株F2-14。采用生理生化特性、形态特征和基因组ANI值分析鉴定该菌株,并进行其生物信息学分析,利用antiSMASH预测其次级代谢产物合成基因簇,与CAZy等数据库进行比对分析;并进行其抑菌物质粗提及其抑菌机制研究。结果表明,菌株F2-14鉴定为贝莱斯芽孢杆菌Bacillus velezensis。其基因组中具有产生几丁质酶、葡聚糖酶、蛋白酶等的基因,还含有编码杆菌溶素、儿茶酚型嗜铁素、丰原素、表面活性肽等7种抗菌活性的基因簇。菌株F2-14具有广谱抗真菌活性,能够平板抑制辣椒炭疽病菌Colletotrichum acutatum等15种病原真菌菌丝生长,且能通过产生次级代谢物致使Foc TR4病菌的细胞壁破裂和细胞膜受损,从而抑制Foc TR4病菌生长。说明贝莱斯芽孢杆菌菌株F2-14在植物病害防控方面有着较好的应用潜力。

关键词：香蕉枯萎病贝莱斯芽孢杆菌Bacillus velezensis 生物防治抑菌机制基因簇次级代谢产物

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猪蛔虫病的诊断及治疗

兽医导刊 2020年第6期 156-156页

作者：尹明会天津市蓟州区西龙虎峪镇农业发展服务中心天津301900

在现代养猪业中,往往会发生多种疾病,其中寄生虫病病原是养猪业中常见的病原之一,在猪寄生虫病中猪蛔虫病是常见的寄生虫病之一,猪蛔虫病的感染率高,传染性强,常常引起猪只生长发育不良,消瘦,严重者造成猪生长发育停滞,有时会伴有干咳... 详细信息

在现代养猪业中,往往会发生多种疾病,其中寄生虫病病原是养猪业中常见的病原之一,在猪寄生虫病中猪蛔虫病是常见的寄生虫病之一,猪蛔虫病的感染率高,传染性强,常常引起猪只生长发育不良,消瘦,严重者造成猪生长发育停滞,有时会伴有干咳、呕吐及腹泻等症状,给养猪业带来严重的经济损失。本文就猪蛔虫病的临床症状、诊断方法、治疗措施及预防等方面内容进行阐述,希望对广大养殖户有所帮助。

关键词：猪蛔虫病诊断治疗

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弓形虫病的防治

兽医导刊 2020年第6期 131-131页

作者：尹明会天津市蓟州区西龙虎峪镇农业发展服务中心天津301900

在现代养殖业中,寄生虫病病原为常见的病原之一,其中弓形虫病是一种常见的寄生虫病,弓形虫病不仅可以传染给动物而且可以传染给人,给人类造成了一定的危害,所以从事畜牧兽医相关的工作人员一定要做好自身的防护。本文就弓形虫病的病原... 详细信息

在现代养殖业中,寄生虫病病原为常见的病原之一,其中弓形虫病是一种常见的寄生虫病,弓形虫病不仅可以传染给动物而且可以传染给人,给人类造成了一定的危害,所以从事畜牧兽医相关的工作人员一定要做好自身的防护。本文就弓形虫病的病原、流行特点、症状、实验室诊断及防治等方面的内容进行介绍。

关键词：弓形虫诊断防治

墨鱼干碱水-纯水组合复水工艺优化及复水前后质构特性

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食品工业科技 2025年第1期46卷 181-189页

作者：顾俊浩尹明雨王锡昌上海海洋大学食品学院上海201306

目的:探究墨鱼干复水最优工艺参数及其复水前后的质构变化。方法:通过先用碱水后用纯水的组合复水方式进行处理,以复水率和蛋白损失率为优化指标进行条件优化,随后对墨鱼干复水前后的质构特性以及蛋白质二级结构、组织形态等相关指标进... 详细信息

目的:探究墨鱼干复水最优工艺参数及其复水前后的质构变化。方法:通过先用碱水后用纯水的组合复水方式进行处理,以复水率和蛋白损失率为优化指标进行条件优化,随后对墨鱼干复水前后的质构特性以及蛋白质二级结构、组织形态等相关指标进行分析。结果:碱水处理墨鱼干的最佳条件为:碳酸钠浓度0.50%、时间2.0 h、温度50℃、料液比1:20 g/mL;在此基础上,进行纯水处理的最佳条件为:时间1.0 h、温度50℃、料液比为1:20 g/mL。两步处理后,墨鱼干的复水率为261.10%±7.10%,蛋白损失率为16.80%±0.74%。复水处理使墨鱼干的硬度、胶着性和咀嚼性显著降低,而弹性则显著上升(P<0.05),并使肌原纤维蛋白的结构折叠,且肌纤维的间隙增加。结论:本研究明确墨鱼干最优复水参数并改善其质构特性,为墨鱼干的高质化加工利用提供理论参考。

关键词：墨鱼干复水工艺复水率蛋白损失率质构特性

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