检索结果-南通市图书馆

大连理工大学学报 1997年第2期37卷 208-211页

作者：李有宏龙振湖宫泽祥任春生大连理工大学三束材料改性国家重点实验室

用辅以动态氮离子轰击的氩离子束溅射沉积方法，在３０４不锈钢基材上沉积聚四氟乙烯薄膜．经ＸＰＳ和ＩＲＳ分析，确定了聚四氟乙烯膜的存在并进行了结构分析．划痕试验表明：这种方法制成的聚四氟乙烯膜与基材之间有较好的结合力．

关键词：薄膜聚四氟乙烯离子束溅射沉积离子束轰击

离子束混合制备非晶Sm-Fe-Zr合金薄膜

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材料研究学报 1997年第1期11卷 107-109页

作者：徐送宁孙树滋宫泽祥马腾才东北大学物理系东北大学大连理工大学

采用离子束混合技术制备非晶Sm—Fe－Zr合金薄膜，在Sin的含量为x＝400，300，200m／g的Sm—Fe多层薄膜中，注入能量为60KeV，剂量为1×1017ion／cm2的Zr＋，研究非晶形成条件及合金薄膜的磁性能．实验发现：三种成分配比的样品在Zr＋... 详细信息

采用离子束混合技术制备非晶Sm—Fe－Zr合金薄膜，在Sin的含量为x＝400，300，200m／g的Sm—Fe多层薄膜中，注入能量为60KeV，剂量为1×1017ion／cm2的Zr＋，研究非晶形成条件及合金薄膜的磁性能．实验发现：三种成分配比的样品在Zr＋注入后磁性能皆发生明显的变化．X＝400mg／g样品没有形成非晶，其主相为SmFe5；x＝300，200mg／g样品形成非晶。

关键词：离子束磁性合金薄膜注入剂量

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铁离子注入单晶铜引发亚结构组态变化的研究

大连理工大学学报 1997年第2期37卷 192-198页

作者：黄岩黑祖昆李国卿宫泽祥大连海事大学大连理工大学三束材料改性国家重点实验室

用加速电压５０ｋＶ、剂量为４×１０１７／ｃｍ２的铁离子注入单晶铜中，利用透射电子显微镜弱束成像技术研究了被注入材料的横截面样品，发现离子辐照引发被注入材料亚结构变化的深度远大于离子本身注入的深度，铁离子注入单晶铜中位... 详细信息

用加速电压５０ｋＶ、剂量为４×１０１７／ｃｍ２的铁离子注入单晶铜中，利用透射电子显微镜弱束成像技术研究了被注入材料的横截面样品，发现离子辐照引发被注入材料亚结构变化的深度远大于离子本身注入的深度，铁离子注入单晶铜中位错密度随注入深度的变化有两个峰值出现．其亚结构为多种位错组成的复杂位错组态，这种亚结构会使被注入材料具有相当于加工硬化的效果．探讨了离子注入材料中由辐照引发的加工硬化现象，即所谓的“长程效应”

关键词：铜亚结构位错离子注入铁离子

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Al 离子注入 Al-SiO_2 的研究

大连理工大学学报 1997年第6期37卷 649-652页

作者：宫泽祥苏晓维张庆瑜大连理工大学三束材料改性国家重点联合实验室

在Ａｌ－ＳｉＯ２系统中进行Ａｌ离子注入以改善Ａｌ膜质量和提高其与ＳｉＯ２基底的结合力；注入能量为７０ｋｅＶ，注入剂量分别为５×１０１５／ｃｍ２和５×１０１６／ｃｍ２Ａｌ离子．结果表明注入后膜基结合力提高了１０倍以上，... 详细信息

在Ａｌ－ＳｉＯ２系统中进行Ａｌ离子注入以改善Ａｌ膜质量和提高其与ＳｉＯ２基底的结合力；注入能量为７０ｋｅＶ，注入剂量分别为５×１０１５／ｃｍ２和５×１０１６／ｃｍ２Ａｌ离子．结果表明注入后膜基结合力提高了１０倍以上，显微硬度也明显提高．然而，高剂量注入导致薄膜中拉应力的产生，降低了膜基结合力．Ａｌ离子注入还使薄膜晶粒细化，从而改善薄膜的韧性．

关键词：离子注入薄膜结合力铝二氧化硅

Mn^+注入GaAs中Ga-Mn二十面体准晶的形成

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大连理工大学学报 1997年第2期37卷 227-230页

作者：孙凯朱莎郭可信宫泽祥中国科学院北京电子显微镜实验室大连理工大学材料工程系大连理工大学三束材料改性国家重点实验室

利用选区电子衍射及明暗场电子衍射成像技术，在Ｍｎ＋注入ＧａＡｓ及随后退火的样品表层发现有二十面体准晶颗粒形成．能谱及电子能量损失谱分析表明，这些粒子不含Ａｓ，由Ｇａ和Ｍｎ元素组成，约含５０ａｔ％的Ｍｎ；其结构具有五次... 详细信息

利用选区电子衍射及明暗场电子衍射成像技术，在Ｍｎ＋注入ＧａＡｓ及随后退火的样品表层发现有二十面体准晶颗粒形成．能谱及电子能量损失谱分析表明，这些粒子不含Ａｓ，由Ｇａ和Ｍｎ元素组成，约含５０ａｔ％的Ｍｎ；其结构具有五次对称性和非周期分布的电子衍射斑点．这些具有２／ｍ３５对称性的ＧａＭｎ准晶粒子同具有闪锌矿结构的ＧａＡｓ基体之间具有确定的取向关系：ｉ－５∥〔１１０〕ＧａＡｓ；ｉ－３∥〔１１１〕ＧａＡｓ；ｉ－２∥〔１２１〕ＧａＡｓ．用磁力显微镜分析发现这些粒子中的许多粒子具有铁磁性．

关键词：准晶体离子注入砷化镓半导体锰离子

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全元素离子注入及应用

真空 1993年第6期30卷 15-18页

作者：李国卿宫泽祥刘邦智马腾才夏宁奥克斯大连理工大学三束材料改性国家重点实验室大连116023 俄罗斯科学院强流电子研究所

ＴＩＴＡＮ离子源是一种新的能够同时产生强金属和气体离子束流的离子源。利用它我们已经得到了Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｙ、Ｃ、Ｓｉ、Ｈｅ、Ｎ、Ａｒ等气体和金属元素离子束。利用阴极斑真空弧可... 详细信息

ＴＩＴＡＮ离子源是一种新的能够同时产生强金属和气体离子束流的离子源。利用它我们已经得到了Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｙ、Ｃ、Ｓｉ、Ｈｅ、Ｎ、Ａｒ等气体和金属元素离子束。利用阴极斑真空弧可以获得金属离子，利用气体集中弧放电获得气体离子，引出电压为１０～８０ｋＶ，气体和金属离子脉冲流强分别为０．２５Ａ和０．５０Ａ，工作频率为１０～５０Ｈｚ，束斑面积２００ｃｍ２。本文并对该离子源的离子注入应用做了介绍。

关键词：离子源金属-气体离子注入

离子注入法(IBS)合成新FeSi_2相的显微结构研究

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电子显微学报 1997年第2期16卷 136-140页

作者：金星李晓娜张泽董闯宫泽祥马腾才中国科学院北京电镜实验室三束材料改性国家重点联合实验室大连理工大学分部

本文主要以电子显微镜为手段研究了离子注入形成的ＦｅＳｉ２薄膜的微观结构，发现了一种新的ＦｅＳｉ２相，这种相的晶格参数与已知的β－ＦｅＳｉ２相相似，但是它的点群和空间群分别为ｍｍｍ和Ｐｂｃａ。

关键词：离子注入金属硅化物电子显微学

离子束合成TiSi_2薄膜及显微结构的研究

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电子显微学报 1996年第1期15卷 7-12页

作者：金星宫泽祥李晓娜马腾才杨大智 Mark Aindow 中国科学院北京电镜实验室北京100080 三束材料改性国家重点联合实验室大连理工大学分部大连116024 英国伯明翰大学材料科学与工程系

本文主要以电子显微镜为手段研究了离子注入形成的TiSi_2薄膜的微观结构,发现了一种新的TiSi_2相,初步确定它为简单正交结构,点阵常数与已知的C49-TiSi_2相等,并发现新的TiSi_2可向C49-TiSi_2转化;在800℃条件下保温30分钟,C54-TiSi_2可... 详细信息

本文主要以电子显微镜为手段研究了离子注入形成的TiSi_2薄膜的微观结构,发现了一种新的TiSi_2相,初步确定它为简单正交结构,点阵常数与已知的C49-TiSi_2相等,并发现新的TiSi_2可向C49-TiSi_2转化;在800℃条件下保温30分钟,C54-TiSi_2可在Si(111)基片上外延生长,取向关系为:[121]_(TiSi)_2∥[110]_(Si),(111)_(TiSi)_2∥(111)_(Si)。

关键词：离子注入金属硅化物电子显微学

Influence of Yttrium Implantation on Oxidation Behavior of Pure Nickel at 1000℃

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Journal of Donghua University(English Edition) 2005年第1期22卷 143-146页

作者：姜世杭靳惠明闫坤宫泽祥 Department of Mechanical Engineering Yangzhou University Yangzhou 225009 Department of Materials Science and Engineering Dalian University of Technology Dalian 110014

Isothermal and cyclic oxidation behaviors of pure and yttrium-implanted nickel were studied at 1 000℃ in air. The oxide scales formed on nickel substrates were performed using SEM and TEM. It was found that Y-implantation greatly improved the anti-oxidation ability of nickel both in isothermal and cyclic oxidizing experiments. Laser Raman microscopy was also used to study the stress status of oxide scales formed on nickel with and without yttrium. The main reason for the improvement in anti-oxidation and adhesion of oxide scale was Y-implantation greatly reduced the grain size of NiO and lowered the compressive stress within the scale. Yttrium implantation enhanced the adhesion of protective NiO oxide scale formed on nickel substrate.

关键词： Oxidation Ion-implantation Laser Raman Yttrium.

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离子束混合法制备Sm-Fe-N磁性薄膜

大连理工大学学报 1997年第2期37卷 231-233页

作者：孙树滋王强张兆安宋根宗徐送宁马腾才宫泽祥东北大学物理系沈阳工业学院基础部大连理工大学三束材料改性国家重点实验室

利用离子束混合方法在Ｓｍ质量分数为２０％的Ｓｍ－Ｆｅ多层薄膜中，当注入能量为６０ｋｅＶ的Ｎ离子时，成功地制备出Ｓｍ－Ｆｅ－Ｎ磁性薄膜．经透射电镜（ＴＥＭ）和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析发现：当Ｎ离子的注入剂量为１×１０１... 详细信息

利用离子束混合方法在Ｓｍ质量分数为２０％的Ｓｍ－Ｆｅ多层薄膜中，当注入能量为６０ｋｅＶ的Ｎ离子时，成功地制备出Ｓｍ－Ｆｅ－Ｎ磁性薄膜．经透射电镜（ＴＥＭ）和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析发现：当Ｎ离子的注入剂量为１×１０１７／ｃｍ２时，形成Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｎｘ磁性薄膜；而Ｎ离子的注入剂量为２×１０１７／ｃｍ２时，Ｓｍ－Ｆｅ多层薄膜转变成非晶磁性薄膜，而且Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｎｘ磁性薄膜和Ｓｍ－Ｆｅ－Ｎ非晶磁性薄膜的磁性（饱和磁性强度。

关键词：离子注入磁性薄膜薄膜离子束混合法永磁体