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辐照源对LVMOS器件总剂量辐射电离特性的影响

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电子与封装 2022年第7期22卷 64-68页

作者：陶伟刘国柱宋思德魏轶聃赵伟中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214072

基于0.18μm CMOS工艺,采用浅槽隔离(STI)注入法对1.8 V LVNMOS器件进行总剂量加固,并对比分析了^(60)Co(315 keV)与X射线(40 keV)辐照源对LVNMOS器件总剂量特性的影响。研究结果表明,在相同偏置条件下,^(60)Co与X射线两种辐照源对MOS... 详细信息

基于0.18μm CMOS工艺,采用浅槽隔离(STI)注入法对1.8 V LVNMOS器件进行总剂量加固,并对比分析了^(60)Co(315 keV)与X射线(40 keV)辐照源对LVNMOS器件总剂量特性的影响。研究结果表明,在相同偏置条件下,^(60)Co与X射线两种辐照源对MOS器件的辐射电离效应具有一定的差异性,前者同时具有康普顿效应和光电效应,后者是光电效应,主要是光子与内层电子作用。由LVNMOS总剂量辐照特性推测,X射线辐照源引起LVNMOS的SiO_(2)层中产生的电子与空穴高于^(60)Co。

关键词：总剂量辐射电离阈值电压 ^(60)Co X射线

利用原位红外光谱研究钙钛矿复合半导体CH_3NH_3PbI_3的稳定性

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高等学校化学学报 2016年第9期37卷 1605-1610页

作者：刘阳付现伟赵天宇廉刚董宁宋思德王琪珑崔得良山东大学晶体材料国家重点实验室济南250100

利用高压原位红外光谱法实时跟踪监测了CH_3NH_3PbI_3在高压氮气以及不同含量氧气气氛中加热时的变化规律.发现CH_3NH_3PbI_3对氧气十分敏感,当氮气中含有1%(体积分数)的氧气时,CH_3NH_3PbI_3加热到150℃发生分解;继续提高氧气含量到21%... 详细信息

利用高压原位红外光谱法实时跟踪监测了CH_3NH_3PbI_3在高压氮气以及不同含量氧气气氛中加热时的变化规律.发现CH_3NH_3PbI_3对氧气十分敏感,当氮气中含有1%(体积分数)的氧气时,CH_3NH_3PbI_3加热到150℃发生分解;继续提高氧气含量到21%,温度升高到100℃时CH_3NH_3PbI_3即发生分解;若在常压高纯氮气中加热,其分解温度则能提高到250℃;若将氮气压力提高到4.0 MPa,CH_3NH_3PbI_3的分解温度进一步提高到270℃.实验结果表明,提高压力和减少环境中的氧含量是改善钙钛矿复合半导体稳定性的有效方法.相应地,复合半导体光电子器件的热处理过程可以在更高的温度下进行,从而有希望获得性能更加优良的钙钛矿复合半导体光电子器件.

关键词：钙钛矿复合半导体稳定性原位红外光谱

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FCC催化剂耐磨性的快速测定法

江西石油化工 1992年第1期4卷 60-62,30页

作者： Week.,SA 宋思德

Combined effects of cycling endurance and total ionizing dose on floating gate memory cells

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Chinese Physics B 2022年第5期31卷 535-539页

作者：宋思德刘国柱贺琪顾祥洪根深吴建伟 The 58th Institution of Electronic Science and Technology Group Corporation of China Wuxi 214000China

The combined effects of cycling endurance and radiation on floating gate memory cell are investigated in detail,and the obtained results are listed below.(i)The programmed flash cells with a prior appropriate number of program and easing cycling stress exhibit much smaller threshold voltage shift than without those in response to radiation,which is ascribed mainly to the recombination of trapped electrons(introduced by cycling stress)and trapped holes(introduced by irradiation)in the oxide surrounding the floating gate.(ii)The radiation induced transconductance degradation in prior cycled flash cell is more severe than those without cycling stress in the programmed state or erased state.(iii)Radiation is more likely to set up the interface generation in programmed state than in erased state.This paper will be useful in understanding the issues involved in cycling endurance and radiation effects as well as in designing radiation hardened floating gate memory cells.

关键词： radiation floating gate threshold voltage recombination

Analysis on degradation mechanisms of normally-off p-GaN gate AlGaN/GaN high-electron mobility transistor

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Chinese Physics B 2021年第4期30卷 448-452页

作者：宋思德吴素贞刘国柱赵伟王印权吴建伟贺琪 The 58th Institution of Electronic Science and Technology Group Corporation of China Wuxi 214000China

The degradation mechanisms of enhancement-mode p-GaN gate AlGaN/GaN high-electron mobility transistor was analyzed extensively,by means of drain voltage stress and gate bias stress.The results indicate that:(ⅰ) High constant drain voltage stress has only a negligible impact on the device electrical parameters,with a slightly first increase and then decrease in output current;(ⅱ) A negative shift of threshold voltage and increased output current were observed in the device subjected to forward gate bias stress,which is mainly ascribed to the hole-trapping induced by high electric field across the p-GaN/AlGaN interface;(ⅲ) The analyzed device showed an excellent behavior at reverse gate bias stress,with almost unaltered threshold voltage,output current,and gate leakage current,exhibiting a large gate swing in the negative direction.The results are meaningful and valuable in directing the process optimization towards a high voltage and high reliable enhanced AlGaN/GaN high-electron mobility transistor.

关键词： high-electron-mobility transistors(HEMTs) stress degradation threshold voltage

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MRAM的辐射效应分析及加固方法简述

航天器环境工程 2021年第1期38卷 106-114页

作者：施辉张海良宋思德曹利超王印权刘国柱顾祥吴建伟洪根深李明华贺琪中国电子科技集团公司第五十八研究所无锡214072 北京科技大学材料科学与工程学院北京100083

回顾从首款商用磁随机存取存储器(MRAM)芯片面世以来国际上对MRAM芯片辐射效应的研究;总结MRAM总剂量电离效应和单粒子效应辐照试验研究结果,以及辐射效应导致MRAM读写错误的物理机制;分析辐射效应对磁性隧道结结构和性能的影响,并指出M... 详细信息

回顾从首款商用磁随机存取存储器(MRAM)芯片面世以来国际上对MRAM芯片辐射效应的研究;总结MRAM总剂量电离效应和单粒子效应辐照试验研究结果,以及辐射效应导致MRAM读写错误的物理机制;分析辐射效应对磁性隧道结结构和性能的影响,并指出MRAM应当针对外围电路、存储单元晶体管和磁性隧道结等处不同类型辐射效应进行对应的抗辐射加固;最后从材料和工艺方面简要介绍MRAM加固方法。

关键词：磁随机存取存储器磁性隧道结辐射效应抗辐射加固技术

MIS型GaN HEMT器件的X-ray辐射总剂量效应研究

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电子与封装 2020年第12期20卷 66-70页

作者：吴素贞徐政徐海铭宋思德谢儒彬洪根深吴建伟贺琪中科芯集成电路有限公司江苏无锡214072

通过对MIS型GaN HEMT器件在不同电偏置条件下进行X-ray辐射试验,研究了MIS型GaN阈值电压对辐射总剂量(TID)的响应规律,分析了绝缘栅介质/Al GaN叠层结构在500 krad总剂量过程中的电荷积累行为。结合辐射导致的空穴积累和外加偏压导致的... 详细信息

通过对MIS型GaN HEMT器件在不同电偏置条件下进行X-ray辐射试验,研究了MIS型GaN阈值电压对辐射总剂量(TID)的响应规律,分析了绝缘栅介质/Al GaN叠层结构在500 krad总剂量过程中的电荷积累行为。结合辐射导致的空穴积累和外加偏压导致的电子/空穴积累,说明了MIS型GaN HEMT器件的阈值参数随总剂量变化的机制。在不加外加偏置电压辐射时,栅介质层/Al GaN层存在的空穴陷阱导致正电荷积累;在栅极正向偏置辐射下,栅极注入空穴,加速了空穴的积累,导致更大的阈值降低;而在栅极反向偏置辐射下,栅极注入电子过程与辐射电离产生的电子空穴输运、俘获过程相互耦合,导致非单调的阈值变化。研究结果对评价GaN功率器件空间应用可行性以及评价GaN器件栅极可靠性具有一定的指导意义。

关键词： GaN HEMT MIS栅结构 X-ray总剂量辐射效应阈值电压

江西日报2024年全国两会融媒体报道的创新

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传媒 2024年第9期 29-31页

作者：宋思嘉江西日报社

每年的全国两会,都是我国政治生活中的重要时刻,也是全过程人民民主的生动体现。做好全国两会报道是在新媒体时代的媒介技术语境下,检验媒体重大时政报道传播体系建设成效的大考。2024年全国两会是在中华人民共和国成立75周年,全面贯彻... 详细信息

每年的全国两会,都是我国政治生活中的重要时刻,也是全过程人民民主的生动体现。做好全国两会报道是在新媒体时代的媒介技术语境下,检验媒体重大时政报道传播体系建设成效的大考。2024年全国两会是在中华人民共和国成立75周年,全面贯彻落实党的二十大精神的关键之年召开的盛会。进入媒体深度融合期,如何突破传统时政会议报道内容同质化、传播渠道单一化,进一步展现媒体特色和扩大舆论影响,成为各地主流媒体的重要发力点。

关键词：舆论影响时政报道江西日报新媒体时代主流媒体传播渠道发力点全国两会