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金丝的力学特征对球键合的微观组织和性能的影响

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稀有金属材料与工程 2022年第10期51卷 3632-3637页

作者：康菲菲周文艳俞建树季兴桥王佳陈绪波罗建强梁辰吴永瑾裴洪营贵研铂业股份有限公司稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室云南昆明650106 中国电子科技集团第二十九研究所四川成都610036

用电子背散射衍射仪对具有不同力学特征金丝的微区组织进行表征,采用扫描电镜和光学显微镜观察线弧轮廓、热影响区和焊点形貌,并通过推拉力测试仪测量线弧拉力和焊球剪切力,分析金丝力学特征对球键合质量的影响。结果表明:半硬态1和半硬... 详细信息

用电子背散射衍射仪对具有不同力学特征金丝的微区组织进行表征,采用扫描电镜和光学显微镜观察线弧轮廓、热影响区和焊点形貌,并通过推拉力测试仪测量线弧拉力和焊球剪切力,分析金丝力学特征对球键合质量的影响。结果表明:半硬态1和半硬态2的金丝芯部保持纤维状组织,边缘晶粒为细小的等轴晶,沿径向微区组织形貌有明显差异。打火烧球后形成的热影响区长度短,球颈部的组织有明显的梯度性,键合后弧高较小。软态金丝的组织为粗大的等轴晶,沿径向分布均匀,键合拉力低,易发生滑球现象。半硬态2金丝与焊盘的结合力强,引线键合拉力高,综合键合质量优,是最适合球键合工艺的金丝。

关键词：金丝球键合工艺力学特征热影响区长度键合质量

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有机电致发光器件的制备及其特性研究

有机电致发光器件的制备及其特性研究

作者：季兴桥电子科技大学

学位级别：硕士

有机电致发光作为一种新型的显示技术,是目前国内外研究的热点之一;虽然有关该领域的研究大规模开展的时间很短,但是涌现了大量的研究成果和报道。本文着重对不同发光颜色的有机电致发光器件(Organic Light-emitting Diode-OLED)的制备... 详细信息

有机电致发光作为一种新型的显示技术,是目前国内外研究的热点之一;虽然有关该领域的研究大规模开展的时间很短,但是涌现了大量的研究成果和报道。本文着重对不同发光颜色的有机电致发光器件(Organic Light-emitting Diode-OLED)的制备条件进行了研究,得到了优良的器件结构和性能。首先,制备了结构为ITO/NPB/Alq3/Mg:Ag的双层绿色发光器件,并且研究了Alq3的发光层的膜厚度对绿光器件的光电性能的影响,优化了Alq3的薄膜厚度。结果表明,在NPB的膜厚度保持在15 nm的情况下, Alq3的膜厚度在40 nm时,器件的各方面的性能最佳;此时,启亮电压最低只有3.2 V,而且随电压增加而增加的亮度达到最高,稳定性和流明效率也最佳。其次,由于一直以来蓝光OLED器件的研究处于相对落后的状态,其发光亮度、效率、稳定性和色纯度都无法绿光器件相比,所以本论文在以下几个方面对蓝光器件的性能进行了系统的研究:1)研究了双异质型蓝光OLED器件,由于本研究引入了空穴阻挡层,使得载流子的复合和激子的扩散被限定在发光层内,器件的发光效率达到了1.90 lm/W,最大亮度达到了10000 cd/m2,比传统结构器件的效率和亮度提高了约一个数量级;2)制备了结构为ITO/NPB/BAlq3/Alq3/Mg:Ag的OLED器件,研究发现,当改变各有机层厚度时,器件的电致发光光谱发生了从绿光到蓝光的移动。导致本现象的原因是由于各有机层电场强度的变化影响了空穴和电子的隧穿几率,从而导致载流子的复合区域发生改变而发出不同颜色的光;3)制备了结构为ITO/NPB/ADN:BAlq3/Alq3/Mg:Ag的蓝光OLED,空穴阻挡材料BAlq3的掺入显著影响了OLED的光电性能,当BAlq3的掺杂浓度为25 mol%时, OLED的发光效率为1.0 lm/W,发光光谱的峰值为440 nm,色纯度为(0.18, 0.15),未封装器件的半衰期达到了950小时;4)在蓝光材料ADN中掺杂NPB、BAlq3和TBP三种材料时,不仅改善了器件的发光亮度和色纯度,而且提高了器件的发光效率和寿命。其中,掺杂TBP的器件,由于蓝光染料TBP的高效能量传递,使器件的流明效率和电流效率分别达到了1.43 lm/W和3.86 cd/A,而且发射光谱的半波峰宽度(FWHM)很窄,呈现了优良的蓝光发射,初始亮度为450 cd/m2时,未封装器件的发光寿命达到了280小时。最后,研究了以Rubrene作为辅助掺杂剂的有机红光发光器件,由于使用

关键词：有机电致发光光电性能掺杂电荷阻挡层器件优化

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使用AlQ的高效率红色有机电致发光器件

电子科技大学学报 2008年第5期37卷 782-784页

作者：李璐于军胜季兴桥黎威志王涛电子科技大学光电信息学院

以8-羟基喹林铝(AlQ)为主体材料,通过4(Dicyanomethylen)-2-methyl-6-(P-dimethylaminostyryl)-4H-pyran(DCM)红色发光材料的掺杂,制备了AlQ:Rubrene:DCM体系的高效率、高亮度的红色电致发光器件。器件结构为ITO/N,N'-Di-[(1-naphthalenyl)-N,N'-diphenyl]-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine(NPB)/AlQ:Rubrene(3%):DCM(3%)/AlQ/Mg:Ag/Al,亮度为4330cd/m2,色坐标为(0.51,0.44),最大流明效率为6.77lm/W。

关键词： AIQ 掺杂流明效率有机电致发光红色发光

超高导热金刚石铜复合材料在GaN器件中的应用

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半导体技术 2017年第4期42卷 310-314页

作者：季兴桥来晋明中国电子科技集团公司第二十九研究所成都610036

金刚石铜具有高导热率和低膨胀系数,可用于大功率芯片的散热热沉。未做处理的金刚石表面非常光滑,不易附着其他金属,由于金刚石性质非常稳定,不容易被强酸和强碱进行表面处理。采用JG-01金刚石铜粗化处理液对金刚石进行粗化处理,而对铜... 详细信息

金刚石铜具有高导热率和低膨胀系数,可用于大功率芯片的散热热沉。未做处理的金刚石表面非常光滑,不易附着其他金属,由于金刚石性质非常稳定,不容易被强酸和强碱进行表面处理。采用JG-01金刚石铜粗化处理液对金刚石进行粗化处理,而对铜无损伤,提升了金刚石表面结合力。金刚石铜镀层对金锡(AuSn)和锡铅(PbSn)焊料的润湿性满足GJB548B-2005要求。GaN功率放大器芯片采用金刚石铜热沉比铜钼铜热沉结温可以降低12℃。金刚石铜载板镀层润湿性良好,焊接后芯片底部的空洞率不大于3%,热沉焊接后空洞率不大于5%,满足高功率芯片散热要求。按照产品环境适应要求,对GaN功率放大器做了高低温冲击和机械振动两种环境筛选实验,最终满足可靠性考核要求。

关键词：金刚石铜 GaN芯片镀涂热沉散热

ADN掺杂的高效率红光有机电致发光器件的制备

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电子科技大学学报 2008年第3期37卷 457-459页

作者：于军胜李璐季兴桥黎威志王涛李伟电子科技大学光电信息学院成都610054 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

针对目前红光有机电致发光器件普遍存在效率低的缺点,以9,10-di-beta-naphthylanthracene(AND)为主体材料,利用真空蒸镀双掺杂的方法,制备了基于ADN的结构为ITO/N,N'-Di-[(1-naphthalenyl)-N,N'-diphenyl]-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamineNPB/ADN:AlQ(20%):DCJTB(2%)/AlQ/Mg:Ag/Al的红光掺杂器件。测试结果表明该器件亮度可以达到3000cd/m2,EL光谱的峰值为598nm,色纯度CIE坐标为(0.59,0.41),最大流明效率为2.54lm/W,比AlQ为单一主体材料的红光掺杂器件性能有很大的提高。

关键词： AND 掺杂流明效率有机电致发光红色发光

不同掺杂位置对双层异质结OLEDs性能的影响

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光电子．激光 2006年第12期17卷 1432-1435页

作者：黎威志贺鑫钟志有季兴桥蒋亚东电子科技大学光电信息学院四川成都610054

通过在双层异质结有机电致发光器件(OLEDs)ITO/N,N′-Diphenyl-N,N′-bis(1-naphthyl)(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine(NPB)/tri-(8-hydroxyquinoline)-aluminum(Alq3)/Mg:Ag发光层Alq3中的不同位置掺杂红色荧光材料4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-py-ran(DCJTB),研究了该类器件中载流子的输运过程、复合位置及能量传递机理。实验结果表明,掺杂剂对于载流子有较强的俘获能力,并影响器件的载流子输运过程以及电流机制;掺杂位置的不同导致器件发光性能发生很大变化,而当掺杂层位于有机/阴极金属界面时还起到阴极电子注入缓冲层的作用。

关键词：有机电致发光器件(OLEDs) 双层异质结掺杂载流子输运

ITO表面改性对有机电致发光器件性能的影响

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电子科技大学学报 2007年第5期36卷 955-957,961页

作者：黎威志季兴桥阳秀钟志有蒋亚东电子科技大学光电信息学院成都610054

采用乙醇、氧等离子、NaOH、浓硫酸分别对氧化铟锡薄膜进行了处理;利用原子力显微镜、X-射线光电子能谱、接触角测试仪对处理后薄膜的表面形貌、化学组分及表面能进行了研究。实验结果表明经浓硫酸和NaOH处理后的氧化铟锡薄膜表面具有... 详细信息

采用乙醇、氧等离子、NaOH、浓硫酸分别对氧化铟锡薄膜进行了处理;利用原子力显微镜、X-射线光电子能谱、接触角测试仪对处理后薄膜的表面形貌、化学组分及表面能进行了研究。实验结果表明经浓硫酸和NaOH处理后的氧化铟锡薄膜表面具有较低的粗糙度、较小的表面颗粒半径、较低的碳污染以及较高的表面能;另外,以不同材料处理的氧化铟锡基片为阳极采用真空热蒸发法制备了双层结构发光器件ITO/NPB/AlQ/Mg:Ag/Ag,并对器件的电流-电压(J-V)、亮度-电压(B-V)特性以及效率(η)进行了测试和分析,结果表明乙醇处理基片做制备器件性能最差,而经浓硫酸、NaOH处理后的氧化铟锡基片所制备的双层器件的光电性能优于氧等离子处理,其启亮电压更低,发光亮度及效率更高。

关键词：氧化铟锡有机发光二极管表面能表面改性

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双层异质结器件载流子复合位置的研究

半导体光电 2006年第4期27卷 373-375页

作者：黎威志蒋亚东钟志有季兴桥阳秀电子科技大学光电信息学院四川成都610054

载流子的复合是有机电致发光过程的一个重要环节，它直接影响着器件的效率，稳定性，寿命等性能。以双层器件ITO／N，N＇-Diphenyl-N，N＇-bis（1-naphthyl）-（1，1＇-biphenyl）-4，4＇-diamine（NPB）／tri-（8-hydroxy-quinoline）-... 详细信息

载流子的复合是有机电致发光过程的一个重要环节，它直接影响着器件的效率，稳定性，寿命等性能。以双层器件ITO／N，N＇-Diphenyl-N，N＇-bis（1-naphthyl）-（1，1＇-biphenyl）-4，4＇-diamine（NPB）／tri-（8-hydroxy-quinoline）-aluminum（Alq3）／Mg：Ag为基础，以红光掺杂剂4-（dicyanomethylene）-2-t-butyl-6-（1，1，7，7-tetramethyljulolidyl-9-enyl）-4H-pyran（DCJTB）为探针，通过改变在Alq3层中掺杂层的厚度，研究了双层异质结器件中载流子的复合位置。结果表明，对于双层器件NPB／Alq3，载流子的复合及激子的辐射衰减位于界面处的Alq3层0～10nm范围内。

关键词：复合位置激子掺杂剂异质结器件

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氧等离子体处理改善ITO电极表面湿润性

半导体光电 2005年第5期26卷 428-431,436页

作者：钟志有蒋亚东王涛黎威志季兴桥电子科技大学光电信息学院四川成都610054

采用氧等离子体处理对有机发光器件ITO电极进行表面改性,基于接触角的测量,利用几何平均法计算了ITO的表面能和极性度,研究了氧等离子体处理对ITO电极表面湿润性的影响。实验数据和计算结果表明:氧等离子体处理后,ITO表面极性度增加,表... 详细信息

采用氧等离子体处理对有机发光器件ITO电极进行表面改性,基于接触角的测量,利用几何平均法计算了ITO的表面能和极性度,研究了氧等离子体处理对ITO电极表面湿润性的影响。实验数据和计算结果表明:氧等离子体处理后,ITO表面极性度增加,表面能增大,接触角减小,其表面湿润性得到很大改善。同时,进一步研究了氧等离子体处理对有机发光器件性能的影响,结果显示:ITO电极表面湿润性的改善,提高了发光亮度和效率,降低了启亮电压和驱动电压,有效地改善了器件的光电性能。

关键词：有机发光器件 ITO电极湿润性器件性能