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乙酰氧基对2-苯乙烯基苯并噻唑的荧光性能影响

1991年

作者：孟宪信

来源：南通市图书馆图书评论

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发光学报 1996年第4期17卷 357-361页

作者：于贵孟宪信李文连中国科学院长春物理研究所长春130021

本文合成了新型的含有乙酰氧基的2-苯乙烯基苯并噻唑。研究了此类化合物在固态和溶液中的荧光特性。结果表明,乙酰氧基是一种很有趣的取代基,在甲苯溶液中具有给电子特性,而在多晶粉末中由于分子间相互作用使之具有吸电子特性,导致发射... 详细信息

本文合成了新型的含有乙酰氧基的2-苯乙烯基苯并噻唑。研究了此类化合物在固态和溶液中的荧光特性。结果表明,乙酰氧基是一种很有趣的取代基,在甲苯溶液中具有给电子特性,而在多晶粉末中由于分子间相互作用使之具有吸电子特性,导致发射谱和激发谱中的长波带蓝移。

关键词：乙酰氧基 2-苯乙烯基苯并噻唑荧光特性

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高亮度搪瓷交流电致发光屏的研究

发光学报 1993年第1期14卷 99-104页

作者：丁彤单凯孟宪信焦焕宏杜春杰中国科学院长春物理研究所长春130021

本文报导了通过改进珐琅介质的介电性能,并采用特殊的灼烧工艺,获得高亮度.长寿命的搪瓷交流电致发光(AC—EL)屏的方法。

关键词：搪瓷发光屏电致发光

ZnS:Cu单晶交流电致发光老化机理的研究

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科学通报 1995年第16期40卷 1464-1465页

作者：曹佐纯谢玉钧崔翔天孟宪信中国科学院长春物理研究所长春130021

ZnS:Cu型交流电致发光亮度随使用时间增加而下降,这是人们早就知道的老化现象,人们为维持亮度作了很多努力,研究了与老化有关的各种现象,提出了几种老化机理模型.60年代,Lehmann提出硫空位造成材料老化的观点,但他后来又否定了自己的观... 详细信息

ZnS:Cu型交流电致发光亮度随使用时间增加而下降,这是人们早就知道的老化现象,人们为维持亮度作了很多努力,研究了与老化有关的各种现象,提出了几种老化机理模型.60年代,Lehmann提出硫空位造成材料老化的观点,但他后来又否定了自己的观点.80年代,Hirabayashi等人较系统地研究了交流电致发光材料的老化,提出了引起老化的主要因素是材料的粒度、晶体的质量、掺杂的浓度、硫空位的浓度和铜离子的电迁移等.我们在180℃的低温下把表面镀上的铜扩散进ZnS单晶中,去掉表面的铜后。

关键词：单晶交流电致发光老化机理硫化锌铜

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2—芳基苯并噻唑荧光性能的研究

发光学报 1996年第2期17卷 164-168页

作者：于贵李文连孟宪信苏锡安中国科学院长春物理研究所

本文合成了四种２－芳基苯并噻唑类化合物，研究了它们多品粉末的发光，对其发光机理进行了探讨，分析了取代基和共轭程度对激发光谱、发射光谱及Ｓｔｏｋｅｓ位移的影响．

关键词： 2-芳基苯并噻唑共轭程度荧光性能

粉末材料的场致发光(3)——场致发光的应用

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国外发光与电光 1975年第2期 58-61页

作者：孟宪信

一、场致发光屏的制作粉末场致发光应用的器件形式,就是做成各种不同类型的发光屏。这种屏的结构类似于一个平板电容器,所以有时候遇到场致发光电容器的称呼。它是由透明导电膜、发光粉和粘结剂、金属电极等主要部分组成的。目前已经... 详细信息

一、场致发光屏的制作粉末场致发光应用的器件形式,就是做成各种不同类型的发光屏。这种屏的结构类似于一个平板电容器,所以有时候遇到场致发光电容器的称呼。它是由透明导电膜、发光粉和粘结剂、金属电极等主要部分组成的。目前已经实用的有两种,一种是以有机介质作粘结剂、导电玻璃作衬底的玻璃屏,一种是以无机介质作粘结剂、钢板作衬底的搪瓷屏。本文只就有机介质的玻璃屏作一初步介绍。 1.常用制屏工艺。在实验室和工厂中比较常用的制屏方法是刮印法和喷刷法。所谓刮印法,就是把发光粉和粘结剂(如发光

关键词：发光屏粘结剂主要应用引线荧光体发光材料胶结剂电致发光场致发光导电玻璃

1982年SID国际讨论会情况和在美参观访问的汇报

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发光学报 1982年第3期 83-95页

作者：许少鸿孟宪信

信息显示学会(英文简称SID)每年召开一次国际讨论会,会址一般在美国。1982年的讨论会是5月10日到14日在美国加利福尼亚州的圣地亚哥(San Diego)举行的。会期五天,有两天会议叫Seminar,即讨论班性质的,作各方面的动态报告和基础知识介绍... 详细信息

信息显示学会(英文简称SID)每年召开一次国际讨论会,会址一般在美国。1982年的讨论会是5月10日到14日在美国加利福尼亚州的圣地亚哥(San Diego)举行的。会期五天,有两天会议叫Seminar,即讨论班性质的,作各方面的动态报告和基础知识介绍,类似我国的综述报告。有三天是会议正式工作报告,主要讲最近工作和各方面进展。参加这次讨论会的共计八个国家(美、英、法、日、西德、东德、芬兰、中国),1000多

关键词：国际讨论会朗伯荫罩板彩色显示高分辨率高分辨力图象处理计算机应用电致发光场致发光等离子体显示投影式掩模薄膜晶体管彩色化 SID 参观访问汇报

Ge/ZnS(111)异质结能带偏移的同步辐射光电子能谱研究

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中国科学（A辑） 1996年第5期26卷 473-480页

作者：班大雁杨风源方容川徐世红徐彭寿孟宪信中国科学技术大学物理系合肥230026 合肥国家同步辐射实验室中国科学技术大学合肥230026 中国科学院长春物理研究所长春130021

利用同步辐射光电子能谱研究了Ge/ZnS(111)异质结界面的能带连接问题.芯能级谱显示出Ge原子与S原子在界面处存在反应.利用芯能级谱及价带谱技术,测量了该异质结的价带偏移.对于衬底温度为200℃条件下生长的异质结,其价带偏移为l.94士 *... 详细信息

利用同步辐射光电子能谱研究了Ge/ZnS(111)异质结界面的能带连接问题.芯能级谱显示出Ge原子与S原子在界面处存在反应.利用芯能级谱及价带谱技术,测量了该异质结的价带偏移.对于衬底温度为200℃条件下生长的异质结,其价带偏移为l.94士 ***;而室温条件下生长的异质结,则为2.23土 ***该实验结果与一些理论计算值进行比较,符合得较好.

关键词：异质结能带连接同步辐射光电子能谱半导体