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化学法制备掺杂CoO的NiO及其电容性能研究

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金属热处理 2005年第9期30卷 23-26页

作者：于维平孟令款杨晓萍吴翔北京航空航天大学工程训练中心北京100083

采用醇-水法制备了掺杂CoO的纳米级N iO粉体,研究了在N i(NO3)2中添加不同比例的Co(NO3)2对所得氧化镍电极电容性能的影响。对所制模拟电容器的容量测试表明,掺杂一定比例的氧化钴能显著提高比容量的值,并且有效降低了循环中比容量的衰... 详细信息

采用醇-水法制备了掺杂CoO的纳米级N iO粉体,研究了在N i(NO3)2中添加不同比例的Co(NO3)2对所得氧化镍电极电容性能的影响。对所制模拟电容器的容量测试表明,掺杂一定比例的氧化钴能显著提高比容量的值,并且有效降低了循环中比容量的衰减,增强了模拟电容器大电流充放电的稳定性。当Co(NO3)2与N i(NO3)2的体积比为1∶9时所得掺杂CoO的N iO电极的比容量最高,在放电电流密度为1mA/cm2时,比容量稳定值可达548F/g;30mA/cm2时可达410F/g。研究还表明,在小电流放电情况下,制备N iO前驱体所需不同的洗涤方式对制得的模拟电容器比容量的大小影响不大,但在大电流放电时,最后一遍醇洗制得的模拟电容器电容性能较好。

关键词：掺杂CoO 氧化镍超级电容器化学法

电沉积法制备掺杂钴的氢氧化镍电极材料及其容量特性

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材料热处理学报 2005年第6期26卷 30-33,38页

作者：于维平杨晓萍孟令款刘兆哲北京航空航天大学工程训练中心北京100083

采用电化学共沉积技术在泡沫镍基体上制备了掺杂氢氧化钴的氢氧化镍电极,研究了其容量特性.结果表明:0.5mol/L Ni(NO3)2和0.25mol/L Co(NO3)2溶液以体积比Ni(NO3)2:Co(NO3)2=8.5:1.5混合作为沉积溶液时,所得掺钴的氢氧化镍电极性能最佳.... 详细信息

采用电化学共沉积技术在泡沫镍基体上制备了掺杂氢氧化钴的氢氧化镍电极,研究了其容量特性.结果表明:0.5mol/L Ni(NO3)2和0.25mol/L Co(NO3)2溶液以体积比Ni(NO3)2:Co(NO3)2=8.5:1.5混合作为沉积溶液时,所得掺钴的氢氧化镍电极性能最佳.XRD和SEM分析表明:所得产物为掺杂α-Co(OH)2的α-Ni(OH)2,晶粒尺寸为2～10 nm,其粒子形貌呈球状,粒径在0.5～2μm之间.将其组装成C/Ni(OH)2模拟超级电容器,在充放电电流为5mA的条件下,循环40次后比电容为460 F/g,其比电容数值随循环次数增加逐渐趋于稳定.

关键词：电化学共沉积氢氧化镍超级电容器正极

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金属栅回刻平坦化技术

真空科学与技术学报 2012年第9期32卷 793-797页

作者：孟令款殷华湘徐秋霞陈大鹏叶甜春中国科学院微电子研究所北京100029

随着CMOS集成电路技术节点缩减到45 nm及以下,高K金属栅(HK/MG)的后栅集成工艺已逐渐成为先进集成电路制造中的主流技术。其中金属栅(假栅)集成结构的平坦化是实现后栅集成的关键技术之一。本文通过特色开发的SOG两步等离子体回刻结合O... 详细信息

随着CMOS集成电路技术节点缩减到45 nm及以下,高K金属栅(HK/MG)的后栅集成工艺已逐渐成为先进集成电路制造中的主流技术。其中金属栅(假栅)集成结构的平坦化是实现后栅集成的关键技术之一。本文通过特色开发的SOG两步等离子体回刻结合O2原位处理技术,克服了常规反应离子刻蚀中由于聚合物分布不均对刻蚀速度带来的不利影响,实现了隔离绝缘层低达4.19%(边缘去除5 mm)的片内非均匀性。不同稀疏与密集线阵列的亚微米CMOS后栅结构表明良好的平坦化效果并且避免了类似CMP(Chemical Mechanical Polish)工艺中常出现的"碟形效应"问题。所研制成功的无CMP后栅平坦化工艺为制备纳米级高K金属栅CMOS后栅器件打下了重要基础。

关键词：金属栅假栅旋转涂布玻璃等离子回刻平坦化

Metal gate etch-back planarization technology

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Journal of Semiconductors 2012年第3期33卷 114-117页

作者：孟令款殷华湘陈大鹏叶甜春 Key Laboratory of Microelectronics Devices of Integrated Technology Institute of MicroelectronicsChinese Academy of Sciences

Planarization used in a gate-last CMOS device was successfully developed by particular technologies of SOG two-step plasma etch-back plus one special etch-back step for SOG/SiO_2 interface *** within-the-wafer ILD thickness non-uniformity can reach 4.19%with a wafer edge exclusion of 5 *** results indicated that there was little＂dish effect＂on the 0.4μm gate-stack structure and finally achieved a good planarization profile on the whole *** technology provided a CMP-less process basis for sub-100 nm high-k/metal gate-last CMOS integration.

关键词： metal gate plasma etch-back planarization spin on glass

单型掺杂柱电极的3D硅像素探测器的器件与制造工艺研究

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半导体光电 2015年第2期36卷 197-201页

作者：明希殷华湘孟令款李俊杰贾云丛李贞杰袁烽江晓山刘鹏陈大鹏中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院高能物理研究所北京100049

设计了一种新的3D硅像素探测器的器件结构以简化制造工艺。该结构仅包含一种掺杂类型的柱状电极。通过工业级TCAD仿真对这种结构的电学特性进行了深入研究,阐述了它的技术优势及潜在缺陷。同时研究了制造这种3D硅像素探测器的特殊工艺... 详细信息

设计了一种新的3D硅像素探测器的器件结构以简化制造工艺。该结构仅包含一种掺杂类型的柱状电极。通过工业级TCAD仿真对这种结构的电学特性进行了深入研究,阐述了它的技术优势及潜在缺陷。同时研究了制造这种3D硅像素探测器的特殊工艺流程和相关关键工艺,并给出了主要工艺结果。

关键词：硅像素探测器 3D硅像素探测器 TCAD仿真深孔刻蚀

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用于纳米器件的电子束与光学混合光刻技术

微纳电子技术 2013年第6期50卷 386-390页

作者：陈广璐唐波唐兆云李春龙孟令款贺晓彬李俊峰闫江中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

成功开发出了一种可用于纳米结构及器件制作的电子束与光学光刻的混合光刻工艺。通过两步光刻工艺,在栅结构层上采用大小图形数据分离的方法,使用光学光刻形成大尺寸栅引出电极结构,利用电子束直写形成纳米尺寸栅结构,并通过图形转移工... 详细信息

成功开发出了一种可用于纳米结构及器件制作的电子束与光学光刻的混合光刻工艺。通过两步光刻工艺,在栅结构层上采用大小图形数据分离的方法,使用光学光刻形成大尺寸栅引出电极结构,利用电子束直写形成纳米尺寸栅结构,并通过图形转移工艺解决两次光刻定义的栅结构的叠加问题。此混合光刻工艺技术可以解决纳米电子束直写光刻技术效率较低的问题,同时避免了电子束进行大面积、高密度图形曝光时产生严重邻近效应影响的问题。这项工艺技术已经应用于先进MOS器件的研发,并且成功制备出具有良好电学特性、最小栅长为26 nm的器件。

关键词：电子束光刻(EBL) 电子束直写(EBDW) 邻近效应混合光刻纳米器件后栅工艺

技术·组织·环境:中国广告公司智能化转型动因研究

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新闻与传播评论 2025年第2期78卷 109-119页

作者：孟令光吕乐杨上海大学新闻传播学院、上海广告研究院上海200072 上海大学新闻传播学院上海200072

数字经济背景下,“智能广告”近年来成为学界和业界共同关注的关键词。中国广告公司的智能化转型是广告行业发展的主要趋势。研究引入“技术-组织-环境(TOE)”理论框架,深入业界访谈14家广告公司高管,对中国广告公司智能化转型的重要动... 详细信息

数字经济背景下,“智能广告”近年来成为学界和业界共同关注的关键词。中国广告公司的智能化转型是广告行业发展的主要趋势。研究引入“技术-组织-环境(TOE)”理论框架,深入业界访谈14家广告公司高管,对中国广告公司智能化转型的重要动因进行系统分析。研究发现,组织内驱中公司自身的转型意愿、对客户的精准营销需求的满足、多维信息服务能力的提升,环境变革后的政府政策激励、市场竞争压力驱动和行业自律规范形成,技术赋能下广告公司人工智能技术的应用、智能媒介终端的更迭、数据安全技术能力的提升等因素,三方面联动推动中国广告公司加快自身的智能化转型。从组织层面看,广告公司内部转型意愿是智能化转型的起点;从环境层面看,各要素变革对其智能化转型产生深远影响;从技术层面看,新技术的涌现与应用是智能化转型的直接动力。

关键词：广告公司智能化转型组织内驱环境变革技术赋能

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基于喷雾冷却的隧道围岩施工降温效果分析

中外公路 2025年

作者：孟令辰中交一公局土木工程建筑研究院有限公司

为了研究基于喷雾冷却的特长隧道围岩施工降温效果，本文依托中梁山隧道工程，采用数值模拟计算的方法，分析了不同喷雾量下隧道平均温度变化特征、不同湿度下喷雾蒸发效率和温降变化特征，以及不同喷雾位置下隧道断面平均气温变化特征... 详细信息

为了研究基于喷雾冷却的特长隧道围岩施工降温效果，本文依托中梁山隧道工程，采用数值模拟计算的方法，分析了不同喷雾量下隧道平均温度变化特征、不同湿度下喷雾蒸发效率和温降变化特征，以及不同喷雾位置下隧道断面平均气温变化特征，并对隧道断面空气温度的实测值与模拟值进行了对比分析，研究表明，随着喷雾量的增大，隧道内的平均温度逐渐减小，当喷雾量为0.038 kg/s时，相比隧道初始温度，温度下降了2.87 ℃；随着空气含湿量的增大，雾滴蒸发率逐渐减小，当空气含湿量为12 g/kg时，相比其他含湿量，雾滴蒸发率最高；在距掌子面距离相同条件下，当空气含湿量为12 g/kg时，相比其他含湿量，喷雾后温降最大，最大温降为7.06 ℃；空气温度实测值平均温度与模拟值平均温度相差不大，可认为空气温度实测值和模拟值基本相同；在实际隧道喷雾降温工程中，喷雾降温系统应与隧道的通风系统紧密结合，合理设置通风口的位置和通风量，使空气形成良好的对流，同时控制隧道内的湿度，提高降温效果。

关键词：特长隧道喷雾降温蒸发效率气体温度数值模拟

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油田作业工序设计审核系统的实现

中国信息界 2025年第1期 212-214页

作者：孟令嘉大庆油田有限责任公司第一采油厂

引言井下作业是油田生产良性循环的重要环节,在整个生产过程中流动着一组信息流,从采油队提出施工申请,到交井验收,信息层层调用,各级部门层层把关。信息的准确性、及时性成为责任考核、经济结算的重要依据。因此,对这部分数据实施一体... 详细信息

引言井下作业是油田生产良性循环的重要环节,在整个生产过程中流动着一组信息流,从采油队提出施工申请,到交井验收,信息层层调用,各级部门层层把关。信息的准确性、及时性成为责任考核、经济结算的重要依据。因此,对这部分数据实施一体化管理,遵循“谁产生的数据谁录入、谁审核的数据谁负责”的原则,提高数据的准确性;实现作业数据的网上查询、网上审核以及信息的高度共享;加强对施工进程的全面跟踪,加大考核监督力度,对于提高生产效率、提升油田生产的现代化管理水平以及保障企业生产的良性循环具有重大意义。本文详细介绍了作业工序设计审核系统的建立过程及其关键技术——Active Form控件的开发,旨在通过信息化建设,进一步提升油田井下作业的管理水平。

关键词：信息化建设网上查询良性循环工序设计信息流设计审核油田作业作业工序