检索结果-南通市图书馆

沉积电流对ZnO薄膜的结构和光学性质的影响

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半导体光电 2007年第1期28卷 83-86页

作者：岳兰郑毓峰孙言飞新疆大学物理科学与技术学院功能材料研究室新疆乌鲁木齐830046

采用阴极电沉积的方法在导电玻璃上制备了ZnO薄膜。研究了沉积电流对薄膜结构特性和光学特性的影响。XRD分析表明ZnO薄膜为纤锌矿结构,晶粒尺寸随电流的增大而增大,择优取向随电流的变化发生了转变。光学测试表明样品的透射率最大值可达... 详细信息

采用阴极电沉积的方法在导电玻璃上制备了ZnO薄膜。研究了沉积电流对薄膜结构特性和光学特性的影响。XRD分析表明ZnO薄膜为纤锌矿结构,晶粒尺寸随电流的增大而增大,择优取向随电流的变化发生了转变。光学测试表明样品的透射率最大值可达84%,禁带宽度随电流变化不大,接近于3.3 eV。

关键词：电沉积 ZnO XRD谱图光学性质

水热合成NiS_2粉晶及Rietveld结构精修

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人工晶体学报 2008年第4期37卷 936-941页

作者：尚飞蒋莉简基康孙言飞郑毓峰新疆大学物理科学与技术学院功能材料研究室乌鲁木齐830046

采用水热法一步合成了二硫化镍粉晶,利用XRD、SEM对样品进行了表征并使用Rieteveld粉末衍射峰形全谱拟合方法对不同水热反应条件下合成二硫化镍粉晶的晶体结构进行了研究。并用多相全谱拟合相定量分析法对水热合成二硫化镍粉晶中的杂相... 详细信息

采用水热法一步合成了二硫化镍粉晶,利用XRD、SEM对样品进行了表征并使用Rieteveld粉末衍射峰形全谱拟合方法对不同水热反应条件下合成二硫化镍粉晶的晶体结构进行了研究。并用多相全谱拟合相定量分析法对水热合成二硫化镍粉晶中的杂相质量百分比进行了计算,分析了NiS2粉晶的合成机理。

关键词：二硫化镍水热法 Rietveld方法定量分析

近距离升华沉积CdTe掺Cd薄膜的微结构和电学、光学特性

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物理学报 2008年第6期57卷 3880-3886页

作者：李茜郑毓峰周向玲孙言飞简基康新疆大学物理科学与技术学院乌鲁木齐830046 新疆喀什师范学院物理系喀什844000

采用近距离升华技术制备了掺杂Cd元素的CdTe多晶薄膜.利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜表征其微结构,用霍尔效应测试仪和紫外可见分光光度计分析其电学、光学特性.结果显示,适量的掺杂Cd元素可改善CdTe薄膜晶形,显著提高薄膜的电导特性... 详细信息

采用近距离升华技术制备了掺杂Cd元素的CdTe多晶薄膜.利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜表征其微结构,用霍尔效应测试仪和紫外可见分光光度计分析其电学、光学特性.结果显示,适量的掺杂Cd元素可改善CdTe薄膜晶形,显著提高薄膜的电导特性,由弱的p型电导转变为导电性能良好的n型电导,但对光能隙影响不大.

关键词：近距离升华 CdTe薄膜掺杂Cd 电学和光学特性

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纯氮气反应溅射AlN薄膜及性质研究

人工晶体学报 2010年第1期39卷 190-196页

作者：杨世才阿布都艾则孜.阿布来提简基康郑毓峰孙言飞吴荣新疆大学物理科学与技术学院乌鲁木齐830046

在不同氮气浓度、不同溅射气压和衬底温度为20～370℃的条件下,分别在多种衬底上采用反应磁控溅射法沉积AlN薄膜。X射线衍射图谱表明:温度大于180℃时可在多种衬底上沉积出具有c轴择优取向的纤锌矿AlN薄膜。衬底温度和溅射时间的增加有... 详细信息

在不同氮气浓度、不同溅射气压和衬底温度为20～370℃的条件下,分别在多种衬底上采用反应磁控溅射法沉积AlN薄膜。X射线衍射图谱表明:温度大于180℃时可在多种衬底上沉积出具有c轴择优取向的纤锌矿AlN薄膜。衬底温度和溅射时间的增加有利于薄膜结晶性的改善。1.5Pa的纯氮气气氛和Si(100)衬底是最佳择优生长条件。由紫外-可见光透射谱计算得到:在石英衬底上沉积的薄膜折射率为1.80～1.85,膜厚约为1μm、光学能隙为6.1eV。原子力显微镜照片表明:在Si(100)衬底上制备的薄膜表面平滑,均方根粗糙度为2.2～13.2nm。

关键词：氮化铝磁控反应溅射择优取向

EDTA辅助水热合成FeS_2NiSe_2复合纳米晶及其薄膜光电性质

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物理学报 2004年第10期53卷 3493-3497页

作者：吴荣郑毓峰张校刚孙言飞徐金宝新疆大学物理系材料实验室乌鲁木齐830046 新疆大学应用化学研究所乌鲁木齐830046

以EDTA为螯合剂,加入MX2结构化合物NiSe_2作为晶种,水热合成了FeS_2 纳米晶 .x射线衍射分析结果表明产物为单一相黄铁矿型FeS_2 (pyrite) ,平均粒径约 4 0— 5 0nm .丝网印刷成膜且高温退火后FeS_2 薄膜光学直接带隙变宽 .随晶种量的增... 详细信息

以EDTA为螯合剂,加入MX2结构化合物NiSe_2作为晶种,水热合成了FeS_2 纳米晶 .x射线衍射分析结果表明产物为单一相黄铁矿型FeS_2 (pyrite) ,平均粒径约 4 0— 5 0nm .丝网印刷成膜且高温退火后FeS_2 薄膜光学直接带隙变宽 .随晶种量的增加 ,吸收边在紫外—可见光谱区红移、方块电阻升高、霍尔迁移率上升和载流子浓度下降 ,实现了n型掺杂 .并且对FeS_2

关键词：水热合成薄膜光学光电性质带隙单一相上升 EDTA FeS2 方块电阻迁移率

水热法合成FeS_2粉晶及其生长热动力学的研究

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物理学报 2005年第4期54卷 1659-1664页

作者：段鹤郑毓峰张校刚孙言飞董有忠新疆大学物理系乌鲁木齐830046 新疆大学化学化工学院乌鲁木齐830046

采用溶胶_凝胶水热法合成了单相黄铁矿结构的FeS2 粉晶 .用x射线衍射、傅氏变换红外光谱等分析手段对FeS2 粉晶进行了表征 ,以简化的数学模型及相变理论讨论了晶体生长过程 .结果表明 :FeS2 晶粒的生长过程属于相变与扩散的混合机制 ,... 详细信息

采用溶胶_凝胶水热法合成了单相黄铁矿结构的FeS2 粉晶 .用x射线衍射、傅氏变换红外光谱等分析手段对FeS2 粉晶进行了表征 ,以简化的数学模型及相变理论讨论了晶体生长过程 .结果表明 :FeS2 晶粒的生长过程属于相变与扩散的混合机制 ,符合经时间指数修正的二次方动力学方程 ,是一个生长速率随时间变化的过程 ;水热晶化温度高于 4 5 3K、反应时间超过 18h且有适量的硫参与反应时 ,可得到单相的黄铁矿型的FeS2 .该过程可分为三个阶段 :前期为白铁矿和黄铁矿的成核孕育阶段 ,中期为FeS2 晶核以黄铁矿吞并白铁矿的相变方式逐渐长大的阶段 ,后期为小晶粒融合而大晶粒继续长大的扩散生长过程 .

关键词：溶胶一凝胶水热法 FeS2粉晶晶粒生长热动力学

pH值对水热合成黄铁矿型CoS_2微晶的影响

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无机化学学报 2011年第1期27卷 95-99页

作者：谢玲玲吴荣李锦孙言飞简基康新疆大学物理科学与技术学院乌鲁木齐830046

本文以EDTA-2Na为辅助剂,Na2S2O3.5H2O为硫源,运用水热法制备了黄铁矿型CoS2微晶,研究了溶液pH值对产物结构和形貌的影响。采用X射线粉末衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM)对产物的结构和形貌进行了表征。实验结果表明,溶液为酸性环境时(... 详细信息

本文以EDTA-2Na为辅助剂,Na2S2O3.5H2O为硫源,运用水热法制备了黄铁矿型CoS2微晶,研究了溶液pH值对产物结构和形貌的影响。采用X射线粉末衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM)对产物的结构和形貌进行了表征。实验结果表明,溶液为酸性环境时(pH=1、3)可得到纯相的黄铁矿型CoS2微晶,形貌为微米尺寸的空心球壳。溶液为中性和碱性环境时(pH=7、11),产物出现少量杂相,形貌变为规则的八面体晶粒。讨论了这些CoS2微晶的形成机制。

关键词： CoS2 水热合成 pH值形貌

丝网印刷FeS_2(pyrite)薄膜的结构及光电性能

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物理学报 2004年第9期53卷 3229-3233页

作者：徐金宝郑毓峰李锦孙言飞吴荣新疆大学物理系乌鲁木齐830046

采用丝网印刷方法制备了FeS2 (pyrite)薄膜 ,用x射线衍射确定了样品FeS2 (pyrite)薄膜的晶体结构 ,并用Rietveld方法对样品的结构进行了精修 ,确定了样品的点阵常数、键长、键角、硫原子占位等结构参数 .研究了膜厚对方块电阻、载流子... 详细信息

采用丝网印刷方法制备了FeS2 (pyrite)薄膜 ,用x射线衍射确定了样品FeS2 (pyrite)薄膜的晶体结构 ,并用Rietveld方法对样品的结构进行了精修 ,确定了样品的点阵常数、键长、键角、硫原子占位等结构参数 .研究了膜厚对方块电阻、载流子浓度、霍尔迁移率。

关键词：丝网印刷法硫化铁薄膜晶体结构光电性能霍尔迁移率载流子浓度

Er^(3+)注入CdTe薄膜的结构和光电性能研究

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物理学报 2006年第12期55卷 6684-6690页

作者：侯娟郑毓峰董有忠匡代洪孙言飞李强新疆大学物理科学与技术学院乌鲁木齐830046

采用离子注入技术对近距离升华制备的CdTe薄膜进行Er3+掺杂研究.讨论了不同掺Er3+浓度对CdTe薄膜的结构和光电性能的影响.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计、霍耳效应测试系统和复阻抗分析仪对样品进行测试.结果表... 详细信息

采用离子注入技术对近距离升华制备的CdTe薄膜进行Er3+掺杂研究.讨论了不同掺Er3+浓度对CdTe薄膜的结构和光电性能的影响.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计、霍耳效应测试系统和复阻抗分析仪对样品进行测试.结果表明,适当的掺杂量可以改善CdTe薄膜的结晶性能,降低晶界势垒高度,提高其导电性能.在一定掺杂范围内掺Er3+对CdTe薄膜的光能隙影响不大.

关键词： CdTe薄膜离子注入晶界势垒光能隙