检索结果-南通市图书馆

含纳米硅微粒的富硅二氧化硅的蓝色薄膜交流电致发光

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发光学报 1998年第3期19卷 227-229页

作者：孙甲明钟国柱范希武李长华中国科学院长春物理研究所中国科学院激发态物理开放研究实验室

用磁控射频反应溅射制备了含纳米硅微粒的富硅ＳｉＯ２薄膜并获得了蓝色的交流薄膜电致发光．通过热退火结合喇曼散射等手段判定蓝色发光谱带与富硅ＳｉＯ２薄膜的纳米硅晶粒有关．

关键词：硅量子点富硅二氧化硅电致发光纳米硅薄膜

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多孔硅的电荷存贮特性与光电压滞后衰减

发光学报 1993年第2期14卷 206-208页

作者：孙甲明张吉英申德振范希武中国科学院长春物理研究所长春130021

自从Canham在1990年报道了多孔硅的光致发光以来,人们便开始了多孔硅的发光特性及其发光机理的研究。我们在获得多孔硅材料的基础上,曾首次报道了多孔硅光电压的滞后衰减现象。在本文中主要对如上实验结果进行了分析和探讨。认为在Nd:YA... 详细信息

自从Canham在1990年报道了多孔硅的光致发光以来,人们便开始了多孔硅的发光特性及其发光机理的研究。我们在获得多孔硅材料的基础上,曾首次报道了多孔硅光电压的滞后衰减现象。在本文中主要对如上实验结果进行了分析和探讨。认为在Nd:YAG激光器的1.

关键词：多孔硅电荷储存光电压衰减

Er离子注入的富硅SiO_2 MOS-LED的可见和红外电致发光特性

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发光学报 2011年第8期32卷 749-754页

作者：刘海旭孙甲明孟凡杰侯琼琼南开大学物理科学学院天津300071

通过Er离子和Si离子注入并结合高温退火制备了Er掺杂的富硅SiO2薄膜以及ITO/SiON/富硅SiO2∶Er/Si MOS结构电致发光器件。研究了富Si浓度的变化对Er3+离子掺杂的电致发光器件的发光性能和传导特性的影响。发现不同Si含量对Er3+离子的不... 详细信息

通过Er离子和Si离子注入并结合高温退火制备了Er掺杂的富硅SiO2薄膜以及ITO/SiON/富硅SiO2∶Er/Si MOS结构电致发光器件。研究了富Si浓度的变化对Er3+离子掺杂的电致发光器件的发光性能和传导特性的影响。发现不同Si含量对Er3+离子的不同能级的电致发光会产生不同作用。在富Si量小于5%的条件下,主要由Si离子注入产生氧空位缺陷发光中心(Si-ODC),它们和Er3+离子的高能级之间存在着共振能量传递,增强了Er3+离子的522 nm绿色发光峰强度。在富Si含量大于5%时,过量的Si在退火时形成了纳米硅微晶,电子在纳米硅微晶之间的隧穿改变了载流子输运机制,降低了过热电子的平均能量,导致Er3+离子的所有发光峰的猝灭。

关键词：掺铒纳米硅电致发光离子注入 MOS-LED

衬底温度对CaS∶TbF_3薄膜电致发光亮度的影响

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发光学报 1998年第1期19卷 36-40页

作者：孙甲明钟国柱范希武郑陈玮中国科学院长春物理研究所中国科学院激发态物理开放研究实验室

利用Ｘ射线衍射和扫描电子显微镜对不同衬底温度下电子束蒸发的ＣａＳ∶ＴｂＦ３电致发光薄膜的结晶性和表面形貌进行了研究．通过对薄膜的透射率和漫反射率的测量研究了薄膜的致密性．Ｘ射线衍射表明衬底温度在２２０到５８０℃范围之... 详细信息

利用Ｘ射线衍射和扫描电子显微镜对不同衬底温度下电子束蒸发的ＣａＳ∶ＴｂＦ３电致发光薄膜的结晶性和表面形貌进行了研究．通过对薄膜的透射率和漫反射率的测量研究了薄膜的致密性．Ｘ射线衍射表明衬底温度在２２０到５８０℃范围之间，电子束蒸发的ＣａＳ∶ＴｂＦ３电致发光薄膜为多晶立方晶相．随着衬底温度的提高，ＣａＳ∶ＴｂＦ３薄膜的表面形貌发生显著的变化，薄膜的致密性增加，从而增加了电致发光亮度．

关键词：硫化钙电致发光衬底温度表面形貌亮度薄膜

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ZnSe-ZnS超晶格的通光蚀孔及列阵研究

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发光学报 1993年第4期14卷 315-319页

作者：张吉英孙甲明范希武姜锦秀陈连春中国科学院长春物理研究所长春130021

用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnSe-ZnS超晶格.用化学腐蚀方法在GaAs衬底上开一个通光窗口,使该窗口上仅剩有1～1.8μm厚的生长层.室温下测量了蚀孔后由于化学腐蚀造成生长层表面差异的ZnSe-ZnS超晶格的吸收光谱.研究了带有生长过渡层和... 详细信息

用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnSe-ZnS超晶格.用化学腐蚀方法在GaAs衬底上开一个通光窗口,使该窗口上仅剩有1～1.8μm厚的生长层.室温下测量了蚀孔后由于化学腐蚀造成生长层表面差异的ZnSe-ZnS超晶格的吸收光谱.研究了带有生长过渡层和无过渡层的超晶格质量对其吸收光谱性能的影响.发现过渡层的存在保护了超晶格激子吸收性能.在此基础上首次采用新工艺在3×3mm^2面积上把GaAs衬底金部腐蚀掉,剩下均匀、光滑的ZnSe-ZnS超晶格层,在其上做出了300×300μm^2的列阵,为在ZnSe-ZnS超晶格上实现光学双稳的集成化提供了必要条件.

关键词：超晶格光窗口腐蚀吸收谱

ZnSe－CdZnse多量子阱光双稳器件的研制

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发光学报 1994年第2期15卷 172-175页

作者：孙甲明申德振范希武张吉英吕有明杨宝均中国科学院长春物理研究所

本文采用电化学选择性腐蚀工艺对ＧａＡｓ衬底蚀孔，在其上获得了大面积具有光滑表面的Ⅱ－Ⅵ族半导体多量子阱外延膜．通过在其表面蒸镀反射膜，制成了高质量的Ｆ－Ｐ腔，制备出ＺｎＳｅ－ＣｄＺｎＳｅ多量子阱Ｆ－Ｐ腔光双稳器件．

关键词：硒化锌多量子阱光学双稳器件

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多孔硅中的蓝色发光谱带

发光学报 1994年第2期15卷 122-126页

作者：孙甲明范希武韩力张吉英费浩生车颜龙中国科学院长春物理研究所吉林大学物理系

采用ＹＡＧ：Ｎｄ激光器的１．０６μｍ谱线的三倍频３５５ｎｍ激光激发多孔硅样品时，观测到一个峰值位于４６５ｎｍ的发光谱带，通过样品的发光光谱、透射光谱、以及时间分辨光谱的测量，初步探讨了新谱带的起源．

关键词：多孔硅蓝色发光特性光谱

非晶Si/SiO_2超晶格结构的交流电致发光

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发光学报 2000年第1期21卷 24-28页

作者：孙甲明钟国柱范希武中国科学院激发态物理开放研究实验室中国科学院长春物理研究所吉林长春130021

设计并用磁控溅射方法制备了非晶 Si/Si O2 超晶格结构 ,以高纯多晶 Si为靶材 ,当以 Ar+O2 为溅射气氛时 ,得到 Si O2 膜 ,仅以 Ar为气氛时 ,得到 Si膜。重复地开和关 O2 气 ,便交替地得到 Si O2 和 Si膜。衬底在靶前往返平移 ,改变平... 详细信息

设计并用磁控溅射方法制备了非晶 Si/Si O2 超晶格结构 ,以高纯多晶 Si为靶材 ,当以 Ar+O2 为溅射气氛时 ,得到 Si O2 膜 ,仅以 Ar为气氛时 ,得到 Si膜。重复地开和关 O2 气 ,便交替地得到 Si O2 和 Si膜。衬底在靶前往返平移 ,改变平移的速度或者改变溅射的功率 ,可以控制膜的厚度。通过透射电镜的照片可以看出 Si O2 和 Si膜具有均匀的周期结构 ,用低角 X-射线反射谱表征了超晶格的周期结构和各层的厚度。透射光谱表明 ,光学吸收边随 Si层厚度的减小向短波方向移动 ;从退火前和退火后样品的喇曼光谱的变化可判断硅量子点的存在及其尺寸。利用双绝缘层的交流电致发光器件结构 ,首次获得非晶 Si/Si O2 超晶格的蓝绿色电致发光 ,在发射光谱中存在几个分立的发光谱带 ,随 Si层厚度的减小 ,短波发光谱带的相对强度增加。

关键词：超晶格电致发光硅量子点

复合绝缘层交流薄膜电致发光显示屏的综合设计

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发光学报 1996年第3期17卷 191-196页

作者：孙甲明钟国柱付国柱郑陈玮张曙芝范希武中国科学院长春物理研究所中国科学院激发态物理开放研究实验室

本文从交流薄膜电致发光（ＡＣＴＦＥＬ）显示屏的稳定性与可靠性角度出发，兼顾其发光亮度以及驱动电路对屏的ＲＣ响应的要求，对ＡＣＴＦＥＬ矩阵屏的结构进行了综合优化设计．从理论上分析了复合绝缘层ＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５击穿方式... 详细信息

本文从交流薄膜电致发光（ＡＣＴＦＥＬ）显示屏的稳定性与可靠性角度出发，兼顾其发光亮度以及驱动电路对屏的ＲＣ响应的要求，对ＡＣＴＦＥＬ矩阵屏的结构进行了综合优化设计．从理论上分析了复合绝缘层ＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５击穿方式的转变条件并计算了其合理的厚度比例及ＺｎＳ∶Ｍｎ发光层的厚度和衬底ＩＴＯ方块电阻的取值范围．通过实验对理论结果进行了验证，并在理论设计的指导下研制了６４０×４８０（１０英寸）ＺｎＳ∶ＭｎＡＣＴＦＥＬ单色计算机终端显示器．

关键词：薄膜电致发光矩阵显示