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n型硅脉冲激光掺铟的物理过程与缺陷特性研究

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物理学报 1990年第7期39卷 1104-1110页

作者：刘开锋蔡劲孙恒慧任云珠曹永明复旦大学物理系上海200433 复旦大学材料科学系上海200433

用Nd-YAG脉冲激光对n型硅掺铟,形成外p^+n结。利用二次离子质谱仪(SIMS)、卢瑟福背散射(RBS)等方法,研究了硅内铟的分布,并分析了用20ns脉冲激光硅掺铟的物理过程,发现当激光能量密度足够大时,在硅表面层存在硅-铟混合熔体和液态硅两部... 详细信息

用Nd-YAG脉冲激光对n型硅掺铟,形成外p^+n结。利用二次离子质谱仪(SIMS)、卢瑟福背散射(RBS)等方法,研究了硅内铟的分布,并分析了用20ns脉冲激光硅掺铟的物理过程,发现当激光能量密度足够大时,在硅表面层存在硅-铟混合熔体和液态硅两部分。当激光能量密度较小时,硅表面层仅有液态硅层、用I-V,C-V和深能级瞬态谱(DLTS)等方法研究了p^+n结的电学性质,发现在p^+n结的n区存在两个缺陷。一个能通过快速热退火,在600℃,60s条件下消失,研究表明可能为空位与杂质的复合体。另一个通过快速热退火不能消失,可能与位错有关。

关键词：脉冲硅物理过程缺陷激光铟

重掺硼快速退火分子束外延硅的X射线衍射研究

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物理学报 1995年第3期44卷 432-438页

作者：许强王建宝袁健陆昉孙恒慧复旦大学李政道物理学综合实验室上海200433

利用X射线双晶衍射,测量了经过800—1100℃快速退火处理的重掺硼的分子束外延硅中的应变情况,发现应变部分弛豫.并得出外延层与衬底硅的晶格失配与替位硼浓度(7.5×10^(29)—3.1×10^(20)cm^(-3)成正比,比例系数β为5.1.在此测量基础上... 详细信息

利用X射线双晶衍射,测量了经过800—1100℃快速退火处理的重掺硼的分子束外延硅中的应变情况,发现应变部分弛豫.并得出外延层与衬底硅的晶格失配与替位硼浓度(7.5×10^(29)—3.1×10^(20)cm^(-3)成正比,比例系数β为5.1.在此测量基础上,提出硼团簇的形成与分解是外延展晶格质量与电学性质变化的主要原因.

关键词：硅分子束外延掺硼快速退火 X射线衍射

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传热技术的应用及趋势

浙江节能 2001年第1期 28-30页

作者：孙恒慧镇海炼油化工股份有限公司生产处

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分子束外延中硅衬底热应力产生缺陷的研究

Journal of Semiconductors 1992年第11期13卷 661-667页

作者：盛篪樊永良俞鸣人张翔九孙恒慧段晓峰复旦大学应用表面物理国家实验室上海200433 复旦大学物理系中国科学院北京电子显微镜实验室北京100080

本文报道了由表面形貌观测、X射线双晶衍射、喇曼光谱、透射电镜及深能级解态谱对硅分子束外延中硅衬底在热处理过程中由于热应力、重力等影响导致缺陷产生的研究.由于衬底温度梯度导致样品表面存在位错滑移线,在衬底与外延层界面有着... 详细信息

本文报道了由表面形貌观测、X射线双晶衍射、喇曼光谱、透射电镜及深能级解态谱对硅分子束外延中硅衬底在热处理过程中由于热应力、重力等影响导致缺陷产生的研究.由于衬底温度梯度导致样品表面存在位错滑移线,在衬底与外延层界面有着高密度的位错网络,在高的温度梯度区有晶粒间界及多晶存在,并伴有扭曲和不平整,在样品中央部份生长状态较好的锗硅合金层超晶格有部份应变会弛豫而转化为失配位错,这严重影响锗硅超晶格的质量.采用新结构的石英样品座改善了样品温度均匀性,并消除外加应力的影响,己可生长出高质量的锗硅超晶格.

关键词：分子束外延硅衬底热应力

分子束外延生长Si/GaP珐()异质结的界面特性

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物理学报 1989年第8期38卷 1265-1270页

作者：邓容平蒋维栋孙恒慧复旦大学物理系

本文研究了分子束外延(MBE)生长的n-N型Si/GaP(Ⅲ)异质结的界面特性。采用C-V法测量Si/GaP(Ⅲ)异质结的表观载流子浓度分布n(x),从中导出了异质界面的导带失配值和界面电荷密度。实验结果表明,n-N型Si/GaP(Ⅲ)是一种弱整流结构。导带失... 详细信息

本文研究了分子束外延(MBE)生长的n-N型Si/GaP(Ⅲ)异质结的界面特性。采用C-V法测量Si/GaP(Ⅲ)异质结的表观载流子浓度分布n(x),从中导出了异质界面的导带失配值和界面电荷密度。实验结果表明,n-N型Si/GaP(Ⅲ)是一种弱整流结构。导带失配△E_c=0.10eV,界面电荷密度σ_i=8.8×10^(10)cm^(-2)。通过表现载流子浓度n(x)的理论计算曲线与实验曲线符合较好,说明了实验结果的可靠性。

关键词：半导体异质结硅磷化镓外延生长

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结区中存在量子阱结构样品的C－V特性分析

Journal of Semiconductors 1996年第4期17卷 245-251页

作者：陆昉王勤华王建宝蒋家禹孙恒慧复旦大学李政道物理学综合实验室

对不同组分、阱宽和垒宽的锗硅单量子阱和多量子阶样品的Ｃ－Ｖ特性及其与温度的关系进行了测量，并用数值方法解油松方程模拟计算了单量子阱样品的Ｃ－Ｖ特性及其Ｃ－Ｖ载流于浓度分布．实验和模拟计算的结果均表明，Ｃ－Ｖ载流子浓度... 详细信息

对不同组分、阱宽和垒宽的锗硅单量子阱和多量子阶样品的Ｃ－Ｖ特性及其与温度的关系进行了测量，并用数值方法解油松方程模拟计算了单量子阱样品的Ｃ－Ｖ特性及其Ｃ－Ｖ载流于浓度分布．实验和模拟计算的结果均表明，Ｃ－Ｖ载流子浓度分布在量子阱位置有一个浓度较高的峰值，它反映了被限制在阱中的载流子的积累，峰高随着量子阶异质界面的能带偏移的增加而增加．低温时由于阱中载流子的热发射几率变小，阱中载流于浓度的变化跟不上测试电压的频率，造成电容值显著变小．

关键词：量子阱结构 C-V特性半导体材料

用氢钝化Si(100)面抑制分子束处延界面的硼尖峰

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物理学报 1993年第12期42卷 1968-1973页

作者：卫星龚大卫杨小平吕宏强崔堑盛篪张翔九王迅王勤华陆昉孙恒慧复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学物理系上海200433

采用一种新的简便的氢钝化方法,可以在Si(100)衬底表面获得稳定的钝化层。用俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED),C-V和二次离子质谱(SIMS)等方法对衬底表面及其上面生长的分子束外延层进行检测,发现这种方法可以有效地防止衬... 详细信息

采用一种新的简便的氢钝化方法,可以在Si(100)衬底表面获得稳定的钝化层。用俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED),C-V和二次离子质谱(SIMS)等方法对衬底表面及其上面生长的分子束外延层进行检测,发现这种方法可以有效地防止衬底表面被碳、氧沾污,降低退火温度至少200℃,并完全消除外延层与Si(100)衬底界面处的高浓度硼尖峰。在此基础上,结合衬底表面锗束处理的实验结果,对硼尖峰的主要来源是由于硅衬底表面的氧化层这一观点提供了新的有力证据。

关键词：氢钝化分子束外延硼尖峰钝化

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炼油蒸汽管网模拟与监测管理系统

能源工程 2003年第4期23卷 45-47页

作者：黄维章孙恒慧宁波镇海炼油化工股份有限公司宁波315207

介绍了利用计算机技术建立的炼油厂蒸汽管网模拟与监测管理系统 ,通过该系统能在线监测整个管网系统。

关键词：蒸汽管网监测管理计算机炼油厂在线监测优化管网节能

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用喇曼光谱表征锗硅应变层超晶格

Journal of Semiconductors 1990年第11期11卷 822-828页

作者：徐建国王建宝盛篪孙恒慧郑思定姚文华复旦大学物理系复旦大学测试中心

对Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格的喇曼光谱研究表明,这类样品中各层间的应力分配取决于缓冲层组分。合金层中的Ge—Si峰峰移δω随组分x或应变ε作线性变化。对Ge_n/Si_n(n为原子层数)超晶格的喇曼光谱研究表明,在n=4的超薄层超晶格中,锗硅界... 详细信息

对Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格的喇曼光谱研究表明,这类样品中各层间的应力分配取决于缓冲层组分。合金层中的Ge—Si峰峰移δω随组分x或应变ε作线性变化。对Ge_n/Si_n(n为原子层数)超晶格的喇曼光谱研究表明,在n=4的超薄层超晶格中,锗硅界面互混程度较小,并发现样品的生长温度对其质量有决定性影响。

关键词：喇曼光谱锗硅应变层超晶格表征