检索结果-南通市图书馆

炼油设计 2001年第10期31卷 38-41页

作者：孙恒慧镇海炼油化工股份公司浙江省宁波市315207

介绍了氢气网络优化的窄点分析方法，对典型炼油厂现有及规划氢气网络进行窄点分析，可获得约5%的理论氢气节约量，创造良好的经济效益及环境效益，对规划的氢气网络结构提出优化途径，并就国内如何开展这一领域的研究提出建议。

关键词：窄点技术优化炼油氢气网络结构

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半导体物理实验

未掺杂半绝缘砷化镓中EL2能级的光电离截面谱

丛书名：高等学校教学参考书

1985年

作者：孙恒慧

本书较详细地比较了用于测量同一种参数的不同测试方法的优缺点，书中还包括用电子计算机处理实验结果方面的训练，并列出主要参考文献。

ISBN: (数字)13010.01169

ISBN: (纸本)7040013169

本书较详细地比较了用于测量同一种参数的不同测试方法的优缺点，书中还包括用电子计算机处理实验结果方面的训练，并列出主要参考文献。

关键词：数理科学和化学物理学半导体物理学

来源：汇雅图书（南通市图书馆... 评论

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汇雅图书（南通市图书馆）

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红外研究 1990年第5期9卷 345-350页

作者：朱永刚孙恒慧复旦大学物理系上海200443

采用恒流光电导方法,在不同温度下测量了未掺杂半绝缘LEC砷化镓中EL2能级的光电离截面谱σ_n^0-hv。发现截面谱中有三个上升较快的台阶,认为它们来源于EL2能级上的电子向导带上三个极点Γ、L、X的光跃迁。σ_n^0-hv的理论计算和实验曲... 详细信息

采用恒流光电导方法,在不同温度下测量了未掺杂半绝缘LEC砷化镓中EL2能级的光电离截面谱σ_n^0-hv。发现截面谱中有三个上升较快的台阶,认为它们来源于EL2能级上的电子向导带上三个极点Γ、L、X的光跃迁。σ_n^0-hv的理论计算和实验曲线符合得很好,并得出有关EL2能级的物理量即束缚能E_T、Frank-Condon移动d_(FC)和波函数扩展长度α^(-1)。

关键词：半绝缘砷化镓 EL2能级恒流光电导

光电流瞬态谱中半绝缘砷化镓的EL2峰的研究

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Journal of Semiconductors 1993年第11期14卷 659-663页

作者：龚大卫孙恒慧复旦大学李政道物理学综合实验室上海200433

本文用加栅的光电流瞬态谱(PICTS)方法研究了半绝缘砷化镓材料中的深能级缺陷,发现加栅后可使PICTS对EL2等靠近禁带中央的缺陷变得灵敏,并分析了其中原因,认为材料中费米能级位置对PICTS结果有影响。

关键词：砷化镓光电流瞬态谱

PICTS方法研究SI-GaAs中深能级缺陷性质

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Journal of Semiconductors 1992年第1期13卷 1-7页

作者：龚大卫陆昉孙恒慧复旦大学物理系上海200433

本文用 PICTS方法配合退火实验对各种 LEC SI-GaAs材料的缺陷进行了测量,对照文献已有的各种结果,分析和讨论了一些缺陷的成因和可能结构.认为其中的W_1 可能是与As_(Ga)有关的 EL3缺陷,W_4为热应力产生的缺陷.P_1 与V_(Ga)有关.在原生... 详细信息

本文用 PICTS方法配合退火实验对各种 LEC SI-GaAs材料的缺陷进行了测量,对照文献已有的各种结果,分析和讨论了一些缺陷的成因和可能结构.认为其中的W_1 可能是与As_(Ga)有关的 EL3缺陷,W_4为热应力产生的缺陷.P_1 与V_(Ga)有关.在原生富砷样品的PICTS谱中存在负峰N,实验发现它的存在与样品表面状况无关.若考虑该缺陷同时与两种载流子作用,理论计算与实验符合较好.在有些样品中用PICTS方法观察到EL2峰,对于原生样品,发现经快速退火后EL2的体内浓度减小.

关键词： SI-GaAs 深能级缺陷 PICTS法测量

用深能级瞬态谱方法研究赝晶Si/Ge_(0.25)Si_(0.75)/Si单量子阱的价带偏移

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物理学报 1993年第7期42卷 1153-1159页

作者：李先皇陆昉孙恒慧复旦大学物理系上海200433

应变的Ge_xSi_(1-x)层和未应变的硅层间的能带偏移主要是价带偏移。量子阱中载流子的热发射能与界面的能带偏移有着密切的关系。本文用深能级瞬态谱(DLTS)研究分子束外延生长的p型Si/Ge_(0.25)Si_(0.75)/Si单量子阱的价带偏移,阱宽为15... 详细信息

应变的Ge_xSi_(1-x)层和未应变的硅层间的能带偏移主要是价带偏移。量子阱中载流子的热发射能与界面的能带偏移有着密切的关系。本文用深能级瞬态谱(DLTS)研究分子束外延生长的p型Si/Ge_(0.25)Si_(0.75)/Si单量子阱的价带偏移,阱宽为15nm,考虑到电场的影响和量子阱中第一子能级的位置,对从DLTS得到的热发射能进行适当的修正,可以计算出Si/Ge_(0.25)Si_(0.75)/Si的价带偏移为0.19eV,与理论值符合尚好。本文还讨论了量子阱中载流子的发射、俘获过程与深能级陷阱中载流子的发射、俘获过程之间的异同。

关键词：赝单晶量子阱价带深能级瞬态谱

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计算机控制的高分辨率光生电流瞬态谱

复旦学报（自然科学版） 1992年第2期31卷 175-183页

作者：陆昉袁健龚大卫孙恒慧复旦大学物理学系

计算机模拟表明,对于常规的光生电流瞬态谱,如果样品中两个深能级缺陷的信号因位置接近而互相迭加,则在确定这些缺陷的参数时会由于率窗的选取不当而引进很大的误差.为此本文提出了用计算机进行数据采集及处理的高分辨率光生电流瞬态谱H... 详细信息

计算机模拟表明,对于常规的光生电流瞬态谱,如果样品中两个深能级缺陷的信号因位置接近而互相迭加,则在确定这些缺陷的参数时会由于率窗的选取不当而引进很大的误差.为此本文提出了用计算机进行数据采集及处理的高分辨率光生电流瞬态谱HR-PICTS(High Resolution Photo-Incluced Current Transient Spectroscopy).它能分辨出原已不能分辨的信号峰,并使得到的深能级缺陷参数更为准确.此法设备简单、操作方便,只需一次温度扫描就可获得深能级缺陷的各种参数.对半绝缘GaAs的实验结果表明,HR-PICTS为研究半绝缘材料中的深能级缺陷提供了更有力的工具.

关键词：计算机控制深能级 PICTS 半导体

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作者：孙恒慧包宗明

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掺铁半绝缘磷化铟的深能级研究

Journal of Semiconductors 1990年第3期11卷 170-175页

作者：彭承李建林陆峻孙恒慧复旦大学物理系

文章简要地叙述了光激电流瞬态谱(PICTS)及恒流光电导(CCPC)设备的建立过程及测量方法。并首次用二种方法结合起来以研究掺铁半绝缘磷化铟(InP)中深能级的热电离能,载流子的发射与俘获特性,杂质波函数的局域程度及电子与晶格之间的相互... 详细信息

文章简要地叙述了光激电流瞬态谱(PICTS)及恒流光电导(CCPC)设备的建立过程及测量方法。并首次用二种方法结合起来以研究掺铁半绝缘磷化铟(InP)中深能级的热电离能,载流子的发射与俘获特性,杂质波函数的局域程度及电子与晶格之间的相互作用。并给出了铁能级在禁带中的确切能量位置。

关键词：掺铁磷化yin 深能级半导体材料

存在集中分布界面态的异质结的C-V特性研究

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复旦学报（自然科学版） 1997年第3期36卷 323-329页

作者：张胜坤陆昉陈溪滢孙恒慧复旦大学物理学系上海200433

提出用高频C－V法测量半导体异质结中集中分布的界面态的能级位置的方法，并分析了测试温度以及由异质结的能带偏移所引起的载流子积累对测试结果的影响．用这一方法对GaS／GaAs和Znse／GaAs两种异质结进行了测试，发现在这两种异质界... 详细信息

提出用高频C－V法测量半导体异质结中集中分布的界面态的能级位置的方法，并分析了测试温度以及由异质结的能带偏移所引起的载流子积累对测试结果的影响．用这一方法对GaS／GaAs和Znse／GaAs两种异质结进行了测试，发现在这两种异质界面上均存在集中分布的界面态，其能级位置分别为Ec-0.41eV,Ec-0．51eV．

关键词：异质结高频C-V法集中分布界面态密度