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p-n异质结BiVO/g-CN光阳极的制备及其光电化学水解性能

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无机材料学报 2023年 1-13页

作者：王如意徐国良杨蕾邓崇海储德林张苗孙兆奇合肥学院能源材料与化工学院长鑫存储技术有限公司安徽大学物质科学与信息技术研究院安徽大学材料科学与工程学院合肥学院先进电池材料与技术重点实验室

钒酸铋(BVO)可用于光电化学(PEC)水解产氢,但受限于其缓慢的表面水氧化动力学,在电极表面修饰单一的析氧助催化剂达不到理想的性能。本工作在BVO电极表面修饰FeNiOx助催化剂可以显著降低起始电压,增强光电化学性能。此外,沉积g-C3N4后修... 详细信息

钒酸铋(BVO)可用于光电化学(PEC)水解产氢,但受限于其缓慢的表面水氧化动力学,在电极表面修饰单一的析氧助催化剂达不到理想的性能。本工作在BVO电极表面修饰FeNiOx助催化剂可以显著降低起始电压,增强光电化学性能。此外,沉积g-C3N4后修饰FeNiOx助催化剂得到的光电极具有更优异的性能。厚度适合的g-C3N4纳米片与BVO构成Ⅱ型p-n异质结,有效抑制了光生电子空穴的复合,促进了电极的电荷分离。电化学测试结果表明,沉积了g-C3N4后,电极的电荷分离效率达到88.2%,比BVO/FeNiOx(60.6%)提升了近1.5倍。经过g-C3N4和FeNiOx协同修饰的BVO/g-C3N4/FeNiOx电极,表面电荷注入效率达到了90.2%,同时,在1.23 V (vs.RHE)条件下光电流密度达到4.63 mA·cm–2,是纯BVO (1.86 mA·cm–2)的2.48倍。本工作为开发制备高性能光阳极提供了一种有效的策略。

关键词： g-C N 纳米片 BiVO 光电化学水解 FeNiO 助催化剂 p-n异质结

Ag-MgF_2复合纳米金属陶瓷薄膜的微结构及吸收光谱特性研究

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光学学报 2002年第5期22卷 622-626页

作者：史守华孙兆奇孙大明安徽大学物理系合肥230039

对用真空蒸发技术制备的Ag MgF2 复合纳米金属陶瓷薄膜 (Ag的质量分数为 0 15、0 2 0、0 30 )的微结构及吸收光谱特性进行了研究。微结构分析表明薄膜由平均粒径约 18nm的fcc Ag纳米晶粒嵌埋于主要呈非晶态的MgF2 基体中所组成。对... 详细信息

对用真空蒸发技术制备的Ag MgF2 复合纳米金属陶瓷薄膜 (Ag的质量分数为 0 15、0 2 0、0 30 )的微结构及吸收光谱特性进行了研究。微结构分析表明薄膜由平均粒径约 18nm的fcc Ag纳米晶粒嵌埋于主要呈非晶态的MgF2 基体中所组成。对吸收光谱的研究表明 ,Ag纳米微粒的表面等离子共振吸收峰出现在λ =412nm～417nm波段范围内。随着Ag组分增加 ,吸收峰强度下降 ,呈现轻微红移并且逐渐宽化。

关键词： Ag-MgE2复合纳米金属陶瓷薄膜微结构吸收光谱银氟化镁

烧结温度对TiO_2压敏陶瓷非线性和介电性质的影响(英文)

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功能材料 2006年第7期37卷 1149-1152,1159页

作者：孟凡明孙兆奇安徽大学物理与材料科学学院信息材料与器件重点实验室安徽合肥230039

基于一次烧结工艺，通过改变烧结温度，制备5种组分相同、（Sr，Bi，Si，Ta）掺杂的TiO2陶瓷试样。借助于伏安特性、介电频率特性、损耗频率特性及非线性系数的测定，研究烧结温度对TiO2基压敏陶瓷压敏和介电性质的影响。结果表明，在12... 详细信息

基于一次烧结工艺，通过改变烧结温度，制备5种组分相同、（Sr，Bi，Si，Ta）掺杂的TiO2陶瓷试样。借助于伏安特性、介电频率特性、损耗频率特性及非线性系数的测定，研究烧结温度对TiO2基压敏陶瓷压敏和介电性质的影响。结果表明，在1200-1400℃范围内，随着烧结温度的降低，陶瓷的压敏电压降低、介电常数增大，同时非线性系数有所减小。兼顾陶瓷压敏和介电特性，烧结温度选择1350℃为宜。

关键词：压敏陶瓷 TiO2 电性能缺陷

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超薄Ag膜的椭偏光谱建模及解谱

光谱学与光谱分析 2008年第5期28卷 995-998页

作者：曹春斌蔡琪宋学萍孙兆奇安徽农业大学理学院安徽合肥230036 安徽大学物理与材料学院安徽合肥230039

用直流溅射法制备了6个不同厚度的超薄Ag膜。结合超薄Ag膜的结构特点，采用了Drude模型联合Lorentz Oscillator模型的解谱方法，得到1～6号样品的厚度分别为4．0，6．2，12．5，26．2，30．0和40．6nm。从拟合结果的消光系数k图谱中发... 详细信息

用直流溅射法制备了6个不同厚度的超薄Ag膜。结合超薄Ag膜的结构特点，采用了Drude模型联合Lorentz Oscillator模型的解谱方法，得到1～6号样品的厚度分别为4．0，6．2，12．5，26．2，30．0和40．6nm。从拟合结果的消光系数k图谱中发现，在1号到4号样品中分别于430，450，560和570nm处出现了表面等离子体共振峰（SPR），随膜厚的增加共振峰宽化且峰位红移。最后，利用SPR理论计算出不同厚度Ag薄膜等离子体共振峰出现的位置，并和实验结果进行了比较。

关键词：超薄Ag膜椭偏数据解谱表面等离子体共振吸收

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不同厚度溅射Ag膜的微结构及光学常数研究

光学学报 2002年第6期22卷 678-682页

作者：何玉平吴桂芳李爱侠孙兆奇安徽大学物理系合肥230039

用直流溅射法在室温Si基片上制备了 4 .9nm～ 189.0nm范围内不同厚度的Ag薄膜 ,并用X射线衍射及反射式椭偏光谱技术对薄膜的微结构和光学常数进行了测试分析。结构分析表明 :制备的Ag膜均呈多晶状态 ,晶体结构仍为面心立方 ;随膜厚增加... 详细信息

用直流溅射法在室温Si基片上制备了 4 .9nm～ 189.0nm范围内不同厚度的Ag薄膜 ,并用X射线衍射及反射式椭偏光谱技术对薄膜的微结构和光学常数进行了测试分析。结构分析表明 :制备的Ag膜均呈多晶状态 ,晶体结构仍为面心立方 ;随膜厚增加薄膜的平均晶粒尺寸由 6 .3nm逐渐增大到 14 .5nm ;薄膜晶格常数均比标准值(0 .4 0 86 2nm)稍小 ,随膜厚增加 ,薄膜晶格常数由 0 .4 0 5 85nm增大到 0 .4 0 779nm。 2 5 0nm～ 830nm光频范围椭偏光谱测量结果表明 :与Johnson的厚Ag膜数据相比 ,我们制备的Ag薄膜光学折射率n总体上均增大 ,消光系数k变化复杂 ;在厚度为 4 .9nm～ 83.7nm范围内 ,实验薄膜的光学常数与Johnson数据差别很大 ,厚度小于 33.3nm的实验薄膜k谱线中出现吸收峰 ,峰位由 4 6 0nm红移至 6 90nm处 ,且其对应的峰宽逐渐宽化 ;当膜厚达到约189nm时 ,实验薄膜与Johnson光学常数数据已基本趋于一致。

关键词：溅射Ag薄膜微结构光学常数椭偏光谱薄膜厚度银薄膜

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铝掺杂及温度对氧化锌薄膜发光特性的影响

真空科学与技术学报 2013年第11期33卷 1105-1109页

作者：石市委李洪霞江锡顺孙兆奇安徽大学物理与材料科学学院合肥230039 光电信息获取与控制教育部重点实验室合肥230039 安徽省信息材料与器件重点实验室合肥230039

使用水热法在石英衬底上制备了掺铝氧化锌(AZO)薄膜,采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和低温光致发光谱技术对薄膜的微结构和发光性能进行了表征。结果表明,薄膜由氧化锌纳米锥构成,纳米锥直径大部分都在100 nm以下,且具有明显的沿c轴... 详细信息

使用水热法在石英衬底上制备了掺铝氧化锌(AZO)薄膜,采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和低温光致发光谱技术对薄膜的微结构和发光性能进行了表征。结果表明,薄膜由氧化锌纳米锥构成,纳米锥直径大部分都在100 nm以下,且具有明显的沿c轴择优生长的特征。此种方法制备的AZO薄膜在室温下存在两个较宽的发光峰,即紫外-紫光发光峰和绿光-红光发光峰。铝掺杂强烈地影响两个发光峰的相对强度。随着掺杂量的增大,(1)紫外-紫光发光峰的相对强度和绝对强度都迅速增大,并在铝掺杂量达到10%时达到最大值,(2)绿光-红光发光峰中,各子发光峰的相对强度也发生一定变化,主要表现为长波子发光峰的发光强度的相对增大。铝掺杂还导致薄膜的发光谱中出现一个极少见的位于355 nm处的发光峰,该发光峰随铝掺杂量的增大而增强。薄膜的低温光致发光谱表明,随着薄膜温度由10 K升高到267 K,薄膜的紫外-紫光发光峰变化不明显,但绿光-红光发光峰的强度则随着温度的增加而快速单调减小,呈现荧光热猝灭现象。由发光中心的多声子发射造成的非辐射激子复合应该是造成这种热猝灭的主要原因。

关键词：氧化锌铝掺杂光致发光热淬灭

不同改性过程对氧化锌薄膜的光学及亲水性能的影响

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真空科学与技术学报 2015年第3期35卷 276-280页

作者：朱旭石市委夏茹孙兆奇安徽大学化学化工学院合肥230601 绿色高分子材料安徽省重点实验室合肥230601 安徽大学物理与材料科学学院合肥230601 安徽大学微弱信号感测材料及器件集成协同创新研究中心合肥230601

采用溶胶-凝胶的方法在玻璃基片上制备了纳米ZnO薄膜,利用月桂酸钠、硅烷偶联剂对ZnO薄膜进行改性以研究不同改性过程对ZnO薄膜光学及亲水性能的影响。利用接触角测试、扫描电镜、紫外可见光光度计、荧光光谱仪等方法研究了改性后的纳... 详细信息

采用溶胶-凝胶的方法在玻璃基片上制备了纳米ZnO薄膜,利用月桂酸钠、硅烷偶联剂对ZnO薄膜进行改性以研究不同改性过程对ZnO薄膜光学及亲水性能的影响。利用接触角测试、扫描电镜、紫外可见光光度计、荧光光谱仪等方法研究了改性后的纳米氧化锌薄膜的微结构、光学性能及亲水疏水性等。结果表明,采用不同的改性剂或不同的改性剂并用体系可以使氧化锌薄膜表面的施主缺陷浓度不同,从而导致氧化锌薄膜的光学性能及表面亲水疏水性随改性过程的不同而呈现一定的变化规律。

关键词： ZnO薄膜表面改性溶胶-凝胶亲水疏水性

掺杂浓度及退火对Ta-ZnO透明导电薄膜表面形貌的影响

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功能材料 2010年第4期41卷 687-689,693页

作者：陈进军曹铃宋学萍孙兆奇炙州大学电气工程学院贵州贵阳550003 安徽大学物理与材料科学学院安徽合肥230039 “光电信息获取与控制”教育部重点实验室安徽合肥230039

室温下采用射频磁控溅射法在硅衬底上制备了掺Ta-ZnO透明导电薄膜,并在不同温度下退火处理。利用原子力显微镜、X射线光电子能谱仪对薄膜进行了表征分析,对于不同掺杂比例的Ta-ZnO薄膜以及退火后的Ta-ZnO薄膜的表面形貌进行了研究。当... 详细信息

室温下采用射频磁控溅射法在硅衬底上制备了掺Ta-ZnO透明导电薄膜,并在不同温度下退火处理。利用原子力显微镜、X射线光电子能谱仪对薄膜进行了表征分析,对于不同掺杂比例的Ta-ZnO薄膜以及退火后的Ta-ZnO薄膜的表面形貌进行了研究。当掺杂比例为5%(质量分数)时,薄膜有最大平均颗粒尺寸94.46nm和最小表面粗糙度4.48nm。随着退火温度的升高,该薄膜表面粗糙度(RMS)先增加后减小,平均颗粒尺寸在94.46～118.05nm之间。

关键词： Ta-ZnO薄膜射频磁控溅射掺杂表面形貌退火

射频磁控溅射的不同厚度MgF_2薄膜的微结构和应力特性

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硅酸盐学报 2004年第6期32卷 700-703页

作者：孙兆奇吕建国何玉平宋学萍安徽大学物理系合肥230039

用射频磁控溅射法在室温Si基片上制备了60.7～1545.0nm范围内不同厚度的MgF2薄膜,并用X射线衍射及激光干涉相移技术对不同厚度MgF2薄膜微结构和应力分布进行了测试分析。结构分析表明:制备的MgF2薄膜呈多晶状态,仍为四方结构;随膜厚由42... 详细信息

用射频磁控溅射法在室温Si基片上制备了60.7～1545.0nm范围内不同厚度的MgF2薄膜,并用X射线衍射及激光干涉相移技术对不同厚度MgF2薄膜微结构和应力分布进行了测试分析。结构分析表明:制备的MgF2薄膜呈多晶状态,仍为四方结构;随膜厚由420.0nm增加到1545.0nm,膜的平均晶粒尺寸由3.2nm逐渐增大到14.5nm。应力研究表明:所制备的MgF2薄膜在=30mm选区内全场平均应力均表现为张应力;随膜厚增加,MgF2薄膜中的平均应力值起始时呈近似线性缓慢减小,当膜厚大于1200nm时,其选区平均应力及应力差基本趋于稳定。

关键词：氟化镁薄膜射频磁控溅射微结构应力特性