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检索条件"作者=娄永乐"
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热退火对Mn离子注入非故意掺杂GaN微结构、光学及磁学特性的影响
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物理学报 2014年 第4期63卷 284-289页
作者: 徐大庆 张义门 娄永乐 童军 西安科技大学电气与控制工程学院 西安710054 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071
通过Mn离子注入非故意掺杂GaN外延层制备了GaN:Mn薄膜,并研究了退火温度对GaN:Mn薄膜的微结构、光学及磁学特性的影响.对不同退火温度处理后的GaN:Mn薄膜的拉曼谱测试显示,出现了由与离子注入相关的缺陷的局域振动(LV)和(Ga,Mn)N中Mn离... 详细信息
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消费者产品知识水平对品牌忠诚的影响研究
消费者产品知识水平对品牌忠诚的影响研究
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作者: 娄永乐 西安理工大学
学位级别:硕士
执行改革开放政策40年后,我国综合国力有了大幅提高,制造经济逐渐远去,品牌经济已经来临,国民消费逐渐从品质转向品牌,品牌这一无形资产,逐渐成为企业的核心资源,创建一流品牌成为各企业的战略目标。但目前我国大多数企业现状是有品无... 详细信息
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退火温度对GaN:Mn薄膜微结构、电学及磁学性能的影响
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硅酸盐学报 2016年 第7期44卷 981-986页
作者: 徐大庆 李培咸 娄永乐 李妤晨 西安科技大学电气与控制工程学院 西安710054 西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院 西安710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室 西安710071
通过Mn离子注入非故意掺杂GaN外延层制备了GaN:Mn薄膜,研究了退火温度对其微结构、电学和磁学性能的影响。结果表明:所有样品均呈现为单晶纤锌矿结构;离子注入产生的相关缺陷在GaN:Mn薄膜中引起了新的声子模,分析认为Mn替代Ga位后所产... 详细信息
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企业科技创新与品牌价值关系的实证研究
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科技管理研究 2018年 第17期38卷 16-22页
作者: 王保利 娄永乐 西安理工大学经济与管理学院 陕西西安710054
为探明各种科技要素投入和各种科技产出对品牌资产的不同影响,以连续5年进入中国500强企业中的86个企业为样本,分别用科技创新的投入和产出维度与品牌价值做多元回归,结果表明,投入和产出两个维度都正向影响品牌价值,其中研发经费投入... 详细信息
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空位缺陷及Mg替位对纤锌矿(Ga,Mn)N电子结构和磁光性能的影响
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物理学报 2016年 第19期65卷 238-249页
作者: 徐大庆 李培咸 娄永乐 岳改丽 张超 张岩 刘宁庄 杨波 西安科技大学电气与控制工程学院 西安710054 西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院 西安710071 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071
采用自旋密度泛函理论框架下的广义梯度近似(GGA+U)平面波超软赝势方法,构建了未掺杂纤锌矿GaN超胞、三种不同有序占位Mn双掺GaN,(Mn,Mg)共掺杂GaN以及存在空位缺陷的Mn掺杂GaN超胞模型,分别对所有模型的能带结构、电子态密度、能量以... 详细信息
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Mn离子注入Mg掺杂GaN的微结构和光学特性研究
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功能材料 2015年 第14期46卷 14019-14022页
作者: 徐大庆 张义门 李培咸 娄永乐 刘树林 童军 西安科技大学电气与控制工程学院 西安710054 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室 西安710071
通过Mn离子注入Mg掺杂GaN外延层制备了铁磁性GaN∶Mn薄膜,利用拉曼散射和光致发光谱研究了退火温度对薄膜微结构和光学特性的影响。拉曼谱测试显示由离子注入相关缺陷引起了新的声子模,分析认为Mn离子相关的局域振动(LVM)紧邻Ehigh2峰... 详细信息
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微电子专业实验室的建设与探索
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实验室研究与探索 2020年 第3期39卷 236-240页
作者: 娄永乐 柴长春 樊永祥 康海燕 西安电子科技大学微电子学院 西安710071
随着国内半导体产业的迅速发展,我国微电子方面的人才需求日益增大,建设高水平的微电子专业实验室可以有效提升微电子人才的工程实践能力和创新能力。结合我校的实际情况,分别从微电子专业实验室的建设意义、结构体系、人才队伍建设和... 详细信息
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消费者产品知识对品牌忠诚的影响研究
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生产力研究 2019年 第9期 23-30页
作者: 王保利 杨欣 娄永乐 西安理工大学经济与管理学院
针对“企业如何利用消费者产品知识促进品牌忠诚”这一热点问题,一方面深入辨析不同类别消费者产品知识对品牌忠诚的影响,另一方面基于消费者购买决策过程模型,引入信息搜寻努力、顾客感知价值两个中介变量,探明消费者产品知识对品牌忠... 详细信息
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Effects of Fe-Oxide and Mg Layer Insertion on Tunneling Magnetoresistance Properties of CoFeB/MgO/CoFeB Magnetic Tunnel Junctions
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Chinese Physics Letters 2016年 第11期33卷 124-126页
作者: 娄永乐 张玉明 郭辉 徐大庆 张义门 School of Microelectronics Xidian University School of Electrical and Control Engineering Xi'an University of Science and Technology
To study the influence of CoFeB/MgO interface on tunneling magnetoresistance (TMR), different structures of magnetic tunnel junctions (MTJs) are successfully prepared by the magnetron sputtering technique and char... 详细信息
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基于翻转课堂的微电子实验教学模式改革与实践
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高教学刊 2021年 第22期7卷 135-139页
作者: 娄永乐 冯晓丽 康海燕 西安电子科技大学 陕西西安710071
针对微电子专业实验教学模式的现状和存在的问题,探索了基于微课的翻转课堂在专业实验教学体系的应用,阐述了翻转课堂教学模式的基本特点、教学活动设计、教学环境设计和考核方法,列举了专业实验课程中翻转课堂的应用实例。该教学模式... 详细信息
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